集成电路元件与集成电路元件的制造方法技术

技术编号:34763540 阅读:17 留言:0更新日期:2022-08-31 19:07
一种集成电路元件与集成电路元件的制造方法,集成电路元件包含散热器、散热器上方的电子组件、电子组件上方的光学组件、光学组件上方的多层结构、以及多层结构上方的重分布结构。多层结构包含光学耦合到光学组件的波导。重分布结构通过穿过光学组件与多层结构的介层窗电性耦合到电子组件。层窗电性耦合到电子组件。层窗电性耦合到电子组件。

【技术实现步骤摘要】
集成电路元件与集成电路元件的制造方法


[0001]本揭露的实施方式是有关于一种集成电路元件与集成电路元件的制造方法。

技术介绍

[0002]由于各种组件(例如,光电元件、电子组件等)的整合密度不断提高,半导体产业已历经快速成长。为了适应半导体元件,亦称为集成电路(IC)元件的小型化,针对包含更多具有不同功能的不同组件的晶圆级封装开发了各种技术与应用。整合密度的增进允许将更多组件整合到给定区域中。
[0003]如此,半导体元件的制造包含在如此小且薄的半导体元件上的许多步骤与操作。因此,半导体元件的小型化制造变得更加复杂。此外,由于包含具不同材料的更多不同组件,导致因半导体元件的高功率密度而对热管理与散热效率有更高要求。

