形成半导体器件的方法包括：形成蚀刻掩模，其包括在目标层上方形成底部抗反射涂层；在底部抗反射涂层上方形成无机中间层；以及在无机中间层上方形成图案化光刻胶。将图案化光刻胶的图案转移至无机中间层和底部抗反射涂层中以分别形成图案化无机中间层和图...

一种集成电路装置及其制造方法及位元单元阵列，集成电路(integrated circuit，IC)装置包括晶体管及可程序化结构区域。晶体管区域包括用以接收参考电压的源极结构、漏极结构的第一部分、及在源极结构与漏极结构的第一部分之间定位并...

一种晶圆台的操作方法，包含将晶圆台移动到微影腔室的桌体上的第一站；将晶圆放置在晶圆台的顶面上；从第一激光发射器向晶圆台的第一侧壁上的第一分光镜发射第一激光，其中第一激光的第一部分被第一分光镜反射以形成第一反射激光，而第一激光的第二部分穿...

公开了改善的导电接触件、形成导电接触件的方法以及包括导电接触件的半导体器件。在实施例中，半导体器件包括晶体管结构上方的第一层间介电(ILD)层；延伸穿过第一ILD层的第一接触件，第一接触件与晶体管结构的第一源极/漏极区电耦合，第一接触件...

一种半导体元件及其制造方法，方法包含形成第一多层互连结构在载体基板上方。沉积第一层间介电质层在第一多层互连结构上。形成第一源极/漏极接触在第一层间介电质层中。在形成第一源极/漏极接触之后，形成半导体层在第一源极/漏极接触和第一层间介电质...

提供了封装结构和制造方法，由此在晶圆的背侧处提供接合介电材料层，在邻接的晶圆的前侧处提供接合介电材料层，并且其中，接合介电材料层彼此熔合接合。本申请的实施例还涉及封装组件、封装件及其制造方法。封装件及其制造方法。封装件及其制造方法。

在实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：在源极/漏极区和栅极掩模上沉积保护层，栅极掩模设置在栅极结构上，栅极结构设置在衬底的沟道区上，沟道区邻接源极/漏极区；蚀刻穿过保护层的开口，开口暴露该源极/漏极区；在开口中和在保护层上沉积金属；...

一种半导体封装、元件、及形成方法，半导体元件包括封装基板及接合至封装基板上的第一晶粒组。第一晶粒组的特征在于第一厚度。半导体元件亦具有接合至封装基板的第二晶粒组。第二晶粒组的特征在于第二厚度。半导体元件进一步包括设置在第一晶粒组上的载体...

本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括位于衬底上的第一导电图案、位于该第一导电图案之上的第二导电图案以及位于该第一导电图案之上的第三导电图案，这些导电图案全部沿第一方向延伸。该第一导电图案与该第二导电图案和该第...

提供了一种极紫外光罩和形成极紫外光罩的方法，极紫外光罩包括基板、位于基板上的反射多层堆叠及位于反射多层堆叠上的覆盖层。在反射多层堆叠上形成覆盖层之前，对反射多层堆叠进行处理。通过离子辅助离子束沉积或离子辅助溅射制程形成覆盖层。助溅射制程...

提供一种形成半导体元件的方法。提供形成半导体元件的方法。方法包含在目标层之上涂覆光阻膜；进行微影制程以将光阻膜图案化成光阻层；对光阻层进行方向性离子轰击制程，使得光阻层中的碳原子浓度增加；使用光阻层为刻蚀遮罩，刻蚀目标层。透过此方法可以...

本公开提供一种控制电路、存储器系统及控制方法。控制电路用以控制存储器阵列的多个存储单元。控制电路包括程式化控制器。程式化控制器经组态以根据数据型态的第一比特的容许误差，程式化存储单元的第一电气特性分布以及第二电气特性分布。其中第一电气特...

公开了一种形成半导体结构的方法，包括形成重建封装衬底，包括将多个衬底块放置在载体上方；将所述多个衬底块密封在密封剂中；平坦化所述密封剂和所述多个衬底块以暴露位于所述多个衬底块中的再分布线；以及形成与所述多个衬底块和密封剂重叠的再分布结构...

根据本发明的方法包括：接收工件，包括：第一栅极结构，在第一栅极结构上包括第一覆盖层；第一源极/漏极触点，邻接第一栅极结构；第二栅极结构，在第二栅极结构上包括第二覆盖层；第二源极/漏极触点；ESL，位于第一源极/漏极触点和第二源极/漏极触...

公开了用于在栅电极的部分之间形成栅极隔离结构的改进方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在衬底上方形成沟道结构；形成在平行于沟道结构的方向上延伸的第一隔离结构；在沟道结构和第一隔离结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构上...

本文描述的一些实施方式提供了一种扫描仪控制系统及其操作方法，其中扫描仪控制系统为曝光配方产生扫描仪路线，使得曝光工具的基板台沿着扫描仪路线行进的距离被减少和/或优化用于半导体基板上的非曝光场。在这种方式下，扫描仪控制系统提高了曝光工具的...

一种纳米片的氟掺入方法，包括以下步骤：在基板上形成多个纳米结构；蚀刻该些纳米结构以形成凹槽；在凹槽中形成源极/漏极区域；移除该些纳米结构的第一纳米结构，留下该些纳米结构的第二纳米结构；在第二纳米结构上方及周围沉积栅极介电层；在栅极介电层...

本发明实施例提供一种用于气体流向控制的悬臂配置为支持关联的蚀刻工艺腔室中的电极收容盆。悬臂可以具有圆形、椭圆形或翼型形的横截面。悬臂的形状引起在腔室内且在悬臂周围的气体及蚀刻产物的流动，减少了晶片边缘的周围的紊流。周围的紊流。周围的紊流。

一种包括与OHT系统通信的控制器的用于自动化物料运输系统(AMHS)的高架运输(OHT)系统的轨道管控的系统和方法，包括在OHT的轨道上行驶的载具。轨道管理系统还包括一个转盘，位于OHT的一部分上，并且配备了一套固定的轨道。在收到将转盘...

一种集成电路装置、产生其布局图的方法与其制造方法。集成电路(IC)装置包括基板及位于基板上方的单元。单元包括至少一个主动区及在至少一个主动区上延伸的至少一个栅极区。单元进一步包括至少一个输入/输出(IO)图案，IO图案用以将至少一个主动...