图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料技术

一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括氧化锡簇合物，氧化锡簇合物包括碳酸根配位基。此两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。面粗糙度。面粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料


[0001]本揭示是关于一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料。

技术介绍

[0002]由于半导体装置尺寸不断缩小，一些微影技术受到光学限制，从而造成解析度问题与微影性能的降低。相比之下，极紫外光(extreme ultraviolet,EUV)微影透过使用反射性光学元件与大约为13.5纳米或以下的辐射波长，从而可以实现更小的半导体装置尺寸及/或特征尺寸。

技术实现思路

[0003]本揭示的实施方式提供一种图案化光阻层的方法，包含形成一光阻层于一基板上方；曝光光阻层至辐射以形成一图案于光阻层中；以及在曝光光阻层至辐射之后显影图案。用以形成光阻层的一光阻材料包含多个锡簇合物及以下的至少一者：多个不同种类的有机配位基或多个无机配位基。
[0004]本揭示的实施方式提供一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含多个锡簇合物以及锡簇合物的多个羧酸盐配位基，其中羧酸盐配位基包括两个或以上不同种类的羧酸。
[0005]本揭示的实施方式提供一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含多个氧化锡簇合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图案化光阻层的方法，其特征在于，包含：形成一光阻层于一基板上方，其中用以形成该光阻层的一光阻材料包含：多个锡簇合物，及以下的至少一者：多个不同种类的有机配位基，或多个无机配位基；曝光该光阻层至一辐射以形成一图案于该光阻层中；以及在曝光该光阻层至该辐射之后，显影该图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些不同种类的有机配位基包含多个不同种类的羧酸。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些无机配位基包含多个碳酸根配位基。4.一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含：多个锡簇合物；以及该些锡簇合物的多个羧酸盐配位基，其中该些羧酸盐配位基包括两个或以上不同种类的羧酸。5.根据权利要求4所述的极紫外光光阻材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁明晖，郑雅如，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：