一种静电夹具的操作方法和静电夹具，静电夹具的操作方法包含：施加电压于静电夹具的电极层，电极层包含：第一电极、围绕第一电极的第二电极、围绕第二电极的第三电极、和围绕第三电极的第四电极，其中第一电极、第二电极、第三电极、和第四电极为第一极化...

本发明的实施例涉及一种集成电路(IC)器件及其制造方法，该集成电路器件包括在第一方向上延伸并在垂直于第一方向的第二方向上具有第一节距的第一多个有源区，以及在第一方向上延伸的、从所述第一方向偏移的第二多个有源区。第一多个有源区在第一方向上...

本公开涉及半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠。虚设栅极堆叠沿着半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。半导体鳍片被图案化以在半导体鳍片中形成...

提供了一种产生电路布局图的方法及系统与产生单元布局的方法。接收与电路相关联的电路布局图。在电路布局图上执行平行图案识别。执行平行图案识别包括判定电路布局图中存在平行图案。响应于判定电路布局图中存在平行图案，执行与平行图案相关联的第一单元...

本公开涉及包括氢扩散阻挡件的晶体管及其形成方法。一种薄膜晶体管包括：栅极电极，嵌入在衬底上面的绝缘层中；栅极电介质，在栅极电极上面；有源层，包括化合物半导体材料并且在栅极电介质上面；以及源极电极和漏极电极，与有源层的端部部分接触。栅极电...

一种晶圆粘合系统与形成半导体装置的方法，形成一半导体装置的方法包括将一底部晶圆安装在一底部夹盘上且将一顶部晶圆安装在一顶部夹盘上，其中该底部夹盘及该顶部夹盘中的一者具有一垫圈。使该顶部夹盘朝着该底部夹盘移动。该垫圈形成处于该底部夹盘与该...

形成封装件的方法包括形成第一封装组件，并在第一封装组件的第一表面处形成第一多个电连接件。该第一多个电连接件被布局为具有蜂窝图案。将第二封装组件接合至第一封装组件，其中，第二封装组件的第二表面处的第二多个电连接件接合至第一多个电连接件。本...

一种半导体元件及其制造方法。在一个实施例中，第一次图案化第一界面层，第一界面层位于介电层上方的第一硬遮罩层上方，第一次图案化第一界面层形成第一开口，其被利用第一介电材料填充。在填充第一开口后第二次图案化第一界面层，第二次图案化第一界面层...

本发明实施例涉及光刻感知源取样及重新取样。一种方法包括根据照明源确定光刻系统的光学系统的第一透射交叉系数运算子。所述方法包括通过第一数量的取样点对照明源进行取样以产生第一离散源，并根据第一离散源确定第二透射交叉系数运算子。所述方法进一步...

本揭示案揭示电容器结构及形成具有电容器结构的半导体结构的方法。半导体结构包含电容器结构，电容器结构包含第一电容器及第二电容器。第一电容器包含第一底部电极及顶部电极，顶部电极的底表面与第一底部电极的顶表面相距第一距离。第二电容器包含第二底...

一种防护组件及形成倍缩光罩组件和增加防护薄膜寿命的方法，防护组件包括防护薄膜及在防护薄膜的外表面上的保形涂层。防护薄膜可由多个层形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。保形涂层旨在保护防护薄膜免受可能由于EUV曝光期间所产生的热量...

一种微波产生器、紫外光源，与基板处理方法，微波产生器包含核心组件、第一磁性元件、第二磁性元件以及散热件。核心组件包含第一电极元件与套接于第一电极元件的第二电极元件。第一磁性元件套接于第一电极元件，第二磁性元件套接于第一电极元件，并与第一...

本发明的实施例提供了一种FinFET，包括衬底、设置在衬底上的多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。衬底包括多个半导体鳍。半导体鳍包括至少一个有源鳍和设置在有源鳍的两个相对侧处的多个伪鳍。绝缘体设置在衬底上并且半导体鳍被绝缘体绝缘。栅极堆叠...

本发明的实施例提供了金属

半导体器件结构包括形成在衬底上方的纳米结构。该结构还包括形成在纳米结构上方和周围的栅极结构。该结构还包括在纳米结构上方的栅极结构的侧壁上方形成的间隔件层。该结构还包括邻近间隔件层形成的源极/漏极外延结构。该结构还包括形成在源极/漏极外延...

本公开涉及用于互连的形成的一次性硬掩膜。本文公开了一种互连制造方法，该方法在源极/漏极接触件形成期间在栅极结构之上使用一次性蚀刻停止硬掩模，并且在栅极接触件形成之前用电介质特征(在一些实施例中，介电常数低于一次性蚀刻停止硬掩模的电介质层...

一种在极紫外微影系统中处理燃料、移除杂质及净化燃料的方法，自容纳液化固体燃料的容器移除在极紫外微影系统的液滴产生器中利用的液化固体燃料中的杂质。移除杂质增加液滴形成的稳定性及可预测性，这对晶圆良率及液滴产生器寿命产生积极影响。生器寿命产...

一种形成半导体装置的方法，本揭露使用脉冲激光或炉管的退火结合离子布植，在形成半导体装置和包括与之相同的半导体装置中切割基板。在一些实施例中，此方法包括在第一半导体基板上形成装置的晶体管结构；在晶体管结构的正面形成正面互连结构；将载体基板...

本发明实施例的一种半导体封装包括第一半导体器件及第二半导体器件。第一半导体器件包括第一半导体衬底、第一接合结构以及存储单元。第二半导体器件堆叠在第一半导体器件之上。第二半导体器件包括第二半导体衬底、位于第二介电层中的第二接合结构以及位于...

本发明的实施例提供了一种集成电路及其使用方法。集成电路包括电子电路。集成电路还包括光子器件。光子器件包括电连接到电子电路的第一光电探测器(PD)。光子器件还包括电连接到电子电路的第二PD。光子器件还包括配置为接收光信号输入的第一波导，其...