半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包含在基材上的通道区域上的栅极结构；邻接通道区域的源极/漏极区域；在源极/漏极区域的第一部分上的覆盖层；在源极/漏极区域的第二部分上的硅化物；以及通过硅化物电性连接至源极/漏极区域的源极/漏极接点。接点。接点。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本揭露是关于一种半导体装置，特别是关于一种具有覆盖层的半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体装置是用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数字相机及其他电子设备。半导体装置的制造一般是通过连续地沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层的材料在半导体基材上，并利用微影来图案化各种材料层，以形成于其上的电路组件及元件。
[0003]半导体工业通过最小特征尺寸的持续缩减而继续优化各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积体密度，其使得更多组件整合至给定区域中。

技术实现思路

[0004]本揭露的一态样是提供一种半导体装置，其包含在基材的通道区域上的栅极结构；邻接通道区域的源极/漏极区域；在源极/漏极区域的第一部分上的覆盖层；在源极/漏极区域的第二部分上的硅化物；以及通过硅化物电性连接至源极/漏极区域的源极/漏极接点。
[0005]在本技术的一实施例中，其中该覆盖层的一第一部分的一第一厚度大于该覆盖层的一第二部分的一第二厚度，且该覆盖层的该第一部分高于该覆盖层的该第二部分。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一栅极结构，在一基材的一通道区域上；一源极/漏极区域，邻接该通道区域；一覆盖层，在该源极/漏极区域的一第一部分上；一硅化物，在该源极/漏极区域的一第二部分上；以及一源极/漏极接点，通过该硅化物电性连接至该源极/漏极区域。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该覆盖层的一第一部分的一第一厚度大于该覆盖层的一第二部分的一第二厚度，且该覆盖层的该第一部分高于该覆盖层的该第二部分。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该覆盖层的该第一部分高于该源极/漏极区域最宽的部分。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该硅化物进一步设置在该覆盖层的一顶表面上。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该源极/漏极区域的一第一侧壁的一第一高度大于10nm，且该第一高度在该覆盖层的一最低点及该源极/漏极区域的一最底表面之间。6.一种半导体装置，其特征在于，包含：一纳米片；一栅极结构，包围该纳米片；一源极/漏极区域，与该纳米片的一侧壁相邻，其中该源极/漏极区域包含：一第一衬层；一主层，在该第一衬层上；及一覆盖层，在该第一衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志盛，张智强，游明华，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：