处理系统、半导体元件及其制造方法技术方案

一种处理系统、半导体元件及其制造方法，方法包括在半导体基板上流动第一前驱物以形成磊晶区域，磊晶区域包括第一元素及第二元素；将第二前驱物转化为第一自由基及第一离子；将第一自由基与第一离子分离；以及在磊晶区域上流动第一自由基以从磊晶区域移除至少一些第二元素。一些第二元素。一些第二元素。

【技术实现步骤摘要】
处理系统、半导体元件及其制造方法


[0001]本揭露是关于一种处理系统、一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体元件被使用在各种电子应用中，诸如个人计算机、电话、数字摄影机及其他电子设备。半导体元件通常通过以下操作制造：在半导体基板上依序沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层的材料，并且使用微影技术图案化各种材料层以在其上形成电路组件及元件。
[0003]半导体工业通过持续缩小最小特征尺寸来持续改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，以将更多组件整合到给定面积中。

技术实现思路

[0004]根据本揭露一实施方式，一种半导体元件的制造方法包括：在半导体基板上流动第一前驱物以形成磊晶区域，磊晶区域包括第一元素及第二元素；将第二前驱物转化为第一自由基及第一离子；将第一自由基与第一离子分离；以及在磊晶区域上流动第一自由基以从磊晶区域移除至少一些第二元素。
[0005]根据本揭露一实施方式，一种处理系统包括：反应腔室、前驱物递送系统的第一集合、第一磊晶沉积前驱物、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：在一半导体基板上流动多个第一前驱物以形成一磊晶区域，该磊晶区域包含一第一元素及一第二元素；将一第二前驱物转化为多个第一自由基及多个第一离子；分离该些第一自由基与该些第一离子；以及在该磊晶区域上流动该些第一自由基以从该磊晶区域移除至少一些该第二元素。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含在流动该些第一自由基之后，在该磊晶区域上流动多个第三前驱物。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包含在流动该些第三前驱物之后：将一第四前驱物转化为多个第二自由基及多个第二离子；分离该些第二自由基与该些第二离子；以及在该磊晶区域上流动该些第二自由基，其中该些第一前驱物及该些第三前驱物包含相同材料，并且其中该第二前驱物及该第四前驱物包含相同材料。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，流动该些第一前驱物及流动该些第一自由基为一第一循环的一部分，并且其中该方法进一步包含重复该第一循环使得一循环总数小于或等于5。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所有该些第一循环内所流动该些第一自由基的一总持续时间小于或等于约50秒。6.一种处理系统，其特征在于，包含：一反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威民，舒丽丽，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：