抛光系统及用于工件的化学机械抛光的方法技术方案

本公开的各种实施例是针对一种化学机械抛光(CMP)系统，所述化学机械抛光(CMP)系统包括第一CMP头及第二CMP头。第一CMP头被配置成保持工件，且包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件。第二CMP头被配置成保持工件。第二CMP头包括跨及第二压力控制板设置的多个第二压力元件。跨及第一压力控制板的所述多个第一压力元件的分布不同于跨及第二压力控制板的所述多个第二压力元件的分布。板的所述多个第二压力元件的分布。板的所述多个第二压力元件的分布。

【技术实现步骤摘要】
抛光系统及用于工件的化学机械抛光的方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种抛光系统及用于工件的化学机械抛光的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业已经历快速增长。IC材料及设计的技术进步已生产出几代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理及制造IC的复杂性，且为实现这些进步，IC处理及制造出现了发展。举例来说，已实施例如化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)工艺等平面化技术来对晶片或位于晶片之上的一层或多层特征进行平面化，以便减小晶片的厚度、从经处理表面移除过量的材料或为后续制造工艺准备经处理表面。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，一种化学机械抛光(CMP)系统包括：第一CMP头，被配置成保持工件，其中所述第一CMP头包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件；以及第二CMP头，被配置成保持所述工件，其中所述第二CMP头包括跨及第二压力控制板设置的多个第二压力元件，其中跨及所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光系统，包括：第一化学机械抛光头，被配置成保持工件，其中所述第一化学机械抛光头包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件；以及第二化学机械抛光头，被配置成保持所述工件，其中所述第二化学机械抛光头包括跨及第二压力控制板设置的多个第二压力元件，其中跨及所述第一压力控制板的所述多个第一压力元件的分布不同于跨及所述第二压力控制板的所述多个第二压力元件的分布。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中所述多个第一压力元件分别相对于彼此及相对于所述第一压力控制板的中心同心，其中所述多个第二压力元件分别相对于彼此及相对于所述第二压力控制板的中心同心。3.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中所述多个第一压力元件内的压力元件数目等于所述多个第二压力元件内的压力元件数目。4.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中所述第一压力控制板的直径等于所述第二压力控制板的直径。5.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中所述多个第一压力元件中的最内压力元件的直径小于所述多个第二压力元件中的最内压力元件的直径。6.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，进一步包括：第三化学机械抛光头，被配置成保持所述工件，其中所述第三化学机械抛光头包括跨及第三压力控制板设置的多个第三压力元件，其中跨及所述第三压力控制板的所述多个第三压力元件的分布不同于所述多个第一压力元件的所述分布及所述多个第二压力元件的所述分布。7.一种用于执行抛光工艺的抛光系统，包括：第一抛光设备，包括第一台板及第一化学机械抛光头，其中所述第一化学机械抛光头被配置成对工件的待抛光表面执行第一化学机械抛光工艺，其中所述第一化学机械抛光头包括多个第一同心压力元件及在侧向上包围所述多个第一同心压力元件的第一环形保持环；第二抛光设备，包括第二台板及第二化学机械抛光头，其中所述第二化学机械抛光头被配置成对所述工件的所述待抛光表面执行第二化学机械抛光工艺，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：林永隆，吴国铭，周正贤，陈奕男，陈升照，蔡正原，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：