图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料技术

一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括氧化锡簇合物，氧化锡簇合物包括碳酸根配位基。此两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。面粗糙度。面粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料


[0001]本揭示是关于一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料。

技术介绍

[0002]由于半导体装置尺寸不断缩小，一些微影技术受到光学限制，从而造成解析度问题与微影性能的降低。相比之下，极紫外光(extreme ultraviolet,EUV)微影透过使用反射性光学元件与大约为13.5纳米或以下的辐射波长，从而可以实现更小的半导体装置尺寸及/或特征尺寸。

技术实现思路

[0003]本揭示的实施方式提供一种图案化光阻层的方法，包含形成一光阻层于一基板上方；曝光光阻层至辐射以形成一图案于光阻层中；以及在曝光光阻层至辐射之后显影图案。用以形成光阻层的一光阻材料包含多个锡簇合物及以下的至少一者：多个不同种类的有机配位基或多个无机配位基。
[0004]本揭示的实施方式提供一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含多个锡簇合物以及锡簇合物的多个羧酸盐配位基，其中羧酸盐配位基包括两个或以上不同种类的羧酸。
[0005]本揭示的实施方式提供一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含多个氧化锡簇合物以及氧化锡簇合物的多个碳酸根配位基。
附图说明
[0006]本揭示的态样可由以下的详细叙述结合附图阅读来获得最佳的理解。应强调，根据工业标准实务，各特征并未按比例绘制，并且仅用于示意的目的。事实上，为了论述的清楚性，各特征的大小可任意地增加或缩小。
[0007]图1是一示例性环境的图，其内可实施在此叙述的系统及/或方法；
[0008]图2A至图2F是在此叙述的示例性实施方式的图；
[0009]图3A、图3B及图4A至图4C是在此叙述的示例性光阻材料反应的图；
[0010]图5是图1的一或多个装置的示例性组件的图；
[0011]图6是有关于在光阻层中形成图案的示例性制程的流程图。
[0012]【符号说明】
[0013]100:环境
[0014]102:沉积工具
[0015]104:曝光工具
[0016]106:显影工具
[0017]108:蚀刻工具
[0018]110:晶圆/晶粒输送工具
[0019]200:实施方式
[0020]202:基板
[0021]204:层
[0022]206:抗反射涂层
[0023]208:光阻层
[0024]210:曝光部分
[0025]212:未曝光部分
[0026]214:遮罩
[0027]216:图案
[0028]218:辐射
[0029]220:图案
[0030]310:光阻材料反应
[0031]312:锡簇合物
[0032]314:第一羧酸
[0033]316:第二羧酸
[0034]318:光阻材料
[0035]320:光阻材料反应
[0036]322:化合物
[0037]324:银盐
[0038]326:光阻材料
[0039]410:光阻材料反应
[0040]412:氧化锡簇合物
[0041]414:光阻材料
[0042]416:碳酸根配位基
[0043]420:光阻材料反应
[0044]422:化合物
[0045]424:氢氧化钠
[0046]426:光阻材料
[0047]428:碳酸根配位基
[0048]430:光阻材料反应
[0049]432:化合物
[0050]434:氢氧化钠
[0051]436:光阻材料
[0052]438:碳酸根配位基
[0053]500:装置
[0054]510:总线
[0055]520:处理器
[0056]530:记忆体
[0057]540:存储组件
[0058]550:输入组件
[0059]560:输出组件
[0060]570:通信组件
[0061]600:制程
[0062]610:方块
[0063]620:方块
[0064]630:方块
具体实施方式
[0065]以下叙述的成份与排列方式的特定实施例是为了简化本揭示内容。当然，此等仅仅为实施例，并不旨在限制本揭示内容。举例而言，在随后描述中的在第二特征之上或在第二特征上形成第一特征可包括形成直接接触的第一特征与第二特征的实施例，还可以包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征，从而使第一特征与第二特征不直接接触的实施例。另外，本揭示内容的各实施例中可重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化及清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或构造之间的关系。
[0066]此外，本文中使用空间性相对用词，例如“下方(beneath)”、“之下(below)”、“下(lower)”、“之上(above)”、“上(upper)”及其类似用语，是利于叙述附图中一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。这些空间性相对用词本意上涵盖除了图中所绘示的位向之外，也涵盖使用或操作中的装置的不同位向。装置也可被转换成其他位向(旋转90度或其他位向)，因此本文中使用的空间性相对描述以应做类似的解释。
[0067]极紫外光(EUV)微影的问题之一是由于EUV辐射的波长较短，使EUV辐射被大多数物质高度吸收。因此，最后仅有由极紫外光产生的EUV辐射的一小部分可用于待进行图案化的基板。故此，深紫外光微影光阻材料中所使用的元素(例如碳(C)、氢与氧(O)等)可能不适用于EUV微影，因为这些元素可能无法吸收足够的EUV辐射。基板处的EUV辐射强度损失的一个补偿方法是使用高吸收性的金属光阻材料。然而，这些材料可能会受到表面粗糙度问题与空气/水的敏感性的影响，这可能降低使用这些材料所形成的光阻层的图案化效果。
[0068]在此叙述的一些实施方式提供光阻材料，光阻材料包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括具有碳酸根配位基的氧化锡簇合物。两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能，并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。
[0069]图1是一示例性环境100的图，其内可实施在此叙述的系统及/或方法。如图1中所示，环境100可包括多个半导体处理工具102
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108与晶圆/晶粒输送工具110。多个半导体处理工具102
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108可包括沉积工具102、曝光工具104、显影工具106、蚀刻工具108及/或另一种类的半导体处理工具。包括在示例性环境100中的工具可包括在半导体无尘室、半导体车间(foundry)、半导体处理及/或制造设施及/或另一种类的半导体处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图案化光阻层的方法，其特征在于，包含：形成一光阻层于一基板上方，其中用以形成该光阻层的一光阻材料包含：多个锡簇合物，及以下的至少一者：多个不同种类的有机配位基，或多个无机配位基；曝光该光阻层至一辐射以形成一图案于该光阻层中；以及在曝光该光阻层至该辐射之后，显影该图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些不同种类的有机配位基包含多个不同种类的羧酸。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些无机配位基包含多个碳酸根配位基。4.一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含：多个锡簇合物；以及该些锡簇合物的多个羧酸盐配位基，其中该些羧酸盐配位基包括两个或以上不同种类的羧酸。5.根据权利要求4所述的极紫外光光阻材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁明晖，郑雅如，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：