空气传播污染物管理的方法技术

一种空气传播污染物管理的方法包括：通过对清洁室的环境进行采样来产生污染物分布图；通过将污染物分布图与第一数据库中的至少一个扩散图像进行比较来选择清洁室的第一制作工具；将第一制作工具的参数与第二数据库中的工艺效用信息进行比较；以及当参数与工艺效用信息一致时，采取至少一项措施。所述一项措施可包括：将清洁工具移动到与污染物分布图的污染物浓度相关联的位置；接通清洁工具的风扇；停止向第一制作工具的舱式运送；以及终止通过第一制作工具进行的生成。第一制作工具进行的生成。第一制作工具进行的生成。

【技术实现步骤摘要】
空气传播污染物管理的方法


[0001]在本专利技术的实施例中阐述的技术大体来说涉及污染物管理，且更具体来说，涉及空气传播污染物管理的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业已经历指数级增长。IC材料及设计的技术进步已催生出几代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，在几何大小(即，可使用制作工艺形成的最小组件(或线))已减小的同时，功能密度(即，每芯片面积内连器件的数目)一般来说已增大。此种按比例缩小的工艺一般来说通过提高生产效率及降低相关联的成本来提供益处。此种按比例缩小也已增大处理及制造IC的复杂性。
[0003]其中制造IC的清洁室面临对于微粒及污染物(例如可能从制作工具或贴合到制作工具的附件泄漏的化学品)的越来越严格的容差。当制作更小及更复杂的电路时，具有相对低的微粒和/或污染物水平的清洁室可能与更高的良率相关联。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种空气传播污染物管理的方法，包括：通过对清洁室的环境进行采样来产生污染物分布图；通过将所述污染物分布图与第一数据库中的至少一个扩散图像进行比较来选择所述清洁室的第一制作工具；将所述第一制作工具的参数与第二数据库中的工艺效用信息进行比较；以及当所述参数与所述工艺效用信息一致时，采取以下措施中的至少一项措施：将清洁工具移动到与所述污染物分布图的污染物浓度相关联的位置；接通所述清洁工具的风扇；停止向所述第一制作工具的舱式运送；以及终止通过所述第一制作工具进行的生成。
[0005]本专利技术实施例提供一种空气传播污染物管理的方法，包括：通过利用采样系统对清洁室污染物进行采样来产生清洁室污染物数据；通过飞行时间质谱仪基于所述清洁室污染物数据产生第一图像；基于使用所述第一图像及至少一个其他清洁室扩散图像进行的预测来选择第一制作工具；以及通过由自动导引车辆控制器分派的自动导引车辆来降低所述第一制作工具附近的污染物浓度。
[0006]本专利技术实施例提供一种空气传播污染物管理的方法，包括：将晶片定位在制作工具中；检测污染物的高于第一阈值的峰值浓度水平；预计所述制作工具是所述污染物的来源；停止向所述制作工具输送另外的晶片；通过所述制作工具完成对所述晶片的处理；从所述制作工具移除所述晶片；通过修复所述制作工具来降低所述峰值浓度水平；以及当所述制作工具被修复且所述峰值浓度水平低于基线阈值时，恢复向所述制作工具输送所述另外的晶片，所述基线阈值低于所述第一阈值。
附图说明
[0007]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0008]图1A到图1D是根据本公开实施例的污染物管理系统的视图。
[0009]图2A到图2H是根据本公开各个方面的污染物管理工艺的视图。
[0010]图3A到图3B是示出根据本公开各个方面的对晶片进行处理的方法的流程图。
[0011]图4A到图4B是示出根据本公开各个方面的污染物来源预计工艺的视图。
具体实施方式
[0012]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，在以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且还可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0013]此外，为易于说明，本文中可使用例如“位于
…
之下(beneath)”、“位于
…
下方(below)”“下部的(lower)”、“位于
…
