本发明公开了包括栅极叠层和栅极密封件的电路器件的各种示例。在一个示例中，接收衬底，衬底具有从衬底延伸的鳍。占位栅极形成在鳍上，且第一和第二栅极密封件形成在占位栅极的侧面上。选择性地去除占位栅极，以在第一栅极密封件和第二栅极密封件的侧表面...

本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互...

一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括中介基板，形成于封装基板之上；裸片，位于中介基板之上；第一散热片，位于封装基板之上；以及第二散热片，位于裸片之上，且连接至第一散热片，第一散热片的热膨胀系数与第二散热片的热膨胀系数不同。...

一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括一载体基板、一中介层基板、一半导体装置、一盖件以及一热界面材料。中介层基板设置在载体基板上。半导体装置设置在中介层基板上。盖件设置在载体基板上，以覆盖半导体装置。热界面材料设置在盖件与半...

可以检测及/或确定阀的隔膜位置，从而可以监测隔膜的操作。包括在阀中的感应器可以产生感应器数据，感应器数据可以用于监测隔膜的位置，其又可以用于确定通过阀的流体的流动。这样，感应器可以用于确定隔膜是否正常工作、可以用于识别和检测隔膜的故障、...

本申请涉及一种半导体制造方法。在半导体制造中，去离子水或其他工艺流体流过非金属管道并流到半导体晶圆上。经由设置在非金属管道的外侧的导电材料释放流过非金属管道的去离子水或其他工艺流体中的静电荷。设置在非金属管道的外侧的导电材料是电接地。非...

本文公开具有栅极结构的不同配置的一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括：多个纳米结构通道区的一堆叠物，置于一鳍状物结构上；一第一栅极结构，置于上述纳米结构通道区的上述堆叠物内；一第二栅极结构，其在一第一轴的四周围绕上述第一栅极结...

本公开实施例提供一种半导体封装体。在一个实施例中，半导体封装包括具有第一电路设计的第一集成电路晶粒，且第一集成电路晶粒包括第一装置层和第一内连线结构。半导体封装体亦包括第二集成电路晶粒，具有不同于第一电路设计的第二电路设计，且第二集成电...

提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一转接板，转接板包括一绝缘结构、一导电垫、一第一导线、以及一第一导电通道结构。绝缘结构具有一第一表面以及与第一表面相对的一第二表面，导电垫位于第一表面之上，第一导线位于绝缘结构内且电性连接导电垫...

本公开实施例一种半导体晶粒封装及其形成方法。半导体晶粒封装包括封装基板、在封装基板之上的中介层基板、在中介层基板之上的多个半导体晶粒、以及在中介层基板之上并位于半导体晶粒与中介层基板之间的底部填充元件。半导体晶粒封装还包括环结构以及与环...

一种半导体装置，包含基底、在基底上方的两个源极/漏极部件、连接两个源极/漏极部件的多个通道层以及包覆环绕每个通道层的栅极结构。两个源极/漏极部件中的每一个包含第一外延层、第一外延层上方的第二外延层和第二外延层的内表面上的第三外延层。通道...

一种半导体结构，描述形成包含钌金属衬垫和钴金属填充物的金属层的方法，此方法包含在基底上沉积第一电介质，栅极结构和源极/漏极结构(S/D)在基底上；在第一电介质中形成开口，以暴露源极/漏极结构；以及在开口的底部和侧壁表面上沉积钌金属。此方...

一种半导体结构的形成方法，包括提供基板、虚设鳍片、多个半导体通道层的堆叠；形成包绕堆叠的每个半导体通道层的界面层；沉积高介电常数介电层，其中高介电常数介电层的第一部分沉积在界面层上方且其和高介电常数介电层的第二部分间隔第一距离；在虚设鳍...

根据本公开的方法包括在基板上方沉积包括由牺牲层交错的通道层的堆叠，在基板的第一区和第二区中形成第一鳍状结构和第二鳍状结构，在第一鳍状结构上方沉积第一虚设栅极堆叠并且在第二鳍状结构上方沉积第二虚设栅极堆叠，凹蚀第一鳍状结构和第二鳍状结构的...

半导体装置包括在有源区上方的编程字元线和读取字元线。编程字元线和读取字元线中的每一者沿着线方向延伸。此外，编程字元线接合第一晶体管通道，并且读取字元线接合第二晶体管通道。半导体装置还包括在编程字元线上方并且电性连接至编程字元线的第一金属...

一种半导体装置的制造方法，包括在装置类型区中提供从基板延伸的鳍片，且鳍片包括多个半导体通道层。在一些实施例中，上述方法包括在鳍片上形成栅极结构。之后，在一些范例中，上述方法包括移除多个半导体通道层的邻近栅极结构的源极/漏极区内的一部分以...

本公开涉及半导体装置的形成方法。金属氮化物扩散阻障层可被包含在钴基结构及钌基结构之间，以减少、最小化及/或防止钴与钌的混合。金属氮化物扩散阻障层可包括氮化钴(CoN

公开半导体装置与其制造方法。例示性的制造方法包括接收基板，其包含半导体材料堆叠形成其上，其中半导体材料堆叠包括第一半导体材料的第一半导体层与第二半导体材料的第二半导体层，且第二半导体材料不同于第一半导体材料。图案化半导体材料堆叠以形成沟...

本公开实施例提供一种半导体装置封装及其形成方法。所述半导体装置封装包括基板、电子组件、环结构、以及粘着层。电子组件位于基板的第一表面之上。环结构位于基板的第一表面之上且围绕电子组件。环结构具有面向基板的第一表面的底表面以及与底表面相对的...

本公开提出一种内连线结构。内连线结构包括导电层的第一部分，且导电层包括一或多个石墨烯层。导电层的第一部分包括对向的第一界面部分与第二界面部分，且第一界面部分与第二界面部分的每一个包括金属位于相邻的石墨烯层之间。结构还包括导电层的第二部分...