制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置制造方法及图纸

一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在形成该虚设栅极结构之后，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，当量测的鳍式结构的宽度超过预定阈值宽度值时，对经暴露的鳍式结构的该部分执行蚀刻制程，以减小鳍式结构的该部分的宽度。分的宽度。分的宽度。

【技术实现步骤摘要】
制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置
[0001]本申请是申请日为2017年09月14日、申请号为201710827374.4、专利技术名称为“制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术实施例是有关一种半导体装置；特别是关于一种具有减小宽度的鳍式场效晶体管；及关于一种具有减小宽度的鳍式场效晶体管的制备方法。

技术介绍

[0003]在半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业中，半导体集成电路材料及设计的技术进步已经产生了数代半导体集成电路，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在半导体集成电路发展的过程中，随着几何尺寸(即，使用制造制程可制造的最小元件(或线路))减小，功能密度(即，单位晶片面积的互连装置的数目)普遍地增加。这种缩小过程通常通过提高生产效率及降低额外成本而提供益处。这种缩小过程亦增大了半导体集成电路处理及制造的复杂性。
[0004]鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor，FinFET)为可被制造的一类半导体装置。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在一基板上形成一鳍式结构；形成包覆该鳍式结构的一虚设栅极结构；在形成该虚设栅极结构之后，量测该鳍式结构的一宽度；在该鳍式结构上方沉积一层间介电层；移除该虚设栅极结构以暴露该鳍式结构的一部分；以及当量测的该鳍式结构的该宽度超过一预定阈值宽度值时，对经暴露的该鳍式结构的该部分执行一蚀刻制程，以减小该鳍式结构的该部分的一宽度。2.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该虚设栅极结构是在量测该鳍式结构的该宽度之后被移除。3.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含：在形成该虚设栅极结构之后，量测该虚设栅极结构的宽度，若该虚设栅极结构的宽度低于该预定阈值宽度值，则决定不执行该蚀刻制程。4.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，当量测的该鳍式结构的该宽度小于该预定阈值宽度值时，不对经暴露的该鳍式结构的该部分执行该蚀刻制程。5.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，使用一干式蚀刻制程移除该虚设栅极结构，对经暴露的该鳍式结构的该部分执行的该蚀刻制程包含一湿式蚀刻制程，以及在该湿式蚀刻制程之前对经暴露的该鳍式结构的该部分执行一氧化制程。6.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，量测该鳍式结构的该宽度包含使用扫描电子显微镜或透射电子显微术进行量测。7.一种制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在一基板上形成一第一鳍式结构；在该基板上形成一第二鳍式结构，其中该第二鳍式结构包含不同于该第一鳍式结构的半导体材料；形成一虚设栅极结构，包覆该第一鳍式结构的一第一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯家馨，谢振宇，许哲源，吴明园，郑旭傑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：