半导体、电路结构及其相关方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体、电路结构及其相关方法。提供一种电路结构。所述电路结构可包含：第一裸片区域，其包含输出门；第二裸片区域，其包含电路及输入门；及裸片间互连件。所述输入门可包含晶体管。所述电路可连接在所述裸片间互连件与所述晶体管的栅极区之间。所述电路可包含PMOS晶体管及NMOS晶体管。所述PMOS晶体管的第一源极/漏极区可连接到所述NMOS晶体管的第一源极/漏极区及所述裸片间互连件。管的第一源极/漏极区及所述裸片间互连件。管的第一源极/漏极区及所述裸片间互连件。

【技术实现步骤摘要】
半导体、电路结构及其相关方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体、电路结构及其相关方法。

技术介绍

[0002]随着科技进步，可在集成电路(IC)中制造的电路元件的最小尺寸不断减小。因此，对于增加相同或更小尺寸的IC中的电路元件的数目的需求不断增加。
[0003]现有技术章节中论述的主题不应仅由于其在现有技术章节中提及而被假定为现有技术。类似地，现有技术章节中提及或与现有技术章节的主题相关联的问题不应被假定为先前已在现有技术中辨识。现有技术章节中的主题仅表示不同方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例涉及一种电路结构，其包括：第一裸片区域，其包括输出逻辑门；第二裸片区域，其包括电路及输入逻辑门；及裸片间互连件；其中所述输入逻辑门包括晶体管，其中所述电路连接在所述裸片间互连件与所述晶体管的栅极区之间；其中所述电路包括PMOS晶体管及NMOS晶体管，其中所述PMOS晶体管的第一源极/漏极区连接到所述NMOS晶体管的第一源极/漏极区及所述裸片间互连件。
[0005]本专利技术的实施例涉及一种方法，其包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路结构，其包括：第一裸片区域，其包括输出逻辑门；第二裸片区域，其包括电路及输入逻辑门；及裸片间互连件；其中所述输入逻辑门包括晶体管，其中所述电路连接在所述裸片间互连件与所述晶体管的栅极区之间；其中所述电路包括PMOS晶体管及NMOS晶体管，其中所述PMOS晶体管的第一源极/漏极区连接到所述NMOS晶体管的第一源极/漏极区及所述裸片间互连件。2.根据权利要求1所述的电路结构，其中所述PMOS晶体管的第二源极/漏极区连接到所述NMOS晶体管的第二源极/漏极区及所述晶体管的所述栅极区。3.根据权利要求1所述的电路结构，其中所述PMOS晶体管为第一PMOS晶体管且所述NMOS晶体管为第一NMOS晶体管，其中所述电路包括第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管，其中所述第二PMOS晶体管的第一源极/漏极区连接到所述第二NMOS晶体管的第一源极/漏极区及所述晶体管的所述栅极区。4.根据权利要求1所述的电路结构，其中所述裸片间互连件仅经由所述电路电连接到所述晶体管的所述栅极区。5.根据权利要求1所述的电路结构，其中所述第一裸片区域包括包括所述输出逻辑门的第一标准单元。6.一种方法，其包括：提供第一裸片，其包括输出逻辑门；提供第二裸片，其包括包括通过电路及输入逻辑门的复合电路，其中所述输入逻辑门包括晶体管，其中所述通过电路包括PMOS晶体管及NMOS晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡长芬，李绍宇，陈国基，林智鹏，王垂堂，陈卿芳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：