离子源、总成以及调整电弧室的角度或高度的方法技术

在本发明专利技术实施例中，一种存在于离子源中用于将电弧室支撑在基础板上的总成包括第一电弧支撑板、第一螺钉及第二螺钉。第一螺钉穿过第一电弧支撑板的臂中的平滑的贯穿孔并延伸到基础板中的孔中。第二(或可调整的)螺钉穿过第一电弧支撑板的臂中的带螺纹的贯穿孔且啮合基础板自身的上表面，并且可用于改变第一电弧支撑板相对于基础板的高度及角度。这种调整能力提高离子源的束品质。能力提高离子源的束品质。能力提高离子源的束品质。

【技术实现步骤摘要】
离子源、总成以及调整电弧室的角度或高度的方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种离子源、总成以及调整电弧室的角度或高度的方法。

技术介绍

[0002]离子植入是一种用于制造半导体器件的工艺。将各种原子植入到硅晶格会更改植入位置中晶格的导电性，从而允许制造晶体管的各个部件。离子植入机一般包括离子源、束线及工艺室。离子源产生离子。束线将离子组织成在离子质量、能量及种类方面具有高纯度的束。离子束然后用于照射工艺室中的衬底。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，一种用于离子植入机的离子源包括由电弧支撑板支撑的电弧室。所述电弧支撑板包括正面及延伸超过正面的至少一个臂。
[0004]根据本专利技术的实施例，一种用于支撑电弧室的总成包括：第一电弧支撑板、基础板、第一螺钉及第二螺钉。所述第一电弧支撑板包括至少一个臂，所述至少一个臂延伸超过正面且包含平滑的贯穿孔。所述基础板包括延伸到所述基础板的上表面中的孔。所述第一螺钉穿过所述平滑的贯穿孔并进入所述基础板的所述孔中。所述第二螺钉能够调整所述第一电弧支撑板与所述基础板之间的角度。
[0005]根据本专利技术的实施例，一种调整电弧室的角度或高度的方法，包括：调整对准螺钉，以改变对所述电弧室进行支撑的至少一个电弧支撑板相对于附装有所述电弧支撑板的基础板的角度或高度。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1是根据一些实施例的离子植入机的示意图，其中本公开的离子源可与离子植入机一起使用。
[0008]图2是根据一些实施例的离子源的示意图。
[0009]图3A是示出根据一些实施例的电弧室的示意图，所述电弧室具有与引出电极的狭缝对准的出口狭缝。
[0010]图3B是示出具有不与引出电极的狭缝对准的出口狭缝的电弧室的示意图。
[0011]图4是根据一些实施例的第一电弧支撑板的第一实施例的主视图。
[0012]图5是图4的第一电弧支撑板的俯视图。
[0013]图6是图4的第一电弧支撑板的侧视图。
[0014]图7是图4的第一电弧支撑板的透视图。
[0015]图8是根据一些实施例的第二电弧支撑板的第一实施例的主视图。
[0016]图9是图8的第二电弧支撑板的俯视图。
[0017]图10是图8的第二电弧支撑板的侧视图。
[0018]图11是图8的第二电弧支撑板的透视图。
[0019]图12是根据一些实施例的基础板的透视图。
[0020]图13是示出根据一些实施例的电弧支撑板与基础板啮合的透视图。
[0021]图14是示出根据一些实施例的离子源的各种组件的相对位置的分解图。
[0022]图15是根据一些实施例的第一电弧支撑板的第二实施例的透视图。
[0023]图16是根据一些实施例的第二电弧支撑板的第二实施例的透视图。
[0024]图17是根据一些实施例的基板的第二实施例的透视图。
[0025]图18是根据一些实施例的第一电弧支撑板的第三实施例的透视图。
[0026]图19是根据一些实施例的第二电弧支撑板的第三实施例的透视图。
[0027]图20是根据一些实施例的基板的第三实施例的透视图。
[0028]图21是示出根据一些实施例的用于调整电弧室的角度的方法的流程图。
具体实施方式
[0029]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0030]此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...之下(beneath)”、“在...下方(below)”、“下部的(lower)”、“在...上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性阐述语可同样相应地进行解释。
[0031]本申请的说明书及权利要求书中的数值应理解为包括当减少到相同数目的有效数字时相同的数值，以及与所述值相差小于本申请中阐述的用于确定值的传统测量技术类型的实验误差的数值。本文中阐述的所有范围都包括所述的端点。
[0032]图1是一般在真空环境中执行的离子植入机(未按比例绘制)100的示意图。根据本公开的各种实施例，离子植入机系统包括新的离子源110。离子源包括电弧室120。电弧室的一端包括：阴极122，具有位于其中的金属丝(filament)124；以及阳极126，位于电弧室的相对的端处。阴极及丝可由任何合适的材料(例如难熔金属或合金)制成。在特定实施例中，这种材料可包括铌、钼、钽、钨、铼、及合金及其组合。在特定实施例中，阴极及丝包含钨。
[0033]金属丝耦合到能够供应高电流的第一电源130。当被电流加热时，金属丝释放电子。当电子从丝撞击阴极时，阴极发射二次电子。源磁体132在电弧室内部产生磁场以限制电子。气体源134向电弧室供应掺杂气体(例如BF3或AsH3或GeF4或PH3)。然后在阴极与阳极
两端施加高电压以生成等离子体。然后，偏置的引出电极140可从经过电弧室的出口洞/狭缝128的等离子体提取离子。可对位于电弧室的与引出电极相对的另一端处的排斥器136进行偏置，以排斥离子并经过出口狭缝发送离子。引出电极自身包括供离子束150穿过的狭缝142。
[0034]所得的离子束150进入束线160。离子束首先穿过质量分析仪，在质量分析仪中离子束被聚焦并弯曲一角度，所述角度可介于例如70
°
到90
°
的范围内。电磁场可用于改变弯曲的半径，且因此基于离子的质荷(mass to charge，m/e)比选择将离开质量分析仪的离子种类。只有具有选定m/e比的所需离子才会离开质量分析仪。较轻的离子会撞击弯道的内壁，而较重的离子将会撞击弯道的外壁。可移动口或电磁透镜可用于将出口定位在所需离子的适当位置。以这种方式，仅从可能源自离子源的不同离子选择所需的离子。然后，选定的离子束被加速到所需的能量。其他元件(例如透镜、电极及过滤器)也可存在于束线中，以产生最终所需的离子束155。然后使用电磁场操纵离子束155以撞击本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于离子植入机的离子源，包括：电弧室，由电弧支撑板支撑；其中所述电弧支撑板包括正面及至少一个臂，所述至少一个臂延伸超过所述正面。2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述电弧支撑板具有位于所述电弧支撑板的相对的侧上的两个臂，所述正面位于所述两个臂之间。3.根据权利要求1所述的离子源，其中所述至少一个臂包含多个贯穿孔。4.根据权利要求3所述的离子源，其中所述多个贯穿孔中的至少一个贯穿孔位于超过所述正面的所述至少一个臂中。5.根据权利要求3所述的离子源，其中所述多个贯穿孔包括带螺纹的贯穿孔及平滑的贯穿孔。6.根据权利要求1所述的离子源，还包括具有所述正面的主要部分，其中所述主要部分包括位于所述至少一个臂上方的上端部及位于所述至少一个臂下方的下端部。7.一种用于支撑电弧室的总成，包括：第一电弧支撑板...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾柏棠，颜启恒，高泰坤，彭升泰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：