记忆体装置及记忆体阵列制造方法及图纸

一种记忆体装置及记忆体阵列，记忆体装置包括晶体管及电连接至晶体管的电阻器。晶体管与电阻器形成第一一次可程序(OTP)记忆体单元。电阻器包括具有一电阻率的金属基层，用以自第一电阻状态不可逆地转换至第二电阻状态。自第一电阻状态不可逆地转换至第二电阻状态。自第一电阻状态不可逆地转换至第二电阻状态。

【技术实现步骤摘要】
记忆体装置及记忆体阵列


[0001]本案是与电子装置有关，且特别是有关于一种记忆体装置及记忆体阵列。

技术介绍

[0002]通常，记忆体装置可是挥发性记忆体装置及非挥发性记忆体(non
‑
volatile memory,NVM)装置。挥发性记忆体装置可在提供电力时储存数据，但一旦电力关断，储存的数据可能会丢失。一次可程序(one
‑
Time programmable,OTP)记忆体装置是常用于只读记忆体(read
‑
only memory,ROM)的NVM类型。当程序化OTP记忆体装置时，该装置无法重新程序化。eFuse记忆体单元是一OTP记忆体装置类型，包括一晶体管、一电阻器(one
‑
Transistor,one
‑
Resistor,1T1R)组态。随着技术的不断进步且遵循莫耳定律，人们希望装置具有较小的单元面积。

技术实现思路

[0003]本案内容的一技术态样是关于一种记忆体装置。记忆体装置包含晶体管及电阻器。与晶体管电连接的电阻器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆体装置，其特征在于，其包含：一晶体管；及与该晶体管电连接的一电阻器，该晶体管与该电阻器形成一第一一次可程序(OTP)记忆体单元，其中该电阻器包括具有一电阻率的一金属基层，用以自一第一电阻状态不可逆地转换至一第二电阻状态。2.根据权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，其进一步包含耦合至该晶体管的一源极/漏极(S/D)结构的一第一互连结构，其中该金属基层相对于该第一互连结构设置。3.根据权利要求2所述的记忆体装置，其特征在于，其中该金属基层插入该第一互连结构与该S/D结构之间。4.一种记忆体装置，其特征在于，其包含：一晶体管；电耦合至该晶体管的一电阻器，该晶体管与该电阻器形成一电气熔丝(eFuse)记忆体单元；形成于该晶体管的一源极/漏极结构上方的多个互连结构；及形成于该晶体管的该源极/漏极结构上方的多个通孔结构，其中该电阻器设置于该晶体管的该源极/漏极结构与该些互连结构中的一最顶一者之间，且其中该电阻器由氮化钛(TiN)形成。5.根据权利要求4所述的记忆体装置，其特征在于，其中该电阻器直接设置于该些互连结构中的一第一者的一底表...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盟昇，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：