一种遮罩特征分析的方法及设备，遮罩特征分析的方法包含量测用于微影的反射或透射遮罩的干涉信号、以及基于干涉信号确定反射或透射遮罩的品质指标。一种遮罩特征分析的设备包含光源、光学光栅及光学侦测器阵列。光源经配置以用光照射反射或透射遮罩，由此...

一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一介电层、在第一介电层中的第一金属特征、在第一介电层上的至少一个蚀刻终止层，及在至少一个蚀刻终止层上的第二介电层。半导体结构进一步包括在第二介电层的侧壁及至少一个蚀刻终止层上的第一阻障子层、在...

本发明实施例公开用于硅光子(SiPh)结构的装置和方法，硅光子结构包括以下各项的集成：电子集成电路(EIC)；光子集成电路(PIC)，安置在电子集成电路的顶部上；两个或大于两个聚合物波导(PWG)，安置在光子集成电路的顶部上且由包覆聚合...

半导体器件可包括位于衬底的第一部分上的第一器件、位于衬底的第二部分上的第二器件及位于衬底的第三部分上的第三器件。第三器件可包括由作为用于第一器件及第二器件的牺牲氧化物层的氧化物层形成的氧化物层。第三器件可包括设置在氧化物层上的栅极、设置...

一种半导体晶片及其制造方法，半导体晶片包含：第一半导体元件以及第二半导体元件。第一半导体元件包含包含记忆元件的第一子阵列的第一元件部，以及在第一方向上邻设于第一元件部的第一接合部。第一接合部在垂直方向上具有楼梯状外形。第二半导体元件包含...

微机电系统(MEMS)包括：包含电子电路的电路衬底，具有凹槽的支撑衬底，设置在电路衬底和支撑衬底之间的接合层，穿过电路衬底至凹槽的贯穿孔，设置在电路衬底的前侧上的第一导电层，以及设置在凹槽的内壁上的第二导电层。第一导电层延伸至贯穿孔中，...

本说明书的一个方面涉及一种测试设备，包含：进阶程序控制监视器(APCM)，位于第一晶片中；多个衬垫，设置于进阶程序控制监视器上方且耦合到进阶程序控制监视器。多个衬垫位于第二晶片中。测试设备包含设置于第一晶片与第二晶片之间的测试单元。测试...

本揭示案有关于一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包括基材、半导体鳍部、浅沟槽隔离结构、气隙间隔物、以及栅极结构。半导体鳍部自基材向上延伸。浅沟槽隔离结构横向地环绕半导体鳍部的下部。气隙间隔物介于浅沟槽隔离结构与半导体鳍部之间。栅极结...

一种半导体处理系统包括第一光刻系统和第二光刻系统。半导体处理系统包括布局数据库，其存储表示要在晶圆中形成的特征的多个布局。半导体处理系统包括布局分析器，其分析布局并基于布局中特征的尺寸选择第一光刻系统或第二光刻系统。或第二光刻系统。或第...

本公开的各种实施例是针对一种化学机械抛光(CMP)系统，所述化学机械抛光(CMP)系统包括第一CMP头及第二CMP头。第一CMP头被配置成保持工件，且包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件。第二CMP头被配置成保持工件。第二CMP...

本发明实施例提供一种用于清洁光掩模的表面的清洁设备，包含：壳体，界定腔室；光掩模固持器，安置于腔室内；以及气体分配器，安置于腔室内以朝向光掩模固持器引导气体。气体分配器具有两个或大于两个气体分配出口。驱动器耦合到光掩模固持器或气体分配器...

本揭露提供一种基于随机电报信号(random telegraph signal，RTS)噪声模型的仿真方法、非暂时性计算机可读介质以及装置。一种装置可使用RTS噪声产生器产生仿真RTS噪声作为至包括在电子电路中的晶体管的输入。所述装置可...

一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括光组件及热控制机构。光组件包括第一主路径，第一主路径分裂成第一侧路径及第二侧路径，使得第一侧路径及第二侧路径彼此分开。热控制机构用以控制第一侧路径及第二侧路径两者的温度，其中第一热控制机构包括定...

本公开提供半导体结构的制造方法，包括提供具第一区域及第二区域的基板、形成自基板的第一区域突出的鳍片，其中鳍片包括第一硅锗层及设置于第一硅锗层上的多个硅层与多个第二硅锗层交替的堆叠，且第一硅锗层具有第一锗浓度而多个第二硅锗层中的每一者具大...

本揭露关于半导体装置及半导体结构的制造方法，提供用于双极

一种处理系统、半导体元件及其制造方法，方法包括在半导体基板上流动第一前驱物以形成磊晶区域，磊晶区域包括第一元素及第二元素；将第二前驱物转化为第一自由基及第一离子；将第一自由基与第一离子分离；以及在磊晶区域上流动第一自由基以从磊晶区域移除...

本公开涉及具有寄生沟道结构的半导体器件。本公开描述了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括在衬底上的纳米结构和与纳米结构接触的源极/漏极区。该半导体器件还包括栅极结构，该栅极结构包括第一部分和第二部分。第一部分形成在纳米结构中的每个...

本申请公开了互连结构及其形成方法。在一些实施例中，该方法包括在一个或多个器件之上形成第一电介质层，在第一电介质层中形成第一导电特征，以及在第一电介质层和第一导电特征之上形成两个电介质特征。两个电介质特征中的至少一个具有第一宽度，并且每个...

本公开提出了一种互连结构。在一些实施例中，互连结构包括设置于一或多个装置之上的一第一介电层、设置于第一介电层中的一第一导电特征、设置于第一介电层及第一导电特征之上的一第二介电层以及设置于第二介电层中的一第二导电特征。第二导电特征电性连接...

一种半导体装置结构，包括第一P型金属氧化物半导体场效晶体管(p