半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法，包括：在半导体结构的源极区与漏极区的上方形成第一层间介电层；在第一层间介电层的上方形成第一遮罩材料；在第一遮罩材料蚀刻出多个第一开口；以填充材料填充第一开口；在填充材料蚀刻出第二开口；以第二遮罩材料填充第二开口；移除填充材料；以及以第一遮罩材料与第二遮罩材料为蚀刻遮罩来蚀刻第一层间介电层，以在第一层间介电层形成多个第三开口，第三开口暴露出半导体结构的源极区与漏极区的局部。结构的源极区与漏极区的局部。结构的源极区与漏极区的局部。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例是关于半导体装置及其形成方法，特别是关于形成鳍式场效晶体管的源极/漏极接触件。

技术介绍

[0002]半导体装置用于许多不同的电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机及其他电子设备。半导体装置的形成，通常是通过在一半导体基底的上方依序沉积绝缘或介电层、导电层、半导体层的材料层，再使用微影将上述各种材料层图形化，以在上述半导体基底上形成电路构件及元件。
[0003]半导体产业通过持续缩减最小特征尺寸而持续改善各种电子构件(举例而言：晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集积密度，得以将更多构件整合至一给定的面积中。然而，随着最小特征尺寸的缩减，引发了一些应解决的额外问题。

技术实现思路

[0004]一实施例是关于一种半导体装置的形成方法。上述半导体装置的形成方法包括：在一半导体结构的一源极区与一漏极区的上方形成一第一层间介电层(inter
‑
layer dielectric；ILD)；在上述第一层间介电层的上方形成一第一遮罩材料；在上述第一遮罩材料蚀刻出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：在一半导体结构的一源极区与一漏极区的上方形成一第一层间介电层；在该第一层间介电层的上方形成一第一遮罩材料；在该第一遮罩材料蚀刻出多个第一开口；以一填充材料填充所述第一开口；在该填充材料蚀刻出多个第二开口；以一第二遮罩材料填充所述第二开口；移除该填充材料；以及以该第一遮罩材料与该第二遮罩材料为一蚀刻遮罩来蚀刻该第一层间介电层，以在该第一层间介电层形成多个第三开口，所述第三开口暴露出该半导体结构的该源极区与该漏极区的局部。2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：在形成该第一遮罩材料之前，在该第一层间介电层的上方形成一第二层间介电层。3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：在蚀刻出所述第二开口之前，将该填充材料平坦化。4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：以一导电材料填充在该第一层间介电层的所述第三开口；以及对该导电材料施行一平坦化制程，该平坦化制程暴露出该第一层间介电层的一顶表面。5.一种半导体装置的形成方法，包括：在一第一源极/漏极区的上方与一第二源极/漏极区的上方，沉积一层间介电层；在该层间介电层的上方形成一蚀刻遮罩，包括：在该层间介电层的上方沉积一第一遮罩材料；在该第一遮罩材料形成一第一开口，该第一开口在该第一源极/漏极区的上方与该第二源极/漏极区的上方延伸；以一介电材料填充该第一开口；在该介电材料形成一第二开口，该第二开口位于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之间；及以一第二遮罩材料填充该第二开口；以及在该层间介电层蚀刻出一第一接触开口以暴露出该第一源极/漏极区，且在该层间介电层蚀刻出一第二接...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅劲逢，黄玉莲，何彩蓉，林焕哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：