半导体结构制造技术

技术编号:34438970 阅读:74 留言:0更新日期:2022-08-06 16:25
本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括两个电路区域;两个内部密封圈,两个内部密封圈中的每一个围绕两个电路区域的一个;一外部密封圈,围绕两个内部密封圈,其中内部密封圈和外部密封圈中的每一个具有一大致上矩形的周边,大致上矩形的周边具有四个内角密封圈结构;四个第一冗余区域,在两个内部密封圈和外部密封圈之间,四个第一冗余区域中的每一个为一大致上梯形形状;以及多个第一虚拟图案,大致上均匀地分布于四个第一冗余区域。大致上均匀地分布于四个第一冗余区域。大致上均匀地分布于四个第一冗余区域。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本公开涉及一种半导体结构,尤其涉及一种半导体结构的密封圈的冗余区域中的虚拟图案。

技术介绍

[0002]在半导体技术中,通过各种制造步骤处理半导体晶片以形成集成电路(integrated circuits,IC)。通常,多个电路或集成电路裸晶(IC dies)形成在同一半导体晶片上。然后切割(diced)晶片以切掉形成在其上的电路。为了保护电路免受湿气降解(moisture degradation)、离子污染、和切割过程的影响,在每个集成电路裸晶周围形成了密封圈(seal ring)。密封圈是在包括电路的许多层的制造过程中形成的,包括前段(front

end

of

line,FEOL)处理和后段(back

end

of

line,BEOL)处理。前段处理包括在半导体基板上形成晶体管、电容、二极管及/或电阻。后段处理包括形成为前段处理的元件提供布线(routing)的金属层互连(metal layer interconnects)和通孔(vias)。
[0003]尽管现有的密封圈结构和制造方法通常已足以满足其预期目的,但仍需改进。举例来说,需要根据芯片架构(chip architecture)将某些密封圈形成为完全封闭或部分封闭。

技术实现思路

[0004]根据本公开一些实施例,提供一种半导体结构,包括两个电路区域、两个内部密封圈、一外部密封圈、四个第一冗余区域、以及多个第一虚拟图案。两个内部密封圈的每一个围绕两个电路区域的一个。外部密封圈围绕两个内部密封圈。内部密封圈和外部密封圈的每一个具有一大致上矩形的周边,大致上矩形的周边具有四个内角密封圈结构。四个第一冗余区域在两个内部密封圈和外部密封圈之间,四个第一冗余区域的每一个为大致上梯形形状。第一虚拟图案大致上均匀地分布在四个第一冗余区域中。
[0005]根据本公开另一些实施例,提供一种半导体结构,包括两个电路区域、两个内部密封圈、多个导体、一外部密封圈、多个第一冗余区域、以及多个第一虚拟图案。两个内部密封圈的每一个围绕两个电路区域的一个。两个内部密封圈具有多个开口。导体穿过开口,并连接两个电路区域。外部密封圈围绕两个内部密封圈和导体。内部密封圈和外部密封圈的每一个具有一大致上矩形的周边,大致上矩形的周边具有四个内角密封圈结构。第一冗余区域在内部密封圈和外部密封圈之间,第一冗余区域的每一个为一大致上等腰梯形形状,大致上等腰梯形形状的两个腿部的每一个为四个内角密封圈结构的一个的一边缘。第一虚拟图案大致上均匀地分布在第一冗余区域的每一个中。
[0006]根据本公开又另一些实施例,提供一种半导体结构,包括一第一内部密封圈、一外部密封圈、以及多个虚拟图案。第一内部密封圈具有一第一部分和垂直于第一部分的一第二部分。外部密封圈,围绕第一内部密封圈,外部密封圈具有一第三部分和垂直于第三部分的一第四部分。第三部分平行于第一部分,且第四部分平行于第二部分。虚拟图案大致上均
匀地分布在第一部分和第三部分之间的一第一区域中以及在第二部分和第四部分之间的一第二区域中。
附图说明
[0007]当结合附图阅读时,从以下详细描述可以最好地理解本公开。需要强调的是,根据业界标准实践,各种特征并非按比例绘制,且仅用于说明目的。事实上,为了讨论的清晰性,可以任意增加或减少各种特征的尺寸。
[0008]图1A和图1B是根据本公开的各方面的具有多个电路区域和多个密封圈的半导体结构的俯视图,其中(图1A)示出了冗余区域(redundant regions)中的虚拟图案(dummy patterns),而(图1B)没有示出了冗余区域中的虚拟图案。
[0009]图2是根据本公开的各方面的半导体结构的俯视图,其中内部密封圈(inner seal rings)被选择性地打开,并且互连(interconnects)被选择性地形成在电路区域之间。
[0010]图3是根据本公开的各方面的沿着图1A和图2的A切线(Cut

A)的图1A和图2所示的半导体结构的一部分的剖视图。
[0011]图4是根据本公开的各方面的沿着图1A和图2的B切线(Cut

B)的图1A和图2所示的半导体结构的一部分的剖视图。
[0012]图5是根据本公开的各方面的沿着电路区域之间的互连之一的图2所示的半导体结构的一部分的剖视图。
[0013]图6是根据本公开实施例的图1A和图2中的区域C所示的半导体结构的特写俯视图。
[0014]图7是根据本公开实施例图1A和图2所示的半导体结构的各个层的剖视图。
[0015]附图标记如下:
[0016]100:半导体结构
[0017]150:电路区域
[0018]170:组件隔离
[0019]180:切割道
[0020]202:基板
[0021]204:井
[0022]210:介电层
[0023]212a:子密封圈
[0024]212b:子密封圈
[0025]212c:子密封圈
[0026]212d:子密封圈
[0027]212e:外角结构
[0028]212f:内部线性结构
[0029]215:鳍层
[0030]218:导电特征
[0031]230:隔离结构
[0032]240:栅极层,栅极
[0033]242:栅极通孔层
[0034]251:金属层
[0035]252:通孔
[0036]260:保护层
[0037]261:沟槽
[0038]262:保护层
[0039]263:沟槽
[0040]264:铝垫
[0041]300:内部密封圈
[0042]310:角密封圈结构
[0043]350:外部密封圈
[0044]360:角密封圈结构
[0045]360

1:部分
[0046]360

2:部分
[0047]360

3:部分
[0048]360

4:部分
[0049]360

5:部分
[0050]400:冗余区域
[0051]400m:冗余区域
[0052]400s:冗余区域
[0053]410:虚拟图案
[0054]420:虚拟图案
[0055]500:开口
[0056]510:互连
[0057]C:区域
[0058]d1:宽度
[0059]M1:第一金属
[0060]M2:第二金属
[0061]M3:第三金属
[0062]M4:第四金属
[0063]M5:第五金属本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,包括:两个电路区域;两个内部密封圈,多个所述两个内部密封圈的每一个围绕多个所述两个电路区域的一个;一外部密封圈,围绕多个所述两个内部密封圈,其中多个所述内部密封圈和该外部密封圈的每一个具有一上矩形的周边,...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄善瑜锺孝文陈怡伦林晃生
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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