提供一种用于微影罩幕检查的方法及系统，特别是一种用于检查极紫外罩幕及用于此类罩幕的罩幕舱的方法及系统。极紫外罩幕检查工具检查自罩幕舱撷取的罩幕，该罩幕舱置放在位于罩幕检查工具外部的装载端口上。检查制程在选定时间段内执行。检查制程开始后，...

提供一种半导体封装及一种用于半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括重布线层、半导体管芯、多个导电连接件、多个虚设凸块及底部填充胶。半导体管芯设置在重布线层的顶表面上，且与重布线层电连接。多个导电连接件设置在半导体管芯与重布线层之间，且...

一种堆叠式半导体装置包括冷却结构以增加堆叠式半导体装置的冷却效率。冷却结构包括整合至堆叠式半导体装置中的各种类型的冷却元件，各种类型的冷却元件用以移除和/或耗散来自堆叠式半导体装置的晶片的热量。以此方式，冷却结构通过从堆叠式半导体装置移...

一种堆叠式半导体装置及其测试方法，控制电路包括在堆叠式半导体装置的第一晶片中。第一晶片还包括电性连接至控制电路的晶体管。晶体管用以由控制电路所控制以选择性地阻断晶片对晶片互连。以此方式，可选择性地阻断晶片对晶片互连以隔离堆叠式半导体装置...

一种单片三维集成电路装置及其设计布局的创建方法与系统，单片三维集成电路装置包括具有下层单元的下层及配置在下层上方的上层。上层具有通过预定横向空间分隔开的第一上层单元及第二上层单元。单片层间通孔从下层穿过预定的横向空间延伸，且单片层间通孔...

本发明的实施例提供了一种静电放电(ESD)电路及其操作方法。该静电放电电路包括ESD检测电路、钳位电路和ESD辅助电路。ESD检测电路耦合在第一和第二节点之间。第一节点具有第一电压。第二节点具有第二电压。钳位电路包括具有第一栅极、第一漏...

本公开涉及半导体封装中的模塑管芯及其形成方法。一种封装，包括：中介层，具有第一重新分布结构；第一管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被直接接合到第一重新分布结构的第一表面；第二管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被直接接...

一种形成堆叠晶圆结构的方法，包括将第一晶圆的正面接合至第二晶圆；自第一晶圆的背面对第一晶圆及第二晶圆执行多重修整制程，多重修整制程包含：自第一晶圆的背面执行第一修整步骤，以切割穿过第一晶圆的周边；在第二晶圆上执行第二修整步骤，以部分切割...

本发明的实施例提供了一种半导体器件以及操作硅环形调制器的方法。半导体器件包括：第一总线波导；第一硅环，光耦合到第一总线波导；备用硅环，光耦合到第一总线波导；第一加热器和第二加热器，被配置为分别加热第一硅环和备用硅环；第一开关，其中第一开...

提供了半导体器件及其制造方法，其中，形成第一再分布结构，将半导体器件接合至第一再分布结构，并且将半导体器件密封在密封剂中。第一开口形成在密封剂内，诸如沿着密封剂的拐角，以帮助减轻应力并减少裂纹。以帮助减轻应力并减少裂纹。以帮助减轻应力并...

一种集成电路结构及其制造方法，方法包含：形成在基板上方延伸的鳍结构；形成横跨鳍结构延伸的伪栅极结构，伪栅极结构中的每一者包含伪栅电极层及伪栅电极层上方的硬遮罩层；执行离子植入制程以对伪栅极结构的硬遮罩层进行掺杂；在执行离子植入制程以对伪...

本发明的实施例提供一种半导体结构和用于形成半导体结构的方法。半导体结构包含第一电极，第一电极包括第一部分、第二部分以及将第一部分连接到第二部分的片部分。铁电材料位于片部分上方。第二电极位于铁电材料上方。于片部分上方。第二电极位于铁电材料...

本公开总体涉及晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：栅极结构，位于衬底的沟道区域上；栅极掩模，位于栅极结构上，栅极掩模包括第一电介质材料和杂质，栅极掩模中的杂质的浓度沿着从栅极掩模的上部区域向栅极掩模的下部区...

本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括位于晶片上的第一多个管芯、位于所述第一多个管芯之上的第一重布线结构及与所述第一多个管芯相对地位于所述第一重布线结构上的第二多个管芯。所述第一重布线结构包括第一多个导电特征。所...

一种半导体器件包括：第一多个管芯，由包封体包封；中介层，位于所述第一多个管芯之上；内连线结构，位于所述中介层之上且电连接到所述中介层；以及多个导电焊盘，位于所述内连线结构的与所述中介层相对的表面上。所述中介层包括多个嵌置式无源组件。所述...

本文描述制造半导体装置的系统和方法。该方法包括在基板中的鳍片之间形成凹槽，且在鳍片上方且在凹槽中形成介电层。一旦介电层已形成，则在凹槽内的介电层上方形成底部种晶结构，且介电层沿着凹槽的侧壁经暴露。在由下而上的沉积制程中自底部种晶结构生长...

在一些实施例中，本公开涉及一种处理工具，其包括晶片卡盘，所述晶片卡盘设置在加热板腔室内且具有被配置成固持半导体晶片的上表面。加热元件设置在所述晶片卡盘内，且被配置成提高所述晶片卡盘的温度。马达耦合到所述晶片卡盘，且被配置成使所述晶片卡盘...

本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率...

一种电化学电镀设备与制程及制造半导体元件的方法，用于在晶圆上沉积导电材料的电化学电镀设备包括槽室。电镀液自槽室的底部提供至槽室中。多个开口穿过槽室的侧壁。流量调节器与多个开口中的每一者一起布置，配置以调节经由多个开口中的每一者流出的电镀...

本公开提供一种磁性装置结构。在一些实施例中，结构包括一或多个第一晶体管、设置在一或多个第一晶体管上方的磁性装置、围绕一或多个第一晶体管和磁性装置的多个侧面的多个磁性柱状物、设置在磁性装置上方，并且接触磁性柱状物的第一磁性层以及设置在一或...