半导体装置结构制造方法及图纸

结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。此结构包含第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸。此结构包含接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一半导体层的一部分；层间介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分。此结构还包含第二介电部件，沿第一方向延伸，第二介电部件包括：第一介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分；及第二介电层，接触第一介电层和第一半导体层的一部分。体层的一部分。体层的一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件或线路)缩小。此元件尺寸微缩化的工艺提供增加生产效率与降低相关费用的优点。此元件尺寸微缩化也带来新的挑战。举例来说，已提出使用纳米线通道的晶体管，以实现增加的装置密度以及在装置中更大的载子移动率和驱动电流。随着装置尺寸缩减，需要持续改善加工及制造集成电路。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，提供半导体装置结构，半导体装置结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸；接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，包括：一第一介电部件，沿一第一方向延伸，该第一介电部件具有一第一侧和与该第一侧相对的一第二侧；一第一半导体层，设置相邻于该第一介电部件的该第一侧，该第一半导体层沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸；一接触蚀刻停止层，接触该第一介电部件和该第一半...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠霖，江国诚，朱熙甯，郑嵘健，王志豪，程冠伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：