半导体结构及其制造方法技术

提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括互连结构和形成在互连结构上方的电极层。半导体结构还包括形成在电极层上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的氧化物半导体层。半导体结构还包括覆盖氧化物半导体层表面的含铟部件和形成在含铟部件上方的源极/漏极接触件。极接触件。极接触件。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]电子行业对更小、更快的电子设备的需求不断增长，这些电子设备能够执行更多越来越复杂和复杂的功能。因此，在半导体工业中存在制造低成本、高性能和低功率集成电路(IC)的持续趋势。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体IC尺寸(例如，最小部件尺寸)来实现的，从而提高生产效率并降低相关成本。然而，这种小型化给半导体制造工艺带来了更大的复杂性，并且各种器件的制造集成可能具有挑战性。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：互连结构；电极层，形成在互连结构上方；栅极介电层，形成在电极层上方；氧化物半导体层，形成在栅极介电层上方；含铟部件，覆盖氧化物半导体层的表面；以及源极/漏极接触件，形成在含铟部件上方。
[0004]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种半导体结构，包括：互连结构；栅极结构，形成在互连结构上方；氧化物半导体层，与栅极结构接触；含铟部件，与氧化物半导体层直接接触；以及源极/漏极接触件，通过含铟部件连接到氧化物半导体层。
[0005]根据本专利技术实施例的又一个方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上形成互连结构；在互连结构上方形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成氧化物半导体层；形成与氧化物半导体层直接接触的含铟部件；形成覆盖氧化物半导体层的介电层；以及通过介电层形成源极/漏极接触件，其中，源极/漏极接触件与含铟部件的顶面直接接触。
附图说明
[0006]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0007]图1示出了根据一些实施例的半导体结构的示意性俯视图。
[0008]图2A至2F图示了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。
[0009]图3A至图3E示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。
[0010]图4A至图4C示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。
[0011]图5示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0012]图6示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0013]图7A和图7B示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。
[0014]图8示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0015]图9示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0016]图10A和图10B示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。
[0017]图11示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0018]图12图示了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0019]图13A和图13B示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。
[0020]图14示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0021]图15示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0022]图16示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0023]图17示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0024]图18示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0025]图19示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0026]图20示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。
具体实施方式
[0027]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0028]描述了实施例的一些变化。在各种视图和说明性实施例中，相同的附图标记用于表示相同的元件。应当理解，可以在该方法之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于该方法的其他实施例，可以替换或消除所描述的一些操作。
[0029]提供了半导体结构的实施例及其形成方法。半导体结构可以包括形成在互连结构上方的薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括被配置为用作有源层的氧化物半导体层和连接到氧化物半导体层的源极/漏极接触件。此外，可以在形成源极/漏极接触件之前形成附加的含铟部件。含铟部件可有助于降低接触电阻和肖特基势垒。因此，可以提高所得器件的性能。
[0030]此外，薄膜晶体管可以应用于器件管芯的后端制程(BEOL)结构。即，包括形成在半导体衬底(例如，半导体晶圆)上的有源器件(例如，金属氧化物半导体(MOS)FET)的前端制程(FEOL)结构可以位于BEOL结构下方。BEOL结构中的互连结构中的导电部件可以电连接到薄膜晶体管和下面的有源器件。由于薄膜晶体管可以形成在BEOL结构中，所以可以减小FEOL结构的尺寸，因此可以减小所得器件的尺寸。
[0031]图1示出了根据一些实施例的半导体结构100的示意性俯视图。为了清楚起见，图1已被简化以更好地理解本公开的专利技术构思。附加部件可以包括在半导体结构100中，并且下面描述的一些部件可以被替换、修改或消除。
[0032]图2A至图2F示出了根据一些实施例的制造半导体结构100的中间阶段的截面图。更具体地说，图2A至图2F图示了根据一些实施例的沿着图1的线A
‑
A
’
示出的制造半导体结构100的中间阶段的截面图。
[0033]如根据一些实施例的图2A所示，在衬底102中形成器件区104。衬底102可以是半导体晶圆，例如硅晶圆。替代地或附加地，衬底102可以包括元素半导体材料、化合物半导体材料和/或合金半导体材料。元素半导体材料的示例可以是但不限于晶体硅、多晶硅、非晶硅、锗和/或金刚石。化合物半导体材料的示例可以是但不限于碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟。合金半导体材料的示例可以是但不限于SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP和/或GaInAsP。
[0034]此外，衬底102可以包括诸如掺杂区、层间介电(ILD)层、导电部件和/或隔离结构的结构。此外，衬底102还可包括单层或多层待图案化的材料层。例如，材料层可以包括硅层、介电层和/或掺杂多晶硅层。
[0035]器件区104可以具有各种器件元件。器件元件的示例可以包括但不限于晶体管、二极管和/或其他适用的元件。晶体管的示例可以包括但不限于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：互连结构；电极层，形成在所述互连结构上方；栅极介电层，形成在所述电极层上方；氧化物半导体层，形成在所述栅极介电层上方；含铟部件，覆盖所述氧化物半导体层的表面；以及源极/漏极接触件，形成在所述含铟部件上方。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：介电层，围绕所述含铟部件和所述源极/漏极接触件。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述含铟层至少部分地嵌入所述氧化物半导体层中。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述含铟层的顶面基本上与所述氧化物半导体层的顶面齐平。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述氧化物半导体层具有基本上平坦的底面。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述氧化物半导体层由氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化镓、氧化铟、氧化铟锌、氧化铟锡、掺钨氧化铟或其组...

【专利技术属性】
技术研发人员：马可，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：