上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述如图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向以外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。
[0014]为了易于说明，本文中可使用例如“约”、“大致”、“实质上”等用语。此项技术中具有通常知识者将能够理解并推导出此些用语的含义。举例来说，“约”可指示20％、10％、5％及类似值的尺寸的变化，但适当时也可使用其他值。例如半导体鳍的最长尺寸等大的特征可具有小于5％的变化，而例如界面层的厚度等非常小的特征可具有高达50％的变化，且两种类型的变化均可通过用语“约”来表示。“实质上”一般来说比“约”严格，使得10％、5％或更小变化可能是适当的，而并不限于此。“实质上是平坦的”特征可能相对于直线具有处于10％或小于10％内的偏差。具有“实质上恒定的浓度”的材料可沿着一个或多个维度具有处于5％或小于5％内的浓度变化。同样，此项技术中具有通常知识者将能够基于行业知识、当前制作技术等来理解并推导出此些用语的适当含义。
[0015]半导体制作一般来说涉及通过实行材料层的多次沉积、刻蚀、退火和/或植入来形成电子电路，由此形成包括许多半导体器件及半导体器件之间的内连线的堆叠结构。尺寸按比例缩放(缩小)是一种用于在相同面积内装配更大数目的半导体器件的技术。然而，在先进技术节点中，尺寸按比例缩放越来越困难。随着尺寸的按比例缩小，清洁室污染物水平容差越来越严格，以确保足够的良率。
[0016]空气传播分子污染(airborne molecular contamination，AMC)在失控(out
‑
of
‑
control，OOC)及不符合规格(out
‑
of
‑
specification，OOS)事件中被过度表示。多种工具及
方法可用于检测清洁室中的污染物水平的增加，但一般来说在许多方面中是不够的。气相色谱质谱仪(gas chromatography mass spectrometer，GC
‑
MS)提供对大谱的污染物的在线全局监测，但一般来说是非常慢的，且可能每一处理区段处仅能够容置单个采样点。巡逻操作人员也可能携带或推动离线污染物采样器件，但这些器件可能仅检测污染物(例如酸、碱和/或氢氯氟烃(hydrochlorofluorocarbon，HCFC))的一小部分，且无法检测总挥发性有机化合物(total volatile organic compound，TVOC)。这样一来，对AMC的上升的检测及响应一般会以显著的延迟完成，此可增加OOC事件变成OOS事件的可能性，此可能导致在对引起AMC的上升的工具或工具附件进行识别、诊断及修复的同时停止生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空气传播污染物管理的方法，包括：通过对清洁室的环境进行采样来产生污染物分布图；通过将所述污染物分布图与第一数据库中的至少一个扩散图像进行比较来选择所述清洁室的第一制作工具；将所述第一制作工具的参数与第二数据库中的工艺效用信息进行比较；以及当所述参数与所述工艺效用信息一致时，采取以下措施中的至少一项措施：将清洁工具移动到与所述污染物分布图的污染物浓度相关联的位置；接通所述清洁工具的风扇；停止向所述第一制作工具的舱式运送；以及终止通过所述第一制作工具进行的生成。2.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述第一制作工具包括：选择所述至少一个扩散图像中的第一扩散图像；以及当所述第一制作工具的置信水平是与所述第一扩散图像相关联的所有制作工具的最高置信水平时，选择所述第一制作工具。3.根据权利要求1所述的方法，其中：当所述污染物分布图的峰值浓度水平高于第一阈值时，实行将所述清洁工具移动到所述位置；以及当所述峰值浓度水平高于第二阈值时，实行接通所述风扇，所述第二阈值高于所述第一阈值。4.根据权利要求3所述的方法，其中：当所述峰值浓度水平高于第三阈值时，实行停止所述舱式运送且终止所述生成，所述第三阈值高于所述第二阈值。5.一种空气传播污染物管理的方法，包括：通过利用采样系统对清洁室污染物进行采样来产生清洁室污染物数据；通过飞行时间质谱仪基于所述清洁室污染物数据产生第一图...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志明，庄子寿，于淳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：