制造集成电路器件的方法和集成电路器件技术

本发明专利技术实施例提供了一种集成电路器件，包括位于衬底上方的金属互连件内的介电结构。介电结构包括空腔。第一介电层提供空腔的腔顶。第二介电层提供空腔的底板。不同于第一介电层和第二介电层的材料提供空腔的侧边缘。在空腔的中心区域中，空腔具有恒定高度。可选择高度以在空腔之上和之下的部件之间提供低寄生电容。空腔的顶板可以是平坦的。可在顶板上方形成栅极电介质。当采用后段制程(BEOL)晶体管时，介电结构对于减少寄生电容特别有用。本发明专利技术实施例还提供了另一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法。集成电路器件的方法。集成电路器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
制造集成电路器件的方法和集成电路器件


[0001]本专利技术实施例涉及集成电路器件和制造集成电路器件的方法。

技术介绍

[0002]集成电路器件可包括数百万或数十亿个晶体管。晶体管被配置为用作开关和/或产生功率增益以便为集成芯片启用逻辑功能(例如，形成被配置为执行逻辑功能的处理器)。集成芯片可还包括大量无源器件，诸如电容器、电阻器、电感器、变容二极管等。无源器件广泛用于控制集成芯片特性，诸如增益、时间常数等。有源器件和无源器件可用于在大规模阵列中提供存储器。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施例提供了一种集成电路器件，包括：金属互连件，位于衬底上方；以及空腔，位于金属互连件内；其中，第一介电层提供空腔的腔顶；第二介电层提供空腔的底板；以及不同于第一介电层和第二介电层的材料提供空腔的侧边缘。
[0004]本专利技术的另一些实施例提供了一种集成电路器件，包括：金属互连件，位于衬底上方；晶体管，位于金属互连件内；介电结构，位于金属互连件内；空腔，位于介电结构内；其中，空腔具有顶板和底板；第一介电层提供顶板；第二介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：金属互连件，位于衬底上方；以及空腔，位于所述金属互连件内；其中，第一介电层提供所述空腔的腔顶；第二介电层提供所述空腔的底板；以及不同于所述第一介电层和所述第二介电层的材料提供所述空腔的侧边缘。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述材料是氧化物半导体。3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述氧化物半导体是用于金属线或金属通孔的衬垫。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述空腔具有大于所述第一介电层的厚度的高度。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述材料从所述第一介电层延伸至所述第二介电层。6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述材料是具有不同于所述第一介电层且不同于所述第二介电层的组分的第三电介质。7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述第三介电层的面积小于或等于所述第一介电层的面积的四分之一。8.一种集成电...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖理学，吴高铭，姜慧如，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：