集成电路制造技术

一种集成电路，包括位于该集成电路的前侧的基板。第一全绕式栅极晶体管设置于该基板上。该第一全绕式栅极晶体管包括：包括至少一半导体纳米结构的通道区、配置于通道区两侧的源极/漏极区、以及栅极电极。浅沟槽隔离区自背侧延伸至集成电路。背侧栅极插塞自背侧延伸至集成电路且接触第一全绕式栅极晶体管的栅极电极。背侧栅极插塞于集成电路的背侧横向地接触浅沟槽隔离区。触浅沟槽隔离区。触浅沟槽隔离区。

【技术实现步骤摘要】
集成电路


[0001]本专利技术实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于集成电路。

技术介绍

[0002]人们对包括智能手机、平板电脑、台式电脑、笔记本电脑和许多其他种类的电子装置等电子装置的计算能力的需求不断增加。集成电路为这些电子装置提供计算能力。提高集成电路计算能力的一个方法是增加给定面积的半导体基板上可包括的晶体管和其他集成电路特征部件的数量。
[0003]纳米结构晶体管有助于提高计算能力，因为纳米结构晶体管可以非常小，且相较于传统晶体管可具有改良的功能。纳米结构晶体管可包括多个半导体纳米结构(例如，纳米线、纳米板等)，其可用作为晶体管的通道区。栅极电极可被耦接至该纳米结构。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例是关于一种集成电路，其包括：位于集成电路前侧的基板，该集成电路具有相对于该前侧的一背侧、位于该基板上的第一全绕式栅极晶体管，其中该第一全绕式栅极晶体管包括：包括至少一半导体纳米结构的通道区；配置于该通道区两侧的源极/漏极区；及栅极电极、自该背侧延伸至集成电路的浅沟槽隔离区、以及自该背侧延伸至集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：一基板，位于该集成电路的一前侧，该集成电路具有相对于该前侧的一背侧；一第一全绕式栅极晶体管，位于该基板上，该第一全绕式栅极晶体管包括：一通道区，包括至少一半导体纳米结构；多个源极/漏极区，配置于该通道...

【专利技术属性】
技术研发人员：谌俊元，苏焕杰，庄正吉，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：