半导体装置制造方法及图纸

提供可小型化的半导体装置，具备：基板；第一源极指，设置于基板上；第一栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第一源极指而设置于基板上；第一漏极指，与第一源极指隔着第一栅极指；第二源极指，相对于第一源极指设置于延伸方向的基板上，在延伸方向上延伸；第二栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第二源极指而设置于从第一栅极指起位于延伸方向的基板的区域上；第二漏极指，与第二源极指隔着第二栅极指；第一栅极布线，与第一栅极指的第一端连接不与第二栅极指连接，在宽度方向上延伸，第一部位处的第一栅极布线在延伸方向的宽度比第二部位处的宽度小，第一部位的第二栅极指侧端位于比第二部位的第二栅极指侧端靠第一栅极指侧处。的第二栅极指侧端靠第一栅极指侧处。的第二栅极指侧端靠第一栅极指侧处。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置，例如涉及具有场效晶体管的半导体装置。

技术介绍

[0002]已知在具有源极、栅极及漏极的场效晶体管(FET：Field Effect Transistor)中将具有源极指、栅极指及漏极指的单位FET在指的延伸方向上配置多个的技术(例如专利文献1)。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本特开2002
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299351号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的课题
[0004]在专利文献1中，通过将单位FET在指的延伸方向上配置多个，能够缩短单位FET中的栅极指。但是，若将在延伸方向上相邻的单位FET的栅极指与相同的栅极布线连接，则有时高频特性劣化。在将相邻的单位FET的一方的栅极指与栅极布线连接且不将另一方的栅极指与栅极布线连接的情况下，无法缩小相邻的单位FET的间隔。因而，半导体装置会大型化。
[0005]本公开鉴于上述课题，目的在于提供能够实现小型化的半导体装置。用于解决课题的手段
[0006]本公开的一实施方式是一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：基板；第一源极指，设置于所述基板上；第一栅极指，在所述第一源极指的宽度方向上相邻地沿着所述第一源极指而设置于所述基板上；第一漏极指，设置于所述基板上，与所述第一源极指隔着所述第一栅极指；第二源极指，设置于从所述第一源极指起位于所述第一源极指延伸的延伸方向的所述基板的区域上，在所述延伸方向上延伸；第二栅极指，在所述第二源极指的所述宽度方向上相邻地沿着所述第二源极指而设置于从所述第一栅极指起位于所述延伸方向的所述基板的区域上；第二漏极指，设置于所述基板上，与所述第二源极指隔着所述第二栅极指；及第一栅极布线，设置于所述基板上，与所述第一栅极指的第一端连接，不与所述第二栅极指连接，并且在所述宽度方向上延伸，所述第一栅极指与所述第一栅极布线连接的第一部位处的所述第一栅极布线在所述延伸方向上的宽度比位于所述第一源极指与所述第二源极指之间的第二部位处的所述第一栅极布线在所述延伸方向上的宽度小，所述延伸方向上的所述第一部位的所述第二栅极指侧端位于比所述延伸方向上的所述第二部位的所述第二栅极指侧端靠所述第一栅极指侧处。2.根据权利要求1所述的半导体装置，从所述宽度方向观察，所述第二栅极指的一部分和所述第一栅极布线的一部分重叠。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，所述第一栅极布线随着从所述第一部位去往所述第二部位而所述延伸方向的宽度逐渐变大。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，具备：栅极母线，设置于所述基板上，与所述第二栅极指连接；及第二栅极布线，连接所述第一栅极布线和所述栅极母线，在所述延伸方向上延伸。5.根据权利要求4所述的半导体装置，所述第二栅极布线和所述第二栅极指隔着所述第二源极指。6.根据权利要求5所述的半导体装置，所述第二源极指的宽度比所述第一源极指的宽度小，所述第二栅极布线的所述宽度方向的宽度处于所述第一源极指的宽度内。7.根据权利要求6所述的半导体装置，具备贯通所述基板且将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本拓也，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：