存储单元及其制造方法、具有存储单元的半导体器件技术

本发明专利技术实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率小于存储元件层的热导率。顶部电极设置在存储元件层之上，其中存储元件层设置在顶部电极与第一缓冲层之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
存储单元及其制造方法、具有存储单元的半导体器件


[0001]本专利技术实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件及电子组件的尺寸缩小的发展使得将更多的器件及组件集成到给定的体积中成为可能，且实现各种半导体器件和/或电子组件的高整合密度。
[0003]快闪存储器是一种广泛使用的非易失性存储器类型。然而，预期快闪存储器会遇到按比例缩放的困难。因此，正在开发替代类型的非易失性存储器。相变存储器(phase change memory，PCM)是这些替代类型的非易失性存储器之中的一种。PCM是采用PCM的相位来表示数据单位的一种非易失性存储器类型。PCM具有快速的读取及写入时间、非破坏性读取及高的可按比例缩放性。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。所述存储元件层设置在所述底部电极之上。所述第一缓冲层插入在所述存储元件层与所述底部电极之间，其中所述第一缓冲层的热导率小于所述存储元件层的热导率。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，包括：底部电极；存储元件层，设置在所述底部电极之上；第一缓冲层，插入在所述存储元件层与所述底部电极之间，其中所述第一缓冲层的热导率小于所述存储元件层的热导率；以及顶部电极，设置在所述存储元件层之上，其中所述存储元件层设置在所述顶部电极与所述第一缓冲层之间。2.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：介电结构，在侧向上包绕所述底部电极，其中所述底部电极的表面与所述介电结构的表面实质上齐平，并且所述第一缓冲层上覆在所述底部电极的所述表面上。3.根据权利要求2所述的存储单元，其中所述第一缓冲层进一步在所述介电结构的所述表面之上延伸。4.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：第二缓冲层，插入在所述存储元件层与所述顶部电极之间，其中所述第二缓冲层的热导率小于所述存储元件层的所述热导率，且所述第二缓冲层的电阻率小于所述存储元件层的电阻率。5.根据权利要求4所述的存储单元，其中所述第二缓冲层的侧壁与所述第一缓冲层的侧壁、所述存储元件层的侧壁及所述顶部电极的侧壁实质上对齐。6.一种半导体器件，包括：第一内连线结构，设置在衬底上；存储单元，设置在所述第一内连线结构上，其中所述存储单元包括：底部电极，电耦合到所述第一内连线结构；存储层，设置在所述底部电极之上；第一热绝缘层，插入在所述存储层与所述底部电极之间，其中所述第一热绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：林毓超，陈佑升，卡罗斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：