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一种半导体装置,包括基底;第一半导体通道,在基底的上方;以及第二半导体通道,在基底的上方,与第一半导体通道横向偏离。第一栅极结构与第二栅极结构分别在第一半导体通道与第二半导体通道的上方且分别横向地在第一半导体通道的周围与第二半导体通道的周围...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体装置,包括基底;第一半导体通道,在基底的上方;以及第二半导体通道,在基底的上方,与第一半导体通道横向偏离。第一栅极结构与第二栅极结构分别在第一半导体通道与第二半导体通道的上方且分别横向地在第一半导体通道的周围与第二半导体通道的周围...