半导体封装和其形成方法技术

技术编号：34250775 阅读：19 留言：0更新日期：2022-07-24 11:29

一种半导体封装和其形成方法，半导体封装包括第一连接晶粒和第一晶粒堆叠，第一连接晶粒包括半导体基板和互连结构，第一晶粒堆叠设置于第一连接晶粒上且包括多个堆叠式晶粒，各个堆叠式晶粒包括半导体基板和包括第一连接接线的互连结构，第一连接接线电性连接至第一连接晶粒的互连结构。形成于第一连接晶粒的平面与各个堆叠式晶粒的平面之间的角度范围为约45

Semiconductor package and its forming method

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【技术实现步骤摘要】
半导体封装和其形成方法

[0001]本公开是关于半导体封装和其形成方法，且特别是关于包括水平堆叠的晶粒的垂直半导体封装。

技术介绍

[0002]归因于例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等各种电子元件的整合密度持续改进，半导体行业连续发展。通常而言，整合密度的改进来自最小特征尺寸的连续减小，最小特征尺寸的连续减小允许更多元件整合至给定区域中。
[0003]除了较小的电子元件外，对元件的封装的改进试图提供相较于先前封装占据较小面积的较小封装。用于半导体的封装类型的示例包括方型扁平封装(quad flat pack，QFP)、插针网格阵列(pin grid array，PGA)、球形网格阵列(ball grid array，BGA)、倒装晶片(flip chip，FC)、三维集成电路(three
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dimensional integrated circuit，3DIC)、晶圆层级封装(wafer level package，WLP)、层叠封装(package on package，PoP)、晶片上系统(System on Chip，SoC)或集成电路上系统(System on Integrated Circuit，SoIC)装置。通过将晶片置放于半导体晶圆层级上的晶片上方来制备这些三维装置中的一些装置(例如，3DIC、SoC、SoIC)。这些三维装置因为减少堆叠式晶片之间的互连长度而提供改良的整合密度和其他优势，诸如更快速度和较高带宽。然而，依然存在与三维装置相关的许多挑战。

技术实现思路
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：一第一连接晶粒，包括一半导体基板和一互连结构；及一第一晶粒堆叠，设置于该第一连接晶粒上且包括多个堆叠式晶粒，各该堆叠式晶粒包括一半导体基板和包括一第一连接接线的一互连结构，该第一连接接线电性连接至该第一连接晶粒的该互连结构，其中形成于该第一连接晶粒的一平面与各该堆叠式晶粒的一平面之间的一角度范围为约45
°
至约90
°
。2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该第一连接晶粒的该互连结构将该些堆叠式晶粒中的至少两者的该些第一连接接线直接电性连接至彼此。3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：该第一晶粒堆叠包括接合至该第一连接晶粒的一第一侧和相对的一第二侧；及该些第一连接接线暴露在该第一晶粒堆叠的该第一侧上。4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括一第二连接晶粒，该第二连接晶粒接合至该第一晶粒堆叠的该第二侧，该第二连接晶粒包括一半导体基板和一互连结构，其中该些堆叠式晶粒的该些互连结构各自包括一第二连接接线，该第二连接接线暴露于该第一晶粒堆叠的该第二侧上且电性连接至该第二连接晶粒的该互连结构。5.一种半导体封装，其特征在于，包括：一第一连接晶粒，包括一半导体基板和一互连结构；一第一晶粒堆叠，设置于该第一连接晶粒上且包括多个第一堆叠式晶粒，各该第一堆叠式晶粒包括一半导体基板和包括一第一连接接线的一互连结构，该第一连接接线电性连接至该第一连接晶粒的该互连结构；及一第二晶粒堆叠，设置于该第一连接晶粒上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张任远，赖佳平，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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