记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了一种记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法，半导体装置其包括半导体基板和互连件结构。半导体基板包括晶体管，其中晶体管具有源极区域和漏极区域。互连件结构设置在半导体基板上方，其中互连件结构包括多个层间介电质层、第一导孔、和记忆体单元。多个层间介电质层在半导体基板上方。第一导孔嵌入在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层内，并且与晶体管的漏极区域电性连接。记忆体单元设置在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层上方，并且与第一导孔电性连接。并且与第一导孔电性连接。并且与第一导孔电性连接。

【技术实现步骤摘要】
记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法


[0001]本揭示内容是关于记忆体装置或半导体装置中互连件结构的配置，以及制造此记忆体装置或半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]一些集成电路制造制程包括与制造数据储存电路元件相关联的制造步骤。数据储存元件，例如动态随机存取记忆体(DRAM)、静态随机存取记忆体(SRAM)、快闪记忆体(非挥发性记忆体的一种形式)，将在集成电路中的数据储存电路元件放置在紧密封装的元件的阵列中，以最小化由数据储存元件所占据的晶片面积的量。磁阻式随机存取记忆体(MRAM)是一种类型的数据储存元件，其中基于在电路元件中磁场的方向来储存信息。磁阻式随机存取记忆体使用磁场来储存信息，而不是在储存电路元件中电荷的存在/不存在、或在数据储存电路元件中所储存的电荷的量。

技术实现思路

[0003]本揭示内容的一些实施方式提供了一种半导体装置，包含：半导体基板、以及互连件结构。半导体基板包含晶体管，其中晶体管具有源极区域和漏极区域。互连件结构设置在半导体基板上方，其中互连件结构包含：多个层间介电质层、第一导孔、和记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一半导体基板，包含一晶体管，其中该晶体管具有一源极区域和一漏极区域；以及一互连件结构，设置在该半导体基板上方，其中该互连件结构包含：多个层间介电质层，在该半导体基板上方；一第一导孔，嵌入在所述多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层中，并且与该晶体管的该漏极区域电性连接；和一记忆体单元，设置在所述多个层间介电质层中的所述至少两个层间介电质层上方，并且与该第一导孔电性连接。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该晶体管具有一栅极结构其设置在介于该源极区域和该漏极区域之间并且沿着一第一方向延伸。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该互连件结构还包含：一第二导孔，嵌入在所述多个层间介电质层中的一最底部层间介电质层中；以及一第一信号线，嵌入在一第一中间层间介电质层中，该中间层间介电质层在所述多个层间介电质层中的该最底部层间介电质层上方，其中该第二导孔和该第一信号线与该晶体管的该源极区域电性连接，该第一信号线沿着垂直于该第一方向的一第二方向在该最底部层间介电质层上延伸。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导孔穿透该最底部层间介电质层和该第一中间层间介电质层。5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导孔位在该第一中间层间介电质层上方。6.一种记忆体装置，其特征在于，包含：一第一晶体管和一第二晶体管；多个介电层，在该第一晶体管和该第二晶体管上方；一第一导孔，沿着一第一方向延伸穿过所述多个介电层；一第二导孔，沿着该第一方向延伸穿过所述多个介电层；以及一记忆体单元，设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡罗斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：