技术实现思路

[0004]在一些实施方式中,一种集成电路(IC)元件包含散热器;电子组件位于散热器上方;光学组件位于电子组件上方;多层结构位于光学组件上方,多层结构包含一波导光学耦合于光学组件;以及重分布结构位于多层结构上方,且经由光学组件与多层结构电性耦合于电子组件。
[0005]在一些实施方式中,一种集成电路(IC)元件包含至少一散热器;第一电子组件与第二电子组件位于至少一散热器上方;第一光学组件与第二光学组件对应位于第一电子组件与第二电子组件上方;第一晶粒电性耦合于第一电子组件或第一光学组件的至少一者;第二晶粒电性耦合于第二电子组件或第二光学组件的至少一者;模塑料;以及桥接波导位于模塑料上方,且光学耦合第一光学组件与第二光学组件。模塑料延伸围绕且嵌入至少一散热器、第一电子组件与第二电子组件、第一光学组件与第二光学组件、以及第一晶粒与第二晶粒中。
[0006]在依照一些实施方式的一种集成电路元件的制造方法中,将堆叠结构接合于可释放地附接于载体的散热器,堆叠结构包含电子集成电路(IC)与光子集成电路,其中电子集成电路接合于散热器。沉积模塑料于载体之上且围绕堆叠结构。在堆叠结构与模塑料上方依序沉积与图案化第一多层结构,以在第一多层结构中形成与光子集成电路光学耦合的第一波导。在第一多层结构上依序沉积与图案化重分布结构,重分布结构电性耦合到光子集成电路。将载体与散热器分离。
附图说明
[0007]从以下结合所附附图所做的详细描述,可对本揭露的态样有更佳的了解。应注意的是,根据业界的标准实务,各特征并未依比例绘示。事实上,为了使讨论更为清楚,各特征的尺寸都可任意地增加或缩减。
[0008]图1A是绘示依照一些实施方式的一种集成电路元件的剖面示意图;
[0009]图1B是绘示依照一些实施方式的一种集成电路元件的一区域的放大剖面示意图;
[0010]图1C至图1H是绘示依照一些实施方式在一或多个集成电路元件中的多种光耦合器的示意图;
[0011]图2A至图2C是绘示依照一些实施方式的与一或多个光纤光学连接的一或多个集成电路元件的剖面示意图;
[0012]图3A与图3B是绘示依照一些实施方式的各集成电路元件的剖面示意图;
[0013]图4A至图4C是绘示依照一些实施方式的与一或多个光纤光学连接的一或多个集成电路元件的剖面示意图;
[0014]图5是绘示依照一些实施方式的一种集成电路元件的剖面示意图;
[0015]图6是绘示依照一些实施方式的一种系统单晶圆(SoW)结构的上视示意图;
[0016]图7A至图7L是绘示依照一些实施方式的一种集成电路元件在制造制程中的数个阶段的剖面示意图;
[0017]图7M是绘示依照一些实施方式的一种集成电路元件在制造制程中的一阶段的剖面示意图;
[0018]图8A是绘示一种支撑结构的剖面示意图,图8B是绘示依照一些实施方式的一种位于支撑结构上的集成电路元件在制造制程期间的剖面示意图;
[0019]图9A是绘示一种支撑结构的剖面示意图,图9B是绘示依照一些实施方式的一种位于支撑结构上的集成电路元件在制造制程期间的剖面示意图;
[0020]图10是绘示依照一些实施方式的一种方法的流程图。
[0021]【符号说明】
[0022]100:集成电路元件
[0023]101:光学组件、光子集成电路
[0024]102:光学组件
[0025]103:第二钝化层、钝化层
[0026]104:第一钝化层、钝化层
[0027]105:导电垫
[0028]106:穿基材介层窗
[0029]107:波导
[0030]108:包覆层
[0031]109:核心层
[0032]110:包覆层
[0033]111:电子组件、电子集成电路
[0034]112:电子组件
[0035]113:钝化层
[0036]114:钝化层
[0037]115:导电垫
[0038]117:下表面
[0039]118:下表面
[0040]119:第一堆叠结构
[0041]120:第二堆叠结构
[0042]121:散热器
[0043]122:散热器
[0044]127:下表面
[0045]128:下表面
[0046]131:多层结构
[0047]132:多层结构
[0048]133:介层窗结构
[0049]135:包覆层
[0050]136:核心层
[0051]137:包覆层
[0052]141:晶粒
[0053]142:晶粒
[0054]143:钝化层
[0055]144:钝化层
[0056]145:导电垫
[0057]147:下表面
[0058]148:下表面
[0059]150:模塑料
[0060]151:模塑料部分
[0061]152:模塑料部分
[0062]153:模塑料部分
[0063]154:模塑料部分
[0064]155:模塑料部分
[0065]160:多层结构
[0066]161:光端口
[0067]163:介层窗结构
[0068]164:介层窗结构
[0069]165:区域
[0070]166:核心层
[0071]167:包覆层
[0072]170:重分布结构
[0073]171:介电层
[0074]172:导体
[0075]173:导体
[0076]174:焊料凸块
[0077]175:光耦合器
[0078]176:光栅
[0079]177:光
[0080]178:光
[0081]180:光耦合器
[0082]181:部分
[0083]182:部分
[0084]185:光耦合器
[0085]186:突出部
[0086]187:突出部
[0087]188:光
本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路元件,其特征在于,该集成电路元件包含:一散热器;一电子组件,位于该散热器上方;一光学组件,位于该电子组件上方;一多层结构,位于该光学组件上方,该多层结构包含一波导光学耦合于该光学组件;以及一重分布结构,位于该多层结构上方,且经由该光学组件与该多层结构电性耦合于该电子组件。2.如权利要求1所述的集成电路元件,其特征在于,该散热器对输入到该光学组件或从该光学组件输出的携带多个光信号的光是透明的。3.如权利要求1所述的集成电路元件,其特征在于,该散热器为一金属散热器,该金属散热器包含选自于由铜、铝、金、与银所组成的一族群的至少一者。4.如权利要求1所述的集成电路元件,其特征在于,该电子组件的一面积小于该光学组件的一面积,以及该集成电路元件还包含一填充材料与该电子组件相邻且介于该光学组件与该散热器之间。5.一种集成电路元件,其特征在于,该集成电路元件包含:至少一散热器;一第一电子组件与一第二电子组件,位于该至少一散热器上方;一第一光学组件与一第二光学组件,对应位于该第一电子组件与该第二电子组件上方;一第一晶粒,电性耦合于该第一电子组件或该第一光学组件的至少一者;一第二晶粒,电性耦合于该第二电子组件或该第二光学组件的至少一者;一模塑料,延伸围绕且嵌入该至少一散热器、该第一电子组件与该第二电子组件、该第一光学组件与该第二光学组件、以及该第一晶粒与该第二晶粒中;以及一桥接波导,位于该模塑料上方,且光学耦合该第一光学组件与该第二光学组件。6.如权利要求5所述的集成电路元件,其特征在于,该至少一散热器包含:一第一散热器,位于该第一电子组件下且与该第一电子组件接合;以及一第二散热器,位于该第二电子组件下且与该第二电子组件接合;且该第一晶粒与该第二晶粒介于一第一堆叠结构,包含该第一光学组件、该第一电子组件、以及该第一散热器;以及一第二堆叠结构,包含该第二光学组件、该第二电子组件、以及该第二散热器。7.如权利要求5所述的集成电路元件,其特征在于,该至少一散热器包含一公共散热器位于该第一电子组件、该第二电子组件、该第一晶粒、与该第二晶粒下,且与该第一电子组件、该第二电子组件、该第一晶粒、及该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈又豪李惠宇
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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