半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种半导体装置。半导体装置包括沿第一横向方向延伸的栅极结构。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构的一侧上的源极/漏极结构，第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构至源极/漏极结构之间的气隙，其中气隙设置在源极/漏极结构的上方。隙设置在源极/漏极结构的上方。隙设置在源极/漏极结构的上方。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法，尤其涉及一种形成具有气隙的栅极间隔物的制造方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续改善，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改善是来自最小特征尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成到给定区域。

技术实现思路

[0003]本专利技术一实施例提供一种半导体装置，包括：通道结构，沿第一横向方向延伸，且设置于基板上方；栅极结构，沿第二横向方向延伸，且跨越通道结构，第二横向方向垂直于第一横向方向；外延结构，耦合至通道结构，且设置在栅极结构的旁边；以及气隙，沿第一横向方向设置在栅极结构与外延结构之间；其中，气隙包括沿垂直方向延伸的第一部分，且气隙所具有的底端设置在通道结构的顶表面的上方。
[0004]本专利技术另一实施例提供一种半导体装置，包括：栅极结构，沿第一横向方向延伸；源极/漏极结构，沿第二横向方向设置于栅极结构的一侧，第二横向方向垂直于第一横向方向；以及气隙，沿第二横向方向设置于栅极结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一通道结构，沿一第一横向方向延伸，且设置于一基板上方；一栅极结构，沿一第二横向方向延伸，且跨越所述通道结构，所述第二横向方向垂直于所述第一横向方向；一外延结构，耦合至所述通道结构，且设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：林士尧，李筱雯，郑宇珊，陈昭成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：