半导体封装件及其形成方法技术

提供了半导体封装件及其形成方法。半导体封装件包括封装衬底和安装在封装衬底的表面上的半导体器件。第一环设置在封装衬底的表面上方并围绕半导体器件。第二环设置在第一环的顶面上方。而且，第一环的顶面和第二环的底面上分别形成突出部分和匹配的凹进部分。突出部分延伸至凹进部分中并与凹进部分啮合，以将第一环与第二环连接。粘合层设置在封装衬底的表面与第一环的底面之间，用于将第一环与上面的第二环附接至封装衬底。第二环附接至封装衬底。第二环附接至封装衬底。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层，以及使用光刻和蚀刻工艺图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。许多集成电路(IC)通常在单个半导体晶圆上制造，并且晶圆上的各个管芯通过沿划线在集成电路之间进行锯切而被分割。单个管芯通常单独封装，例如，在多芯片模块中，或在其他类型的封装件中。
[0003]封装不仅保护半导体器件免受环境污染物的影响，而且还为封装在其中的半导体器件提供连接接口。已开发出占用较少面积或高度较低的较小封装结构来封装半导体器件。
[0004]尽管现有的封装结构和用于制造半导体封装结构的方法通常已经足以满足它们的预期目的，但是它们不是在各个方面都已完全令人满意。

技术实现思路

[0005]本申请的一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：封装衬底；半导体器件，安装在所述封装衬底的表面上；第一环，设置在所述封装衬底的表面上方并且围绕所述半导体器件，其中，第一环具有面向所述封装衬底的表面的底面以及与所述第一环的底面相对的顶面；第二环，设置在所述第一环的顶面上方，其中第二环具有面向所述第一环的顶面的底面以及与第二环的底面相对的顶面，并且其中，突出部分从所述第一环的顶面与所述第二环的底面中的一个延伸，并且凹进部分从所述第一环的顶面与所述第二环的底面中的另一个凹进，其中，所述突出部分延伸至所述凹进部分中并且与所述凹进部分啮合；以及粘合层，设置在所述封装衬底的表面与所述第一环的底面之间。
[0006]本申请的另一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：封装衬底；半导体器件，安装在所述封装衬底的表面上；第一环，设置在所述封装衬底的表面上方并且围绕所述半导体器件；第二环，堆叠在所述第一环上，其中，所述第二环的底面面向所述第一环的顶面，其中，多个铆接结构布置在所述第一环和所述第二环之间并且彼此间隔开，所述多个铆接结构的每个包括：突出部分，形成在所述第一环的顶面和所述第二环的底面中的一个上；以及凹进部分，形成在所述第一环的顶面和所述第二环的底面中的另一个上，其中，所述突出部分装配到所述凹进部分中；以及粘合层，设置在所述封装衬底的表面和所述第一环的底面之间。
[0007]本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：将半导体器件安装在封装衬底的表面上；提供具有第一表面的第一环和具有面向所述第一环的第一表面的第二表面的第二环；在所述第一环的第一表面上形成至少一个凹进部分；在所述第二
环的第二表面上形成至少一个突出部分，并且通过至少一个突出部分和至少一个凹进部分啮合将所述第一环与所述第二环连接在一起；以及经由形成在所述封装衬底与所述第一环和所述第二环中的一个之间的粘合层将所述第一环和所述第二环附接至所述封装衬底的表面。
附图说明
[0008]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0009]图1是根据一些实施例的半导体封装件的示意性俯视图。
[0010]图2是沿图1中的线A
‑
A
’
截取的半导体封装件的示意性截面图。
[0011]图3是根据一些其他实施例的沿图1中的线A
‑
A
’
截取的半导体封装件的示意性截面图。
[0012]图4A、图4B、图4C和图4D示出了根据一些其他实施例的具有各种水平截面形状的铆接结构。
[0013]图5A
‑
图5C示出了根据一些其他实施例的图2或图3中所示的铆接结构的形成和两个环的组装的各个中间阶段的截面图。
[0014]图6A和图6B是根据一些其他实施例的铆接结构的示意性截面图。
[0015]图7A和图7B是根据一些其他实施例的铆接结构的示意性截面图。
[0016]图8A
‑
图8D示出了根据一些其他实施例的图6A或图6B中所示的铆接结构的形成和两个环的组装的各个中间阶段的截面图。
[0017]图9A
‑
图9D示出了根据一些其他实施例的图7A或图7B中所示的铆接结构的形成和两个环的组装的各个中间阶段的截面图。
[0018]图10A、图10B、图10C和图10D是根据一些其他实施例的半导体封装件的示意性俯视图。
[0019]图11A、图11B、图11C和图11D是根据一些其他实施例的半导体封装件的示意性俯视图。
[0020]图12A和图12B是根据一些其他实施例的半导体封装件的示意性俯视图。
[0021]图13示出了根据一些其他实施例的上环是盖结构。
[0022]图14是根据一些实施例的用于形成半导体封装件的方法的简化流程图。
具体实施方式
[0023]以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0024]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0025]本领域技术人员将理解说明书中的术语“基本上”，诸如“基本上平坦”或“基本上共面”等。在一些实施例中，形容词基本上可以被去除。在适用的情况下，术语“基本上”还可以包括具有“整个”、“完全”、“全部”等的实施例。在适用的情况下，术语“基本上”还可以涉及90％或更高，诸如95％或更高，尤其是99％或更高，包括100％。此外，诸如“基本上平行”或“基本上垂直”的术语将被解释为不排除与指定布置的微小偏差并且可以包括例如高达10
°
的偏差。“基本上”一词不排除“完全”，例如“基本上不含”Y的组合物可能完全不含Y。
[0026]与特定距离或尺寸结合的诸如“约”的术语将被解释为不排除与特定距离或尺寸的微小偏差，并且可以包括例如高达10％的偏差。与数值x相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：封装衬底；半导体器件，安装在所述封装衬底的表面上；第一环，设置在所述封装衬底的表面上方并且围绕所述半导体器件，其中，第一环具有面向所述封装衬底的表面的底面以及与所述第一环的底面相对的顶面；第二环，设置在所述第一环的顶面上方，其中第二环具有面向所述第一环的顶面的底面以及与第二环的底面相对的顶面，并且其中，突出部分从所述第一环的顶面与所述第二环的底面中的一个延伸，并且凹进部分从所述第一环的顶面与所述第二环的底面中的另一个凹进，其中，所述突出部分延伸至所述凹进部分中并且与所述凹进部分啮合；以及粘合层，设置在所述封装衬底的表面与所述第一环的底面之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一环的顶面与所述第二环的底面直接接触，并且所述第一环与所述第二环之间没有设置粘合层。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一环包括第一材料，并且所述第二环包括不同于所述第一材料的第二材料。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述突出部分与所述凹进部分在垂直截面图中具有匹配的形状和尺寸。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述突出部分在垂直截面图中具有矩形形状与均匀的宽度。6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述突出部分在垂直截面图中具有不同宽度的第一部分和第二部分，所述第一部分更靠近所述第一环的顶面或所述第二环的底面，所述第二部分具有比所述第一部分大的宽度。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凹进部分在垂直于所述封装衬底的表面的垂直方向上的深度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈见宏，叶书伸，赖柏辰，林柏尧，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：