本发明涉及光学器件及其形成方法。在一些实施例中，本公开涉及一种具有布置在衬底上方的第一波导和第二波导的器件。第一波导具有第一输入端子和第一输出端子，其中第一输入端子配置成接收光。第二波导横向布置在第一波导旁边，且具有第二输入端子和第二输...

一种集成电路元件与集成电路元件的制造方法，集成电路元件包含散热器、散热器上方的电子组件、电子组件上方的光学组件、光学组件上方的多层结构、以及多层结构上方的重分布结构。多层结构包含光学耦合到光学组件的波导。重分布结构通过穿过光学组件与多层...

通过用高反射率膜层涂覆对准标记来增加低反射率对准标记的反射率。这提高了光信号的强度并减少了光信号的变化。强度并减少了光信号的变化。强度并减少了光信号的变化。

本公开的各种实施例涉及一种存储器件。存储器件具有：第一晶体管，具有第一源极/漏极区及第二源极/漏极区，其中第一源极/漏极区及第二源极/漏极区设置在半导体衬底中。介电结构设置在半导体衬底之上。第一存储单元设置在介电结构中及半导体衬底之上，...

本公开的各种实施例涉及一种包括波导的半导体结构。波导具有输入区域和输出区域。输入区域配置成接收光。波导包括含有第一掺杂类型的下部掺杂结构和设置于下部掺杂结构内的多个掺杂柱结构。掺杂柱结构包括与第一掺杂类型相对的第二掺杂类型。掺杂柱结构从...

一种记忆体装置及其操作该记忆体装置的方法，记忆体装置包括多个记忆体阵列和控制器其具有多个缓冲器，这些缓冲器包括连接到第一记忆体阵列的第一缓冲器和连接到第二记忆体阵列的第二缓冲器，第一和第二记忆体阵列设置在控制器的相对两侧。记忆体装置可包...

一种影像处理方法、非暂态计算机可读取媒体及影像处理系统，影像处理方法包含以下的操作：取得晶圆的缺陷影像；处理缺陷影像，并产生重建影像；以及当重建影像包含至少一个物件图案时，输出重建影像。物件图案对应于晶圆的一部分。部分。部分。

本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法，包括：形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍。半导体鳍与半导体条重叠，并且半导体条接触隔离区域。该方法还包括：在半导体鳍的第一部分的侧壁和顶表面上形成栅极堆叠；以及蚀刻半导体鳍和半导体条以形成...

在制造半导体装置的方法中，底层结构包括形成栅极电极以及源极/漏极磊晶层。一个或多个层形成于底层结构之上，且一个或多个硬质遮罩层形成于一个或多个层之上。一个或多个第一抗蚀层形成于硬质遮罩层之上，且第一光阻图案形成于一个或多个第一抗蚀层之上...

形成半导体器件的方法包括：在目标层上方沉积第一掩模；在第一掩模上方形成第一芯轴和第二芯轴；在第一芯轴上形成第一间隔件并且在第二芯轴上形成第二间隔件；以及选择性去除第二间隔件同时掩蔽第一间隔件。掩蔽第一间隔件包括用第二掩模和第二掩模上方的...

一种晶片边缘修整装置，包含由腔室壳体定义的处理腔室。处理腔室内具有配置成固持晶片结构的晶片夹盘。此外，刀片配置在晶片夹盘的边缘附近，且配置成移除晶片结构的边缘部分并定义晶片结构的新侧壁。激光传感器装置配置成将受引导的激光束朝向晶片夹盘的...

本揭露包含一种组成物以及用于制造半导体装置的方法。此种用于制造一半导体装置的方法包括步骤如下。形成包括一抗蚀剂组成物的一抗蚀剂层至一基板之上，以及对抗蚀剂层进行图案化。抗蚀剂组成物包括一金属、一配位体及一溶剂。溶剂是具有至少0.75千帕...

本揭示描述了一种记忆体装置及用以制造记忆体装置的方法。记忆体装置包括第一记忆体阵列，该第一记忆体阵列包括：多个记忆体串，该多个记忆体串沿着第一侧向方向及第二侧向方向彼此间隔开，记忆体串中的每一者包括沿着垂直方向配置的多个记忆体单元；以及...

本申请涉及纳米片场效应晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件，包括：鳍，突出得高于衬底；源极/漏极区域，位于鳍之上；纳米片，位于源极/漏极区域之间；以及栅极结构，位于鳍之上并且在源极/漏极区域之间，该栅极结构包括：栅极电介质材料，位于纳...

一种半导体元件及其形成方法，在一实施方式中，一种半导体元件包括在基板上的第一介电层及在记忆体阵列的记忆体单元中的第一存取晶体管及第二存取晶体管，第一存取晶体管及第二存取晶体管各自包括：底部电极，在第一介电层中；导电栅极，在第二介电层中，...

一像像素感测器、像素阵列及其方法，素感测器可包括延伸一基板的完全高度的一深沟渠隔离结构，该像素感测器的一光电二极管包括于该基板中。以一非正交角进入该像素感测器的入射光沿着该基板的完全高度由该深沟渠隔离结构吸收或反射。以此方式，该深沟渠隔...

一种制造半导体装置的方法，包括形成保护层在具有多个突起和凹槽的基板上方。保护层包括聚合物成分，其包括具有重复单元的聚合物，重复单元是一或多个:其中a、b、c、d、e、f、g、h和i各自是H、

本揭示描述了一种一体式的三维集成电路及其形成的方法。一体式的三维集成电路包括具有第一单元的第一单元层，第一单元具有一体式的三维集成电路的第一主动组件。具有第二单元的第二单元层，第二单元包括第二主动组件。第二单元层垂直形成在第一单元层之上...

一种集成电路及其制造方法及用于集成电路的传输栅极，制造集成电路的方法包括以下步骤。在绝缘光罩中蚀刻开口，以曝露集成电路背面上的第一虚拟触点。将导电材料沉积至开口，该导电材料接触第一虚拟触点的侧壁。使导电材料凹陷，以曝露第一虚拟触点的末端...

描述一种半导体元件结构。在一个实施例中，提供一种半导体元件结构。此半导体元件结构包括第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域，及安置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间的栅极堆叠。此半导体元件结构亦包括安置在第一源极/漏极区域下方...