半导体结构及其形成方法技术

本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含半导体基板以及位于有源装置上的内连结构。内连结构包含第一层、位于第一层上的第二层、位于第二层上的第三层以及位于第三层上的第四层。第一穿孔延伸穿过半导体基板、第一层以及第二层。第二穿孔延伸穿过第三层以及第四层，且第二穿孔的底面接触第一穿孔的顶面。的顶面。的顶面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体结构，尤其涉及半导体结构的穿孔及其形成方法。

技术介绍

[0002]由于许多电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的整合密度的不断改善，半导体产业正面临迅速的成长。大致上而言，整合密度的改善源自于最小特征尺寸的不断地缩减，这允许更多元件被整合进一个给定的区域。随着缩小电子装置的需求增加，更小半导体裸片(die)及其之更有创意的工艺技术的需求便浮现了。

技术实现思路

[0003]在一实施方式中，提供一种半导体结构，包含半导体基板，半导体基板具有第一侧以及相对于第一侧的第二侧；有源装置，位于半导体基板的第一侧；内连结构，位于半导体基板上，内连结构位于有源装置上，内连结构包含第一金属化层、位于第一金属化层上的第二金属化层、位于第二金属化层上的第三金属化层以及位于第三金属化层上的第四金属化层；第一穿孔，延伸穿过半导体基板，第一穿孔延伸穿过第一金属化层以及第二金属化层；以及第二穿孔，位于内连结构，第二穿孔延伸穿过第三金属化层以及第四金属化层，第二穿孔的底面接触第一穿孔的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含：一半导体基板，上述半导体基板具有一第一侧以及相对于上述第一侧的一第二侧；一有源装置，位于上述半导体基板的上述第一侧；一内连结构，位于上述半导体基板上，上述内连结构位于上述有源装置上，上述内连结构包含一第一金属化层、位于上述第一金属化层上的一第二金属化层、位于上述第二金属化层上的一第三金属化层以及位于上述第三金属化层上的一第四金属化层；一第一穿孔，延伸穿过上述半导体基板，上述第一穿孔延伸穿过上述第一金属化层以及上述第二金属化层；以及一第二穿孔，位于上述内连结构，上述第二穿孔延伸穿过上述第三金属化层以及上述第四金属化层，上述第二穿孔的一底面接触上述第一穿孔的一顶面。2.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包含位于上述内连结构的一第三穿孔，其中上述第二穿孔夹设于上述第一穿孔以及上述第三穿孔之间。3.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包含在上述第一金属化层以及上述第二金属化层之间的一第三金属化层，上述第一穿孔延伸穿过上述第三金属化层。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中上述第一穿孔的一上表面具有在0.2微米至3微米的一范围内的一第一宽度。5.一种半导体结构，包含：一晶体管，在一基板上；一第一介电层，在上述晶体管上；一第一金属化层，在上述第一介电层上；一第二金属化层，在上述第一金属化层上；一第一穿孔，延伸穿过上述第二金属化层、上述第一金属化层、上述第一介电层以及上述基板；一第三金属化层，在上述第二金属化层上；一第四金属化层，在上述第三金属化层上；一第二穿孔，延伸穿过上述第四金属化层以及上述第三金属化层，上述第二穿孔的一底面接触上述第一穿孔的一顶面；一重分配结构，在上述第四金属化层上，上述重分配结构包含一第一重分配层以及一第二重分配层；以及一第三穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧远洋，陈殿豪，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：