设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法技术

一种设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法。设备校准方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面。校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部，以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部。本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧。设备校准方法进一步包含：调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置，致使沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第一位置与第二位置时不接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一位置、第二位置与遮护板的中央在第一轴向上排列。轴向上排列。轴向上排列。

【技术实现步骤摘要】
设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法


[0001]本揭露是有关于一种设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，可利用物理气相沉积(PVD)制程沉积金属于晶圆上表面，同时金属也沉积在沉积环上。通常在进行上述半导体制程之前执行预防性维护(preventive maintenance，PM)检查，以防止在进行上述半导体制程的过程中产生晶圆电弧(wafer arcing)。

技术实现思路

[0003]在本揭露的一些实施方式中，一种设备校准方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面。校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部，以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧。设备校准方法进一步包含：调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置，致使沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第一位置与第二位置时不接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一位置、第二位置与遮护板的中央在第一轴向上排列。
[0004]在本揭露的一些实施方式中，一种设备维护方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面，其中校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧；以第一延伸部沿着第一轴向朝向遮护板的侧面的第一位置移动，直至沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一轴向通过遮护板的中央；将校准零件自遮护板的第一位置的一侧移至第二位置的一侧，其中第一位置与第二位置沿着第一轴向排列；以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置移动，直至沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触沉积环；以及当第二延伸部接触沉积环且第一延伸部未抵靠到第二位置时，更换遮护板。
[0005]在本揭露的一些实施方式中，一种半导体处理方法包含：校准遮护板相对于下方的静电卡盘的相对位置，包含：将校准零件的本体抵靠遮护板的顶面，其中校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧；以第一延伸部沿着第一轴向朝向遮护板的侧面的第一位置推动遮护板，直到沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触环绕静电卡盘的沉积环，第一轴向通过遮护板的中央；将校准零件自遮护板的第一位置的一侧移至第二位置的一侧，其中第一位置与第二位置沿着第一轴向排列；以及以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置推动遮护板，并在沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触沉积环前停止。半导体处理方法进一步包含：将包覆于靶材外的氧化材料沉积于遮护板上；将沉积有氧化材料的遮护板置换为半导体基板；以及将靶材沉积于
半导体基板上。
附图说明
[0006]当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好理解本揭露。要强调的是，根据本领域中的标准实施，各种特征未按比例绘制，仅为了说明的目的。实际上，为了清楚叙述，各种特征的尺寸可以任意增加或减小。
[0007]图1是根据本揭露的一些实施方式绘示的校准零件的侧视图；
[0008]图2A是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一校准阶段的剖面示意图；
[0009]图2B是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一校准阶段的剖面示意图；
[0010]图2C是根据本揭露的一些实施方式半导体制造设备的一阶段的剖面示意图；
[0011]图2D是根据本揭露的一些实施方式半导体制造设备的一阶段的剖面示意图；
