【技术实现步骤摘要】
记忆体装置及其制造方法
[0001]本公开是关于记忆体装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速成长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的一再缩小，从而允许更多的组件整合至给定面积中。
技术实现思路
[0003]根据本公开的一些实施例，一种制造记忆体装置的方法包括以下步骤。形成记忆体装置的第一部分，第一部分包括第一装置部分及一或多个第一接口部分。第一装置部分包括多个第一记忆体串，各个第一记忆体串包括彼此垂直分离的多个第一记忆体单元，且一或多个第一接口部分中的各者侧向邻接于第一装置部分的一侧，各个第一接口部分包括多个第一字元线。在第一装置部分中形成多个第一源极线及多个第一位元线。在形成多个源极线及位元线的同时，形成侧向封装第一装置部分及第一接口部分两者的第一密封环结构。
[0004]根据本公开的一些实施例，一种制造记忆体装置的方法包括以下步骤。形成第一记忆体装置，第一记忆体装置包括彼此垂直分离...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造记忆体装置的方法，其特征在于，包括：形成一记忆体装置的一第一部分，该第一部分包括一第一装置部分及一或多个第一接口部分，其中该第一装置部分包括多个第一记忆体串，各该第一记忆体串包括彼此垂直分离的多个第一记忆体单元，且其中侧向邻接于该第一装置部分的一侧的该或该些第一接口部分中的各者包括多个第一字元线；在该第一装置部分中形成多个第一源极线及多个第一位元线；及在形成该些第一源极线及该些第一位元线的同时，形成一第一密封环结构侧向封装该第一装置部分及该第一接口部分两者。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一密封环结构通过一金属间介电质材料与该记忆体装置的该第一部分侧向间隔开。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，同时形成该些第一源极线、该些第一位元线及该第一密封环结构进一步包括形成一第二密封环结构侧向封装该第一密封环结构。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二密封环由与该些第一源极线、该些第一位元线及该第一密封环结构相同的材料所形成。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成该记忆体装置的该第一部分之前，进一步包括：在一基板上方形成多个晶体管；及在该些晶体管上方形成多个金属化层级，其中该些金属化层级中的各者包括多个互连结构电性耦合至该些晶体管中的一或多者。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成该记忆体装置的该第一部分进一步包括：在该些金属化层级中的一最顶层上方形成一堆叠，该堆叠包括交替设置于彼此顶部上的多个绝缘层与多个牺牲层；图案化该堆叠的一部分，使该堆...
【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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