用于形成SRAM存储单元结构的半导体器件和方法技术

本公开涉及用于形成SRAM存储单元结构的半导体器件和方法。一种装置包括存储单元。存储单元中的第一存储单元包括布置在第一掺杂区域中的第一写入端口和布置在第二掺杂区域中的第一读取端口。第一读取端口通过存储单元中的第二存储单元的第二写入端口与第一写入端口分开。端口分开。端口分开。

【技术实现步骤摘要】
用于形成SRAM存储单元结构的半导体器件和方法


[0001]本公开总体涉及用于形成SRAM存储单元结构的半导体器件和方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器是在基于半导体的集成电路上实现的电子数据存储设备，并且具有比其他类型的数据存储技术快得多的存取时间。例如，静态随机存取存储器(SRAM)通常用于集成电路。嵌入式SRAM在高速通信、图像处理和片上系统(SOC)应用中很受欢迎。可以在几纳秒内从SRAM单元读取位或将位写入SRAM单元，而旋转存储装置(如硬盘)的存取时间在毫秒范围内。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种用于存储的装置，包括：多个存储单元，至少包括第一存储单元和第二存储单元；第一写入端口，布置在所述第一存储单元的第一掺杂区域中；以及第一读取端口，布置在所述第一存储单元的第二掺杂区域中，所述第一读取端口通过所述第二存储单元的第二写入端口与所述第一写入端口分开。
[0004]根据本公开的另一实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一存储单元，包括：第一存储单位，包括形成在第一n加(NP)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于存储的装置，包括：多个存储单元，至少包括第一存储单元和第二存储单元；第一写入端口，布置在所述第一存储单元的第一掺杂区域中；以及第一读取端口，布置在所述第一存储单元的第二掺杂区域中，所述第一读取端口通过所述第二存储单元的第二写入端口与所述第一写入端口分开。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一存储单元和所述第二存储单元是位于同一列的相邻行中的存储单元。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二存储单元包括：布置在所述第二掺杂区域中的所述第二写入端口和第二读取端口。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二存储单元包括：布置在所述第一掺杂区域中的所述第二写入端口；以及布置在所述第二掺杂区域中的第二读取端口。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一写入端口包括n型晶体管，并且所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域是n加NP区域。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一写入端口包括p型晶体管，所述第一掺杂区域是p加PP区域，并且所述第二掺杂区域是NP区域。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一存储单元还包括布置在所述第一掺杂区域中的另一第一读取端...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原英弘，粘逸昕，廖宏仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：