[0012]图2E是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2A的校准阶段的俯视图；
[0013]图2F是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2B的校准阶段的俯视图；
[0014]图2G是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2C的校准阶段的俯视图；
[0015]图2H是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2D的校准阶段的俯视图；
[0016]图2I是根据本揭露的一些实施方式绘示须更换遮护板的状况的剖面示意图；
[0017]图2J是根据本揭露的一些实施方式绘示须更换遮护板的另一状况的剖面示意图；
[0018]图3是根据本揭露的一些实施方式绘示设备校准方法的流程图；
[0019]图4是根据本揭露的一些实施方式绘示设备维护方法的流程图；
[0020]图5A是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
[0021]图5B是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
[0022]图5C是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
[0023]图5D是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
[0024]图6是根据本揭露的实施方式绘示半导体处理方法的流程图。
[0025]【符号说明】
[0026]100:校准零件
[0027]110:本体
[0028]110a:底面
[0029]120:第一延伸部
[0030]120a:抵靠面
[0031]130:第二延伸部
[0032]200:半导体制造设备
[0033]210:静电卡盘
[0034]220:遮护板
[0035]220a:顶面
[0036]230:沉积环
[0037]230a:侧面
[0038]240:靶材
[0039]240A:氧化材料
[0040]300:设备校准方法
[0041]310,320,330,340,350,360,370,380,410,420,430,440,440A,450,460,470,480,480A,610,620,630,640:操作
[0042]400:设备维护方法
[0043]600:半导体处理方法
[0044]A:第一位置
[0045]B:第二位置
[0046]C:第三位置
[0047]D:第四位置
[0048]D1:第一轴向
[0049]D2:第二轴向
[0050]P:电浆
[0051]W:半导体基板
具体实施方式
[0052]应当理解，以下揭露内容提供了用于实现本揭露的不同特征的许多不同的实施方式或实施例。下面描述组件和布置的特定实施方式或实施例以简化本揭露。当然，这些仅是举例，并不意欲进行限制。例如，元件的尺寸不限于所揭露的范围或值，而是可以取决于制程条件和/或装置的期望特性。为了简单和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各种特征。在附图中，为了简化，可以省略一些层/特征。此外，本揭露可在各种实例中重复参照数字和/或字母。此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备校准方法，其特征在于，包含：将一校准零件的一本体抵靠设置于一静电卡盘上的一遮护板的一顶面，其中该校准零件进一步包含连接该本体且相对于该本体弯折的一第一延伸部以及连接该第一延伸部且相对于该第一延伸部弯折的一第二延伸部，且该本体与该第二延伸部位于该第一延伸部的同一侧；以及调整该遮护板相对于该静电卡盘的相对位置，致使沿着一第一轴向朝向该遮护板延伸的该第二延伸部在该第一延伸部分别抵靠该遮护板的一侧面的一第一位置与一第二位置时不接触环绕该静电卡盘的一沉积环，其中该第一位置、该第二位置与该遮护板的中央在该第一轴向上排列。2.根据权利要求1所述的设备校准方法，其特征在于，调整该遮护板相对于该静电卡盘的相对位置进一步致使该第二延伸部在该第一延伸部分别抵靠该遮护板的该侧面的一第三位置与一第四位置时不接触该沉积环，其中该第三位置与该第四位置沿着通过该遮护板的中央的一第二轴向排列。3.根据权利要求1所述的设备校准方法，其特征在于，调整该遮护板相对于该静电卡盘的相对位置进一步包含：以该第一延伸部沿着该第一轴向朝向该第一位置推动该遮护板，直到该第二延伸部接触该沉积环；将该校准零件自该遮护板的该第一位置的一侧移至该第二位置的一侧；以及以该第一延伸部沿着该第一轴向朝向该第二位置推动该遮护板，并在该第二延伸部接触该沉积环前停止。4.一种设备维护方法，其特征在于，包含：将一校准零件的一本体抵靠设置于一静电卡盘上的一遮护板的一顶面，其中该校准零件进一步包含连接该本体且相对于该本体弯折的一第一延伸部以及连接该第一延伸部且相对于该第一延伸部弯折的一第二延伸部，且该本体与该第二延伸部位于该第一延伸部的同一侧；以该第一延伸部沿着一第一轴向朝向该遮护板的一侧面的一第一位置移动，直至沿着该第一轴向朝向该遮护板延伸的该第二延伸部接触环绕该静电卡盘的一沉积环，其中该第一轴向通过该遮护板的中央；将该校准零件自该遮护板的该第一位置的一侧移至一第二位置的一侧，其中该第一位置与该第二位置沿着该第一轴向排列；以该第一延伸部沿着该第一轴向朝向该第二位置移动，直至沿着该第一轴向朝向该遮护板延伸的该第二延伸部接触该沉积环；以及当该第二延伸部接触该沉积环且该第一延伸部未抵靠到该第二位置时，更换该遮护板。5.根据权利要求4所述的设备维护方法，其特征在于，在以该第一延伸部沿着该第一轴向朝向该第一位置移动期间，该第一延伸部是推动该遮护板，并且在以该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：范致中，吴昇颖，林明贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：