记忆体装置及用以制造记忆体装置的方法制造方法及图纸

本揭示描述了一种记忆体装置及用以制造记忆体装置的方法。记忆体装置包括第一记忆体阵列，该第一记忆体阵列包括：多个记忆体串，该多个记忆体串沿着第一侧向方向及第二侧向方向彼此间隔开，记忆体串中的每一者包括沿着垂直方向配置的多个记忆体单元；以及多个第一导电结构，该多个第一导电结构沿着垂直方向延伸；其中多个第一导电结构中的每一者包括第一部分及第二部分。第一部分沿着垂直方向延伸以跨越多个记忆体串中的对应对的多个记忆体单元，并且第二部分沿着垂直方向安置在第一部分之上；并且其中第二部分沿着第一侧向方向或第二侧向方向中的至少一者延伸超出第一部分。二侧向方向中的至少一者延伸超出第一部分。二侧向方向中的至少一者延伸超出第一部分。

【技术实现步骤摘要】
记忆体装置及用以制造记忆体装置的方法


[0001]本揭露关于一种记忆体装置及用以制造记忆体装置的方法。

技术介绍

[0002]诸如计算机、可携式装置、智能手机、物联网(internet of thing,IoT)装置等等的电子装置的研发已对记忆体装置提出日益增长的需求。一般而言，记忆体装置可以为挥发性记忆体装置及非挥发性记忆体装置。挥发性记忆体装置可在提供功率时储存数据，但是一旦断开功率可能会丢失所储存数据。不同于挥发性记忆体装置，非挥发性记忆体装置可以甚至在断开功率之后保持数据，但是可能比挥发性记忆体装置慢。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例中，一种记忆体装置包括第一记忆体阵列。第一记忆体阵列包括多个记忆体串及多个第一导电结构。记忆体串沿着第一侧向方向及第二侧向方向彼此间隔开。记忆体串中的每一者包括沿着垂直方向配置的多个记忆体单元。第一导电结构沿着垂直方向延伸。第一导电结构中的每一者包括第一部分及第二部分。第一部分沿着垂直方向延伸以跨越多个记忆体串中的一对应对的这些记忆体单元，并且第二部分沿着垂直方向安置在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆体装置，其特征在于，包含：一第一记忆体阵列，包含：多个记忆体串，所述多个记忆体串沿着一第一侧向方向及一第二侧向方向彼此间隔开，所述多个记忆体串中的每一者包含沿着一垂直方向配置的多个记忆体单元；以及多个第一导电结构，所述多个第一导电结构沿着该垂直方向延伸；其中所述多个第一导电结构中的每一者包含一第一部分及一第二部分；其中该第一部分沿着该垂直方向延伸以跨越所述多个记忆体串中的一对应对的所述多个记忆体单元，并且该第二部分沿着该垂直方向安置在该第一部分之上；并且其中该第二部分沿着该第一侧向方向或该第二侧向方向中的至少一者延伸超出该第一部分。2.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，该第二部分沿着该第一侧向方向延伸超出该第一部分。3.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，该第一部分沿着该第一侧向方向延伸超出该第二部分。4.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，该第二部分沿着该第一侧向方向及该第二侧向方向具有一基于矩形的形状。5.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，该第二部分沿着该第一侧向方向及该第二侧向方向具有一基于曲线的形状，其中该第二部分沿着该第一侧向方向或该第二侧向方向中的至少一者具有一最大宽度，该最大宽度大于该第一部分沿着该相同方向的一宽度。6.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，该第二部分沿着该第一侧向方向及该第二侧向方向中的另一者具有一第二最大宽度，该第二最大宽度小于该最大宽度。7.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，进一步包含：一第二记忆体阵列，该第二记忆体阵列安置在该第一记忆体阵列之上，该第二记忆体阵列包含：多个第二记忆体串，所述多个第二记忆体串沿着该第一侧向方向及该第二侧向方向彼此间隔开，所述多个第二记忆体串中的每一者包含沿着该垂直方向配置的多个第二记忆体单元；以及多个第二导电结构，所述多个第二导电结构沿着该垂直方向延伸；其中所述多个第二导电结构中的每一者包含一第三部分及一第四部分；其中该第三部分安置在所述多个第一导电结构中的一对应者的该第二部分之上，并且沿着该垂直方向延伸以跨越所述多个第二记忆体串中的一对应对的所述多个第二记忆体单元；其中该第四部分沿着该垂直方向安置在该第三部...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，吴雅惠，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：