本公开总体涉及半导体器件及制造方法。提出了形成半导体器件的结构和方法，其中在栅极电极之上形成无空隙的核

本公开的一些实施例提供了一种离子处理方法。在一些实施例中，方法包括在晶片上方形成图案化掩模层，图案化掩模层包括图案化掩模特征。方法包括将晶片暴露于离子束，晶片的一表面相对于离子束以一倾斜角倾斜。方法还包括相对于离子束沿着一扫描线移动晶片...

本公开涉及晶体管源极/漏极区及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；源极/漏极区，邻接第一纳米结构的第一沟道区，源极/漏极区包括：主层；以及位于主层与第一纳米结构之间的第一衬里层，第一衬里层的碳浓度大于主层的碳浓度；源极/...

本公开涉及晶体管源极/漏极区域及其形成方法。在实施例中，一种器件，包括：纳米结构；以及源极/漏极区域，邻接纳米结构的沟道区域，该源极/漏极区域包括：第一外延层，在纳米结构的侧壁上，该第一外延层包括无锗半导体材料和p型掺杂剂；第二外延层，...

一种设计集成电路的方法及系统，通过一处理装置决定该集成电路中的多个部件的一布置；通过该处理装置基于该布置决定该集成电路中的每个相应网的一树状结构；通过该处理装置决定用于多个导体的曼哈顿布线的多个导体层的一数量，该决定的操作包含基于多个曼...

本揭露提供底部抗反射涂层组合物、用于制造半导体装置的方法及制造半导体装置的方法。改良式底部抗反射涂层包含由至少一种苯乙烯单体形成的聚合物，苯乙烯单体具有至少一或两个亲水性取代基。这些单体及取代基依照需求，可变化以获得膜粘着性与抗湿式蚀刻...

提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括互连结构和形成在互连结构上方的电极层。半导体结构还包括形成在电极层上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的氧化物半导体层。半导体结构还包括覆盖氧化物半导体层表面的含铟部件和形成在含铟部件上方的...

半导体结构包括：衬底；封装件，附接至衬底的第一表面，其中，封装件包括：中介层，其中，中介层的第一侧通过第一导电凸块接合至衬底的第一表面；管芯，附接至中介层的与第一侧相对的第二侧；以及模制材料，位于管芯周围的中介层的第二侧上；多个热界面材...

本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：在衬底上方沉积介电层；在介电层上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成伪栅极堆叠件；在伪栅极堆叠件的相反侧上形成栅极间隔件；以及去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成沟槽。碳纳米管暴露...

形成集成电路封装件的方法包括将第一管芯附接至中介层。该中介层包括位于中介层的顶侧上的第一管芯连接件和第二管芯连接件以及覆盖第一管芯连接件的至少一个侧壁和第二管芯连接件的至少一个侧壁的第一介电层。该第一管芯耦接至第一管芯连接件和第一介电层...

在实施例中，器件包括：半导体管芯，包括半导体材料；通孔，邻近半导体管芯，通孔包括金属；密封剂，位于通孔和半导体管芯周围，密封剂包括聚合物树脂；以及粘合层，位于密封剂和通孔之间，粘合层包括具有芳香族化合物和氨基的粘合剂化合物，氨基结合至密...

方法包括：确定第一晶圆的第一侧上的第一对准标记和第一晶圆的第二侧上的第二对准标记之间的第一偏移；将第一晶圆的第一对准标记与第二晶圆的第一侧上的第三对准标记对准，包括检测第一晶圆的第二对准标记的位置；基于第一偏移和第一晶圆的第二对准标记的...

本揭示文件的一些态样提出一种记忆体装置、记忆体系统以及操作记忆体装置的方法。此记忆体装置包含以多个行与多个列所排列的多个记忆体单元；多条字元线各自耦接至相对应的一行上的记忆体单元；多条位元线各自耦接至相对应的一列上的记忆体单元；以及多条...

一种用于最佳化集成电路装置的实体布局的方法及系统，某些实施例中的方法包括：使用计算机系统，其包括产生EDA工具以产生IC装置的布局；使用诸如贝氏最佳化制程的统计方法来搜寻一或多个输入可变参数，例如IC装置的尺寸及IC装置中电压区域的尺寸...

一种用于制造半导体特征件的方法，其包括：于半导体基板上沿着垂直方向交替地形成第一介质层及第二介质层；形成穿透第一介质层及第二介质层的多个分隔开的沟槽；形成填充沟槽的多个支撑区段；移除第二介质层以形成多个空间；形成填充所述空间的多个导电层...

本揭露的实施例提供一种基板处理系统以及用于处理基板的方法。在一个实施例中，该系统包括：一腔室；一靶材，该靶材安置于该腔室内；一磁控管，该磁控管接近该靶材安置；一支座，该支座安置于该腔室内；及一第一气体注入器，该第一气体注入器安置于该腔室...

本揭露公开一种用于半导体装置制程的过滤器装置，其包括一或多个滤膜及包围该一或多个滤膜的过滤器外壳。每一滤膜包括基膜及多个通孔。本揭露另公开一种制造滤膜的方法，其包括在一基板上形成多个支柱。在具有该些支柱的基板上形成一聚合物层。自基板移除...

一种集成电路及其制造方法，集成电路包括装置、在装置之上设置的第一互连结构及在装置之下定位的第二互连结构。第一互连结构包括多个前侧金属层。第二互连结构包括多个背侧金属层，其中每个背侧金属层包括根据对角布线来布线的金属导体。在一些实施例中，...

本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室及其使用方法。物理气相沉积反应室的使用方法包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上方，其中基板支撑件被沉积环环绕；执行沉积制程，沉积制程通过轰击半导体处理腔室内的靶材，使靶材的材料沉积至基板上方...

一种设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法。设备校准方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面。校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部，以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部。本体与第...