半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供了半导体结构。该半导体结构包括衬底和设置在衬底上方的堆叠结构。该堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与栅极构件。芯结构设置在堆叠结构中。该芯结构包括存储器层、沟道构件、接触构件和衬垫构件。该沟道构件设置在存储器层上。该接触构件设置在沟道构件上。该衬垫构件包围芯结构的一部分。本发明专利技术还提供了用于制造半导体结构的方法。提供了用于制造半导体结构的方法。提供了用于制造半导体结构的方法。

Semiconductor structure and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]铁电存储器作为能够高速运行的非易失性存储器而受到关注。铁电存储器是利用铁电材料的极化来存储数据的存储器。这种铁电材料的非限制性实例是硅酸铪(HfSiO
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)。然而，铁电材料可能对蚀刻工艺和用于形成铁电存储器的其他半导体工艺敏感。因此，需要改进用于形成铁电存储器的制造工艺。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：提供上面设置有堆叠结构的衬底，其中，所述堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与牺牲层；去除所述堆叠结构的部分以形成多个第一沟槽，以暴露所述绝缘层中的靠近所述衬底的一个绝缘层；在所述第一沟槽内共形地形成衬垫层；在所述衬垫层上方共形地形成存储器层；在所述存储器层上方共形地形成沟道层；在所述沟道层上方共形地形成覆盖层；在所述覆盖层上方沉积介电层以填充所述第一沟槽；去除所述牺牲层以在所述堆叠结构中形成多个开口；去除所述衬垫层的由所述开口暴露的部分；以及沉积第一导电材料以填充本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：提供上面设置有堆叠结构的衬底，其中，所述堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与牺牲层；去除所述堆叠结构的部分以形成多个第一沟槽，以暴露所述绝缘层中的靠近所述衬底的一个绝缘层；在所述第一沟槽内共形地形成衬垫层；在所述衬垫层上方共形地形成存储器层；在所述存储器层上方共形地形成沟道层；在所述沟道层上方共形地形成覆盖层；在所述覆盖层上方沉积介电层以填充所述第一沟槽；去除所述牺牲层以在所述堆叠结构中形成多个开口；去除所述衬垫层的由所述开口暴露的部分；以及沉积第一导电材料以填充所述开口。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层的蚀刻速率与所述牺牲层的蚀刻速率基本不同。3.根据权利要求1所述的方法，还包括在去除所述牺牲层之前在所述第一沟槽中的两个第一沟槽之间形成通孔，其中，所述第一沟槽中的所述两个第一沟槽相邻。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述通孔暴露所述交替堆叠的绝缘层与牺牲层的侧壁。5.根据权利要求3所述的方法，其中，去除所述牺牲层包括使用从所述通孔注入的蚀刻剂与所述牺牲层反应。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：江昱维，赖昇志，杨丰诚，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：