物理气相沉积系统和处理标的物的方法技术方案

技术编号：34778245 阅读：19 留言：0更新日期：2022-09-03 19:30

本揭露提供了一种物理气相沉积(PVD)系统和处理标的物的方法。PVD系统包括一PVD腔室，PVD腔室界定一PVD空间，在PVD空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上。PVD系统包括PVD腔室中的标的物。标的物用以覆盖在晶圆上。标的物的一边缘自标的物的一第一表面延伸至标的物的一第二表面，第二表面与标的物的第一表面相反。标的物的边缘的一第一部分具有一第一表面粗糙度。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的一第二部分延伸至多6毫米。标的物的边缘的第二部分具有小于第一表面粗糙度的一第二表面粗糙度。有小于第一表面粗糙度的一第二表面粗糙度。有小于第一表面粗糙度的一第二表面粗糙度。

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【技术实现步骤摘要】
物理气相沉积系统和处理标的物的方法

[0001]本揭露关于一种物理气相沉积系统和处理标的物的方法。

技术介绍

[0002]半导体晶圆用于诸如移动电话、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统及各种其他工业、商业及消费性电子产品的大量电子装置中。半导体晶圆通常经历一或多种处理以产生所要的特征。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例中，一种物理气相沉积系统包括物理气相沉积腔室，物理气相沉积腔室界定一物理气相沉积空间，在物理气相沉积空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上。物理气相沉积系统包括物理气相沉积腔室中的标的物。标的物用以覆盖在晶圆上。标的物的边缘自标的物的第一表面延伸至标的物的第二表面，标的物的第二表面与第一表面相反。标的物的边缘的第一部分具有第一表面粗糙度。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分延伸至多6毫米。标的物的边缘的第二部分具有小于第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。
[0004]根据本揭露的一些实施例中，一种物理气相沉积系统包括物理气相沉积腔室、一屏蔽结构及一气体传导结构。物理气相沉积腔室界定一物理气相沉积空间，在该物理气相沉积空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上，其中该物理气相沉积腔室包含一入口以将一第一气体引入至该物理气相沉积腔室中；屏蔽结构位于该物理气相沉积腔室中，用于禁止该第一气体自该物理气相沉积空间散逸；气体传导结构位于该物理气相沉积腔室中，用于将该第一气体传导至该物理气相沉积空间中，其中该气体传导结构位在

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积系统，其特征在于，包含：一物理气相沉积腔室，该物理气相沉积腔室界定一物理气相沉积空间，在该物理气相沉积空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上；及该标的物位在该物理气相沉积腔室中，其中：该标的物用以覆盖在该晶圆上；该标的物的一边缘自该标的物的一第一表面延伸至该标的物的一第二表面，该标的物的该第二表面与该第一表面相反；该标的物的该边缘的一第一部分具有一第一表面粗糙度；该标的物的该边缘的该第一部分自该标的物的该第一表面朝向该标的物的该边缘的一第二部分延伸至多6毫米；以及该标的物的该边缘的该第二部分具有小于该第一表面粗糙度的一第二表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的物理气相沉积系统，其特征在于，该标的物的该边缘的一第一区域具有一第一尺寸，该第一区域自该标的物的该第一表面延伸并且在该标的物的该边缘的该第二部分的一第一区域上且朝向该第一区域延伸；该标的物的该边缘的一第二区域具有一第二尺寸，该第二区域自该标的物的该第一表面延伸并且在该标的物的该边缘的该第二部分的一第二区域上且朝向该第二区域延伸；以及该第一尺寸不同于该第二尺寸。3.根据权利要求1所述的物理气相沉积系统，其特征在于，该标的物的该边缘的一第一区域具有一第一形状，该第一区域自该标的物的该第一表面延伸并且在该标的物的该边缘的该第二部分的一第一区域上且朝向该第一区域延伸；该标的物的该边缘的一第二区域具有一第二形状，该第二区域自该标的物的该第一表面延伸并且在该标的物的该边缘的该第二部分的一第二区域上且朝向该第二区域延伸；以及该第一形状不同于该第二形状。4.根据权利要求1所述的物理气相沉积系统，其特征在于，还包含：一加热器，该加热器位于该物理气相沉积腔室中，用于对该晶圆进行加热。5.根据权利要求1所述的物理气相沉积系统，其特征在于，该物理气相沉积腔室包含：一背板结构，该背板结构位在该标的物上。6.一种物理气相沉积系统，其特征在于，包含：一物理气相沉积腔室，该物理气相沉积腔室界定一物理气相沉积空间，在该物理气相沉积空...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昇颖，林明贤，王柏伟，吕晓风，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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