一种半导体装置结构，包括第一源极/漏极外延结构，形成于基板上；第二源极/漏极外延结构，形成于基板上；两个或更多个半导体层，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间；栅极层，围绕半导体层之一的一部分；第一介电区，位于基板中并...

提供一种芯片封装结构，此芯片封装结构包括具有表面的布线基板。此芯片封装结构包括位于布线基板的表面上的芯片结构。此芯片封装结构包括位于布线基板的表面上的抗翘曲结构。抗翘曲结构围绕芯片结构。此芯片封装结构包括固定至布线基板的表面并邻近于抗翘...

本公开涉及多TIM封装及其形成方法。一种方法包括放置封装，该封装包括第一封装组件、第二封装组件以及将第一封装组件和第二封装组件密封在其中的密封剂。该方法还包括在第一封装组件上方附接第一热界面材料，在第二封装组件上方附接不同于第一热界面材...

本申请涉及用于薄膜型热界面的共面控制。一种方法包括：在封装组件之上接合第一封装和第二封装；分别在第一封装和第二封装之上粘附第一热界面材料(TIM)和第二TIM；在封装组件上配置粘合特征；以及将散热器布置在粘合特征之上并使散热器与粘合特征...

一种用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程，用于半导体微影制程的光罩包括基板、设置在基板上的光罩图案及围绕光罩图案的光吸收边界。光吸收边界自基板的至少两个边缘插入以界定光吸收边界之外的周围区域。在一些设计中，第一周围...

一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝...

一种集成电路，包括位于该集成电路的前侧的基板。第一全绕式栅极晶体管设置于该基板上。该第一全绕式栅极晶体管包括：包括至少一半导体纳米结构的通道区、配置于通道区两侧的源极/漏极区、以及栅极电极。浅沟槽隔离区自背侧延伸至集成电路。背侧栅极插塞...

本文所述的一些实施例提供一种晶体管及其制造方法。此方法包含形成晶体管的通道结构。此方法包含形成包含铝和碳的功函数材料在通道结构周围。形成功函数材料在通道结构周围包含施加化学浸泡液，其中化学浸泡液的材料包含铝、碳及氢基材料。功函数材料包含...

本申请公开了电源钳位。一种ESD电源钳位器件包括：ESD检测电路；控制电路，与ESD检测电路耦合；场效应晶体管(FET)，与控制电路耦合；以及阻抗元件，与FET耦合。该FET包括：漏极端子，与第一电源节点耦合；栅极端子，与控制电路耦合；...

一种形成半导体装置的方法包含执行第一原子层沉积(ALD)制程以在第一空白晶圆上方形成第一材料层，第一ALD制程包含：使用第一前驱物执行第一前驱物子循环；使用惰性气体执行第一净化子循环；以及使用第二前驱物及惰性气体执行第二前驱物子循环；以...

在此揭露制造半导体装置的方法与半导体制造工具。一些方法包含提供静电吸盘，并相邻于静电吸盘放置边缘环。此静电吸盘包含第一电极，以在静电吸盘上的第一距离产生鞘。边缘环包含线圈与第二电极，以产生电场控制，而维持在边缘环上的部分鞘与静电吸盘上的...

一种记忆体装置及记忆体阵列，记忆体装置包括晶体管及电连接至晶体管的电阻器。晶体管与电阻器形成第一一次可程序(OTP)记忆体单元。电阻器包括具有一电阻率的金属基层，用以自第一电阻状态不可逆地转换至第二电阻状态。自第一电阻状态不可逆地转换至...

本揭露描述一种半导体处理中的气体控制方法及系统。此方法包含提供第一设定来配置气体供应装置，以供应第一气体混合物给固持第一基材的基材载体。此方法还包含在第一基材完成制程操作之后，接收在第一基材上量测到的关键尺寸(CD)数据。此方法还包含因...

描述一种形成内连线结构的方法。在一些实施例中，方法包含形成罩幕结构于介电层上，而罩幕结构包含第一层、设于第一层上的第二层、及设于第二层上的第三层。方法还包含形成具有第一尺寸的第一开口于第一层中，以及形成多层结构于第一层上方。多层结构包含...

一种极紫外辐射源与半导体制程方法，本文中的一些实施包括侦测电路及快速且准确的联线方法，用于侦测极紫外曝光工具的液滴产生器头上的阻塞，而不影响经由液滴产生器头的靶材液滴的流动。在本文描述的一些实施中，侦测电路包括以开路组态组态的开关电路，...

一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包括基板上方的第一电路元件；在基板上方且与第一电路元件的侧面接触的填充材料；及在填充材料中且在第一电路元件的周边之外的抗凹陷结构。一些抗凹陷结构是基板上方的填充材料中制造的虚设结构。制造的虚设结构。...

提供了半导体结构及其制造方法。用于制造半导体结构的方法包括：在衬底上方形成栅极结构以及形成覆盖栅极结构的掩模层。该方法还包括：在衬底上方形成与栅极结构相邻的源极/漏极结构；以及在源极/漏极结构上方形成接触件。该方法还包括：在接触件和掩模...

提供了半导体结构及其制造方法。一种根据本发明的半导体结构包括晶体管和设置在该晶体管上方的互连结构。该互连结构包括：第一介电层；第一导电部件，位于第一介电层中；第一蚀刻停止层(ESL)，设置在第一介电层和第一导电部件上方；介电部件，设置在...

一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括...

提供了一种记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法，半导体装置其包括半导体基板和互连件结构。半导体基板包括晶体管，其中晶体管具有源极区域和漏极区域。互连件结构设置在半导体基板上方，其中互连件结构包括多个层间介电质层、第一导孔、和记忆...