半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法技术

本公开涉及半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠。虚设栅极堆叠沿着半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。半导体鳍片被图案化以在半导体鳍片中形成凹陷。半导体材料被淀积在凹陷中。在半导体材料上执行植入工艺。植入工艺包括将第一植入物植入到半导体材料中并且将第二植入物植入到半导体材料中。第一植入物具有第一植入能量。第二植入物具有与第一植入能量不同的第二植入能量。与第一植入能量不同的第二植入能量。与第一植入能量不同的第二植入能量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机、以及其他电子设备。半导体器件通常是通过如下方式来制作的：在半导体衬底上方依次淀积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并且使用光刻术对各种材料层进行图案化，以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体行业通过不断缩小最小特征尺寸来持续改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器，等等)的集成密度，这允许了更多的组件被集成到给定的区域中。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一方面，提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底延伸的半导体鳍片；在所述半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠，所述虚设栅极堆叠沿着所述半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸；对所述半导体鳍片进行图案化以在所述半导体鳍片中形成凹陷；在所述凹陷中淀积半导体材料；并且在所述半导体材料上执行植入工艺，其中，执行所述植入工艺包括：将第一植入物植入到所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底延伸的半导体鳍片；在所述半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠，所述虚设栅极堆叠沿着所述半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸；对所述半导体鳍片进行图案化以在所述半导体鳍片中形成凹陷；在所述凹陷中淀积半导体材料；并且在所述半导体材料上执行植入工艺，其中，执行所述植入工艺包括：将第一植入物植入到所述半导体材料中，所述第一植入物具有第一植入能量；并且将第二植入物植入到所述半导体材料中，所述第二植入物具有与所述第一植入能量不同的第二植入能量。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一植入物包括砷(As)、磷(P)、或者锑(Sb)。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二植入物包括砷(As)、磷(P)、或者锑(Sb)。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一植入能量大于所述第二植入能量。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一植入能量小于所述第二植入能量。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一植入物与所述第二植入物不同。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一植入物与所述第二植入物相同。8.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底延伸的半导体鳍片；在所述半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠，所述虚设栅极堆叠在平面视图中与所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：林育樟，陈亮吟，聂俊峰，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：