半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括基底；第一半导体通道，在基底的上方；以及第二半导体通道，在基底的上方，与第一半导体通道横向偏离。第一栅极结构与第二栅极结构分别在第一半导体通道与第二半导体通道的上方且分别横向地在第一半导体通道的周围与第二半导体通道的周围。非活性鳍状物在第一栅极结构与第二栅极结构之间。介电部件在非活性鳍状物的上方，介电部件不含空孔且包括多层介电材料，多层介电材料经由交互沉积与蚀刻的步骤而形成。互沉积与蚀刻的步骤而形成。互沉积与蚀刻的步骤而形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置及其形成方法，尤其涉及场效晶体管(field
‑
effect transistors；FETs)例如平面式场效晶体管、三维的鳍式场效晶体管(fin
‑
line FETs；FinFETs)或全绕式栅极(gate
‑
all
‑
around；GAA)装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业已经历了指数级成长。集成电路材料和设计的技术进步已经产生几世代的集成电路，其中每一世代都比先前世代具有更小、更复杂的电路。在集成电路发展过程中，功能密度(举例而言：每个芯片面积的互连装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造程序创建的最小构件(或线路))已减少。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本提供了益处。这种按比例缩小的工艺也增加处理和制造集成电路的复杂性。

技术实现思路

[0003]一实施例是关于一种半导体装置，其包括一基底。一第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一基底；一第一半导体通道，在该基底的上方；一第二半导体通道，在该基底的上方，与该第一半导体通道横向偏离；一第一栅极结构，在该第一半导体通道的上方且横向地在该第一半导体通道的周围；一第二栅极结构，在该第二半导体通道的上方且横向地在...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹易叡，潘冠廷，江国诚，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：