半导体封装中的模塑管芯及其形成方法技术

本公开涉及半导体封装中的模塑管芯及其形成方法。一种封装，包括：中介层，具有第一重新分布结构；第一管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被直接接合到第一重新分布结构的第一表面；第二管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被直接接合到第一重新分布结构的第一表面；密封剂，围绕第一管芯和第二管芯；以及多个导电连接件，在第一重新分布结构的与第一管芯和第二管芯相反的第二侧上。二侧上。二侧上。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装中的模塑管芯及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体封装中的模塑管芯及其形成方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高源于最小特征尺寸的迭代减小，这允许将更多组件集成到给定区域。随着对缩小电子器件的需求不断增长，出现了对半导体管芯的更小且更具创意的封装技术的需求。这类封装系统的示例是层叠封装(Package
‑
on
‑
Package，PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高水平的集成和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(printed circuit board，PCB)上生产具有增强功能和小尺寸的半导体器件。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一方面，提供了一种半导体封装，包括：中介层，其中，所述中介层包括第一重新分布结构；第一管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被接合到所述第一重新分布结构的第一表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：中介层，其中，所述中介层包括第一重新分布结构；第一管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被接合到所述第一重新分布结构的第一表面；第二管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被接合到所述第一重新分布结构的第一表面；密封剂，围绕所述第一管芯和所述第二管芯；以及多个导电连接件，在所述第一重新分布结构的与所述第一管芯和所述第二管芯相反的第二侧上。2.根据权利要求1所述的封装，还包括：多个堆叠管芯，其中，所述多个堆叠管芯通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被直接接合到所述第一重新分布结构的第一表面。3.根据权利要求1所述的封装，其中，所述多个导电连接件实体接触所述第一重新分布结构的与所述第一重新分布结构的第一表面相反的第二表面。4.根据权利要求3所述的封装，还包括：无源器件管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被直接接合到所述第一重新分布结构的第二表面。5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述中介层还包括：第二重新分布结构；半导体衬底，在所述第一重新分布结构和所述第二重新分布结构之间；以及多个通孔，在所述半导体衬底中，其中，所述多个通孔将所述第一重新分布结构电连接到所述第二重新分布结构。6.根据权利要求5所述的封装，其中，所述多个导电连接件接触所述第二重新分布结构的与所述半导体衬底相反的第三表面。7.根据权利要求6所述的封装，还包括：无源器件管芯，通过电介质到电介质接合和金属到金属接合被直接接合到所述第二重新分布结构的第三表面。8.一种半导体封装，包括：多个第一电介质层，所述多个第一电介质层中的每个第一电介...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，陈宪伟，陈明发，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：