本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括具有第一栅极节距的第一组环绕式栅极(GAA)结构，第一组GAA结构包括具有第一源极/漏极宽度的第一组源极/漏极和具有第一间隔物宽度的第一组顶部间隔物，第一组顶部间隔物设置在第一组GAA结构的第一组...

本公开提出一种装置结构。装置结构包含结构、设置于结构上的第一保护层、设置于第一保护层上的缓冲层、设置于缓冲层的第一部分上的阻挡层、设置于阻挡层上方的重布线层、设置于阻挡层上和重布线层的侧面上的粘着层以及设置于缓冲层的第二部分上的第二保护...

一种半导体结构，包含从基板突出的半导体鳍片、与半导体鳍片相邻且大致上平行设置的介电鳍片、设置于半导体鳍片中的外延源极/漏极(S/D)部件、设置于外延S/D部件的侧壁与介电鳍片的侧壁之间的介电层、以及设置于介电层中的气隙。气隙。气隙。

一种半导体装置，包括基底；第一半导体通道，在基底的上方；以及第二半导体通道，在基底的上方，与第一半导体通道横向偏离。第一栅极结构与第二栅极结构分别在第一半导体通道与第二半导体通道的上方且分别横向地在第一半导体通道的周围与第二半导体通道的...

一种半导体结构的形成方法包含：提供具有多个源极/漏极电极与在多个源极/漏极电极上方的一第一介电层的结构；形成覆盖第一介电层的第一区域的第一蚀刻遮罩；对第一介电层执行第一蚀刻工艺，使得多个第一沟槽形成于多个源极/漏极电极上方；以具有不同于...

一种包含磁性随机存取存储器(MRAM)单元的半导体装置的制造方法。在上述半导体装置的制造方法中，由导电材料所制成的第一薄层被形成在基板上方。用于磁穿隧接面(MTJ)堆叠的第二薄层被形成在第一薄层上方。第三薄层形成在第二薄层上方。通过图案...

一种半导体装置，包括基板、位于基板上方且在第一横向方向上延伸的第一半导体鳍片、位于基板上方且在第一横向方向上延伸的多个半导体纳米片的第一垂直堆叠、以及位于第一半导体鳍片与第一垂直堆叠之间，且在第一横向方向上延伸的闲置鳍片。第一栅极结构围...

相同半导体基板上的不同种类的电子装置的晶体管，设置为具有不同晶体管特性以增加不同种类的电子装置的效能。可由多种半导体制造工艺如蚀刻、微影、工艺负载、遮罩或其他工艺，使鳍状物高度、浅源极/漏极高度、源极或漏极宽度及/或一或多种其他晶体管特...

本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包括半导体鳍片，半导体鳍片具有第一部分及第二部分，第一部分具有第一宽度，第二部分具有实质上小于第一宽度的第二宽度。第一部分具有第一表面，第二部分具有第二表面，并且第一及第二表面是由第三表面所连...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一通道区、第二通道区以及第一绝缘鳍片，第一绝缘鳍片插入在第一通道区与第二通道区之间。第一绝缘鳍片包括下部以及上部。下部包括填充材料。上部包括：第一介电层，在下部上，第一介电层为第一介电材料；第一...

本公开提出一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板，基板包含一半导体材料。半导体装置包括晶体管的导电通道，晶体管的导电通道设置在基板上方。导电通道及基板包含类似的半导体材料。半导体装置包括从导电通道的一端延伸出来的源极/漏极区。半...

一种半导体结构的制造方法，包括提供具有半导体基板的工件，半导体基板包括第一和第二电路区；形成在第一电路区中的第一有源区和在第二电路区上的第二有源区；形成在第一有源区上的具有第一栅极间距的第一栅极堆叠和在第二有源区上的具有第二栅极间距的第...

一种半导体处理工具的吸盘真空管线包含：第一部分，其穿过所述半导体处理工具的主泵管线的侧壁。所述吸盘真空管线包含：第二部分，其实质上平行于所述主泵管线的所述侧壁和所述主泵管线中的流动方向。所述第二部分的尺寸在所述第二部分的入口端与所述第二...

本发明公开了在半导体装置中形成双侧超级电源轨(dual

一种半导体结构的形成方法，包括提供一种半导体构件包括从一基底突出的一装置鳍部；在装置鳍部的上方形成一虚置栅极堆叠；在装置鳍部和虚置栅极堆叠的上方形成第一间隔物；在第一间隔物上方形成一第二间隔物；形成与第二间隔物相邻的一介电部件；以及用一...

结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。此结构包含第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸。此结构包含接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一半导...

本发明实施例涉及一种半导体器件制造系统及一种用于制造半导体器件的方法。所述半导体器件制造系统包括阀箱模块、控制器、净化气体源及至少一半导体制造工具。所述阀箱模块包含至少一杆及与所述至少一杆流体连通的第一气体管线。此外，所述第一气体管线包...

本发明实施例涉及在半导体制造设施中检测环境参数的方法。本发明实施例涉及一种半导体制造设施(FAB)。所述FAB包含数个处理工具。所述FAB还包含连接到所述处理工具的采样站。另外，所述FAB包含可拆卸地连接到所述采样站且包括计量模块的检测...

方法包括：形成第一钝化层；在第一钝化层上方形成金属焊盘；在金属焊盘上方形成具有平坦顶面的平坦化层；以及对平坦化层进行图案化以形成第一开口。金属焊盘的顶面通过第一开口露出。该方法还包括形成延伸至第一开口中的聚合物层，以及对聚合物层进行图案...

本发明实施例涉及用于半导体装置性能增益的无氟界面。半导体可以包括有源区、经形成在有源区中并在有源区上方延伸的外延源极/漏极、以及经形成在有源区的一部分上的第一介电层。半导体可以包括经形成在第一介电层中的第一金属栅极和第二金属栅极、经形成...