半导体封装结构及其形成方法技术

一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括中介基板，形成于封装基板之上；裸片，位于中介基板之上；第一散热片，位于封装基板之上；以及第二散热片，位于裸片之上，且连接至第一散热片，第一散热片的热膨胀系数与第二散热片的热膨胀系数不同。二散热片的热膨胀系数不同。二散热片的热膨胀系数不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体装置的形成方法，尤其涉及一种包括封装结构的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置用于各种不同的电子应用，例如个人电脑、移动电话、数字相机及其他电子设备。半导体装置通常以依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层材料于半导体基板之上，且使用光刻图案化各材料层以形成其上的电路元件及零件制造。许多集成电路通常于单一半导体晶片上制造，并沿着切割线切割集成电路之间而分割晶片上的个别的裸片。个别的裸片通常在例如多芯片模块中或在其他类型的封装中分别封装。
[0003]芯片封装不仅提供半导体装置保护，使其免于环境污染，亦提供了封装在其中的半导体装置的连接界面。发展出更小的封装结构，使用更小的面积或更低的高度以封装半导体装置。
[0004]发展了新的封装科技以更进一步改善裸片的密度及功能。这些相对新型的裸片的封装科技面对制造的挑战。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例包括一种半导体封装结构，包括：中介基板，形成于封装基板之上；裸片，位于中介基板之上；第一散热片，位于封装基板之上；以及第二散热片，位于裸片之上，且连接至第一散热片，第一散热片的热膨胀系数与第二散热片的热膨胀系数不同。
[0006]本专利技术实施例亦包括一种半导体封装结构，包括：中介基板，位于封装基板之上；第一散热片，附接至封装基板；附接结构，形成于第一散热片之上；裸片，位于中介基板之上；以及第二散热片，附接至裸片及附接结构，第一散热片及第二散热片以不同材料制成。
[0007]本专利技术实施例又包括一种形成半导体封装结构的方法，包括：形成中介基板于载体基板之上；放置裸片于中介基板之上；从中介基板移除载体基板；放置中介基板及裸片于封装基板之上；附接第一散热片于封装基板之上，包围中介基板；以及使用附接结构附接第二散热片于裸片之上以及附接至第一散热片。
附图说明
[0008]以下将配合所附附图详述本专利技术实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本专利技术实施例的技术特征。
[0009]图1A
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图1F为根据一些实施例示出形成半导体封装结构的各阶段剖面图。
[0010]图2为根据一些实施例示出修改的半导体封装结构的剖面图。
[0011]图3为根据一些实施例示出修改的半导体封装结构的剖面图。
[0012]图4为根据一些实施例示出修改的半导体封装结构的剖面图。
[0013]图5为根据一些实施例示出修改的半导体封装结构的剖面图。
[0014]图6为根据一些实施例示出修改的半导体封装结构的剖面图。
[0015]图7A
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图7B为根据一些实施例示出形成半导体封装结构的各阶段剖面图。
[0016]图8A
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8C为根据一些实施例示出形成半导体封装结构的各阶段剖面图。
[0017]图9为根据一些实施例示出半导体封装结构的透视图。
[0018]图10为根据一些实施例示出半导体封装结构的俯视图。
[0019]附图标记如下：
[0020]10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h:封装结构
[0021]102:载体基板
[0022]104:中介基板
[0023]106:重分布层结构
[0024]108:导孔结构
[0025]110:介电层
[0026]112a:第一导电柱
[0027]112b:第二导电柱
[0028]114:焊料零件
[0029]115a:第一电连接器
[0030]115b:第二电连接器
[0031]116a,116b:裸片
[0032]118a:第一底部填充层
[0033]118b:第二底部填充层
[0034]120:封装层
[0035]122:封装基板
[0036]124:第一散热片
[0037]124a:内部
[0038]124b:外部
[0039]126:附着层
[0040]128:热界面材料结构
[0041]130:第二散热片
[0042]130a:内部
[0043]130b:外部
[0044]130c:中间部
[0045]132:附着层
[0046]134a,134b:接合垫层结构
[0047]H1:高度差
[0048]H2:高度
[0049]H3:厚度
[0050]H4:厚度差
[0051]H5:厚度
[0052]H6:厚度
[0053]G1:距离
[0054]L1,L2,L3:距离
[0055]L4,L5,L6:宽度
具体实施方式
[0056]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本专利技术实施例叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。
[0057]此外，其中可能用到与空间相对用词，例如“在
…
下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相对用词为了便于描述图示中一个(些)元件或特征部件与另一个(些)元件或特征部件之间的关系，这些空间相对用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。
[0058]描述了一些本专利技术实施例。贯穿不同的视图及所述的实施例，相似的标号用以指称相似的元件。应理解的是，可在这些方法之前、之中及之后提供额外的操作，且其他方法实施例可取代或消除所述的一些操作。
[0059]亦可包括其他部件及工艺。例如，可包括测试结构以助于三维封装或三维集成电路元件的验证测试。测试结构可包括例如允许三维封装或三维集成电路元件测试的重分布结构中或基板上所形成的测试垫层、使用探针及/或探针卡及其相似物。除了在最终结构上，验证测试亦可在中继结构上进行。此外，可使用此处所示的结构及方法与测试方法结合，其包括已知良好裸片的中间验证，以增加良率及降低成本。
[0060]在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％、或5％、或3％、或2％、或1％、或0.5％之内。应注意的是，说明书中所提供的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，包括：一中介基板，形成于一封装基板之上；一裸片，位于该中介基板之上；一第一散热片，位于该封装基板之上；以及一第二散热片，位于该裸片之上，且连接至该第一散热片，其中该第一散热片的一热膨胀系数与该第二散热片的一热膨胀系数不同。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该第一散热片包括一内部及一外部，其中该第二散热片覆盖该第一散热片的该内部。3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中该第一散热片的该外部的一侧壁与该第二散热片的一侧壁分隔。4.一种半导体封装结构，包括：一中介基板，位于一封装基板之上；一第一散热片，附接至该封装基板；一附接结构，形成于该第一散热片之上；一裸片，位于该中介基板之上；以及一第二散热片，附接至该裸片及该附接结构，其中该第一散热片及该第二散热片以不同材料制成。5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中该附接结构与该第一散热片及该第二散热片直接接触。6.如权利要求4所述的半导体封装结构，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶书伸，林柏尧，汪金华，林昱圣，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：