制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成包括掺杂剂组成物的一掺杂剂层至一基板之上。形成包括抗蚀剂组成物的一抗蚀剂层至掺杂剂层之上。使一掺杂剂自掺杂剂层中的掺杂剂组成物扩散至抗蚀剂层中；及在抗蚀剂层中形成一图案。一图案。一图案。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法


[0001]本揭露关于一种制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]随着消费装置回应于消费者需求而变得愈来愈小，这些装置的单独组件的大小亦必然缩小其尺寸。构成装置(诸如移动电话、平板计算机及类似者)的主要组件的半导体装置已被迫变得愈来愈小，相应地亦要求半导体装置内的单独装置(例如，晶体管、电阻器、电容器等)的大小减小。
[0003]在半导体装置的制造制程中使用的一种赋能技术是使用光刻材料。将此类材料施加至待图案化的层的表面，然后曝露于本身已经图案化的能量。此种曝露修改光敏材料的曝露区的化学及物理性质。可利用此修改以及在光敏材料的未曝露的区中不进行修改来去除一个区而不去除另一个区，或去除另一个区而不去除这一个区。
[0004]然而，随着单独装置的大小已减小，光刻处理的制程视窗已变得愈来愈紧密。因此，需要光刻处理领域的进步来保持按比例缩小装置的能力，且需要进一步改良以便满足所要的设计准则以使得可保持朝向愈来愈小的组件的推进。
[0005]随着半导体工业在追求更高装置密度、更高性能及更低成本中已进步至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：形成包含一掺杂剂组成物的一掺杂剂层至一基板之上；形成包含一抗蚀剂组成物的一抗蚀剂层至该掺杂剂层之上；使一掺杂剂自该掺杂剂层中的该掺杂剂组成物扩散至该抗蚀剂层中；及在该抗蚀剂层中形成一图案。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使该掺杂剂扩散的步骤包含以下步骤：在范围为自40℃至250℃的一温度下加热该掺杂剂层及该抗蚀剂层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该掺杂剂层的步骤包含以下步骤：将包含一掺杂剂及一溶剂的一掺杂剂组成物施加至该基板之上。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该抗蚀剂层包含化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积操作。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该掺杂剂组成物包含以下中的一或多种：一光酸产生剂、一淬灭剂、一光碱产生剂、一有机酸、一无机酸、一有机碱、一无机碱、一交联剂、一界面活性剂、具有沸点大于100℃的一溶剂、水或一螯合物。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：