半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置的形成方法。金属氮化物扩散阻障层可被包含在钴基结构及钌基结构之间，以减少、最小化及/或防止钴与钌的混合。金属氮化物扩散阻障层可包括氮化钴(CoN

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例是关于一种半导体结构，特别是关于一种具有金属氮化物扩散阻障的半导体结构。

技术介绍

[0002]电子装置(例如，处理器、存储器)可包括各个半导体装置(例如，晶体管、电容器、电阻器)通过内连线结构互连的各种中间层及后端层或区域。内连线结构可包括金属化层(也称作导线)、连接金属化层的导孔、接触插塞、及/或沟槽等。可在称作双镶嵌制程的相同制造制程期间形成沟槽和导孔。在双镶嵌制程中，使用导孔先制制程(via
‑
first procedure)或沟槽先制制程(trench
‑
first procedure)来蚀刻导孔及沟槽。然后，在相同的沉积操作(例如电镀)中用导电材料填充沟槽及导孔

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成凹槽在装置的介电层中；其中凹槽形成在导电结构上方，使得凹槽中的底表面位于凹槽及导电结构之间的界面；及其中导电结构包括第一材料；使用联氨对凹槽中的底表面进行表面处理操作，以在底表面上形成扩散阻障层；其中扩散阻障层包括第一材料的氮化物；及沉积一层第二材料在凹槽中的扩散阻障层上方，以在导电结构上方形成内连线结构。
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成开口，穿过装置的第一介电层到装置的第二介电层中的导电结构，其中导电结构包括第一材料；进行下列组合的一个或多个循环，以在开口中的底表面上形成扩散阻障层：对底表面进行表面处理操作：及在表面处理操作的步骤之后，进行第二材料的前驱物的沉积操作：其中扩散阻障层包括第二材料的氮化物；及沉积一层第二材料在开口中的扩散阻障层上方，以形成内连线结构在导电结构上方。
[0005]本专利技术实施例提供一种半导体装置，包括：导电结构，被包括于装置的第一介电层中，包括第一导电材料；内连线结构，被包括于装置的第二介电层中，包括一层第二导电材料；及扩散阻障层，位于导电结构及内连线结构之间，包括第一导电材料的氮化物或第二导电材料的氮化物。
附图说明
[0006]本公开的各面向从以下详细描述中配合附图可最好地被理解。应强调的是，依据业界的标准做法，各种部件并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了清楚讨论，各种部件的尺寸可任意放大或缩小。
[0007]图1是在其中可实现本文所述的系统及/或方法的例示性环境的视图。
[0008]图2是本文所述的例示性电子装置的一部分的视图。
[0009]图3是本文所述的电子装置的例示性部分的视图。
[0010]图4A、图4B、图4C、图4D、图4E是本文所述的例示性实施方式的视图。
[0011]图5是本文所述的电子装置的例示性部分的视图。
[0012]图6A、图6B、图6C、图6D、图6E是本文所述的例示性实施方式的视图。
[0013]图7是本文所述的电子装置的例示性部分的视图。
[0014]图8A、图8B、图8C、图8D、图8E是本文所述的例示性实施方式的视图。
[0015]图9是本文所述的电子装置的例示性部分的视图。
[0016]图10A、图10B、图10C、图10D、图10E是本文所述的例示性实施方式的视图。
[0017]图11是本文所述的电子装置的例示性部分的视图。
[0018]图12A、图12B、图12C、图12D、图12E是本文所述的例示性实施方式的视图。
[0019]图13是图1的一个或多个装置的例示性元件的视图。
[0020]图14及图15是与形成半导体结构相关的例示性制程的流程。
[0021]其中，附图标记说明如下：
[0022]100：例示性环境
[0023]102：沉积设备
[0024]104：曝光设备
[0025]106：显影设备
[0026]108：蚀刻设备
[0027]110：平坦化设备
[0028]112：镀膜设备
[0029]114：晶圆/晶粒运输设备
[0030]200：装置
[0031]202：基板
[0032]204：鳍片结构
[0033]206：介电层
[0034]208：蚀刻停止层
[0035]210：介电层
[0036]212：蚀刻停止层
[0037]214：介电层
[0038]216：蚀刻停止层
[0039]218：介电层
[0040]220：蚀刻停止层
[0041]222：介电层
[0042]224：蚀刻停止层
[0043]226：介电层
[0044]228：外延区
[0045]230：金属源极或漏极接触件
[0046]232：栅极
[0047]234：间隔物
[0048]236：间隔物
[0049]238：内连线
[0050]240：内连线
[0051]242：栅极接触件
[0052]244：导电结构
[0053]246：导电结构
[0054]248：导孔
[0055]250：导孔
[0056]252：导电结构
[0057]254：导电结构
[0058]300：例示性部分
[0059]302：介电层
[0060]304：介电层
[0061]306：导电结构
[0062]308：内连线结构
[0063]310：侧壁
[0064]312：底表面
[0065]314：第二导电层
[0066]316：扩散阻障层
[0067]400：例示性实施方式
[0068]402：开口
[0069]404：气体混合物
[0070]500：例示性部分
[0071]502：介电层
[0072]504：介电层
[0073]506：导电结构
[0074]508：内连线结构
[0075]510：侧壁
[0076]512：底表面
[0077]514：扩散阻障层
[0078]516：扩散阻障层
[0079]600：例示性实施方式
[0080]602：开口
[0081]604：气体混合物
[0082]700：例示性部分
[0083]702：介电层
[0084]704：介电层
[0085]706：导电结构
[0086]708：内连线结构
[0087]710：侧壁
[0088]712：底表面
[0089]714：扩散阻障层
[0090]716：扩散阻障层
[0091]800：例示性实施方式
[0092]802：开口
[0093]804：气体混合物
[0094]806：气体混合物
[0095]900：例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一凹槽在一装置的一介电层中；其中该凹槽形成在一导电结构上方，使得该凹槽中的一底表面位于该凹槽及该导电结构之间的一界面；及其中该导电结构包括一第一材料；使用联氨对该凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：