【技术实现步骤摘要】
电化学电镀设备与制程及制造半导体元件的方法
[0001]本揭露是关于一种电化学电镀设备与制程,特别是关于一种允许晶圆以水平平行方式在电镀表面处接触电镀液的电化学电镀设备与制程。
技术介绍
[0002]电化学电镀(Electrochemical plating;ECP)是一种常见的制造制程,此制程将一种金属的薄层施加到另一者上。电化学电镀广泛应用于电子工业中,以沉积用于印刷电路板、连接器及半导体互连的导电金属。
[0003]在ECP制程中使用电镀槽(例如,容器)来提供电镀液,金属电解质在其中沉积至晶圆上。在晶圆电镀处理中,晶圆上沉积金属层的品质与均匀性是一个主要问题。在ECP制程中,需要一种均匀、无缺陷的金属膜,因为沉积金属膜上诸如凹坑、突起或颗粒的缺陷会降低晶圆效能且经常降低良率。
技术实现思路
[0004]本揭露的一态样是提供一种电化学电镀设备,用于沉积导电材料在晶圆上,此电化学电镀包括槽室、穿过槽室的侧壁的多个开口及与多个开口中的每一者一起布置的流量调节器。自槽室的底部提供电镀液。流量调节器配置以 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电化学电镀设备,用于沉积一导电材料在一晶圆上,其特征在于,该电化学电镀设备包含:一槽室,一电镀液自该槽室的一底部提供至该槽室中;穿过该电池腔室的一侧壁的多个开口;及与该些开口中的每一者一起布置的一流量调节器,该流量调节器配置以调节经由该些开口中的该每一者流出的该电镀液的一溢流量。2.如权利要求1所述的电化学电镀设备,其特征在于,进一步包含一控制器,以控制该流量调节器,以使得经由该些开口流出的该电镀液的溢流量彼此实质上相等,其中该控制器使用在该流量调节器处量测的该电镀液的一差分流动速率作为一控制参数来控制该流量调节器。3.如权利要求1所述的电化学电镀设备,其特征在于,该流量调节器包括该电镀液通过的一可调节狭缝,其中该可调节狭缝的一狭缝宽度经控制以调节该电镀液的一溢流量。4.如权利要求3所述的电化学电镀设备,其特征在于,该可调节狭缝包括一可变光栏。5.如权利要求1所述的电化学电镀设备,其特征在于,进一步包含一反馈控制器,该反馈控制器配置以保持该电镀液的一径向均匀溢流。6.如权利要求1所述的电化学电镀设备,其特征在于,进一步包括一方向定位器,该方向定位器配置以将该电镀液引入至该槽室,以使得该电镀液垂直地导向该晶圆的该电镀表面的一中心。7...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯国隆,林明贤,吴宗晟,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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