半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括基板及晶体管。晶体管包括位于基板上方的第一通道区以及与第一通道区接触的源极/漏极区。源极/漏极区具有相对于基板的第一表面以及从第一表面延伸的侧表面。硅化物层设置于源极/漏极区的第一表面及侧表面上。及侧表面上。及侧表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及一种包含硅化物层的半导体装置。

技术介绍

[0002]对于包括智能手机、平板电脑、桌上型电脑、笔记本电脑及许多其他种类的电子装置在内的电子装置的计算能力具有持续的需求。半导体装置为这些电子装置提供计算能力。一种提升半导体装置中的计算能力的方法是增加所能够包括在半导体基板的给定区域中的晶体管及其他半导体装置部件的数目。
[0003]纳米结构晶体管能够协助提升计算能力，因为纳米结构晶体管可以很小且能够具有改善的功能性。纳米结构晶体管可以包括多个半导体纳米结构(例如纳米线、纳米片等)，其作为用于晶体管的通道区。源极及漏极可以耦合至纳米结构。可能难以形成具有所需特性的源极及漏极区。

技术实现思路

[0004]一种半导体装置，包括：基板；以及第一晶体管，包括：第一通道区，位于基板上方；源极/漏极区，与第一通道区接触，源极/漏极区具有与基板相对的第一表面以及从第一表面延伸的多个侧表面；硅化物层，位于源极/漏极区的第一表面及侧表面上；以及介电鳍片结构，位于基板上且接触源极/漏极区的侧表面之一。
[0005]一种半导体装置的形成方法，包括：形成第一晶体管的第一通道区；形成与第一通道区接触的源极/漏极区，源极/漏极区沿着第一方向邻近第一通道区；形成沿着第二方向邻近源极/漏极区的介电鳍片结构，且第二方向横切第一方向；以及在源极/漏极区的顶表面上以及侧表面上形成硅化物层，硅化物层横向设置于介电鳍片结构与源极/漏极区之间。
[0006]一种半导体装置，包括：基板；第一晶体管，位于基板上，第一晶体管包括对应第一晶体管的通道区的多个第一半导体纳米结构；第二晶体管，位于基板上，第二晶体管包括对应第二晶体管的通道区的多个第二半导体纳米结构；源极/漏极区，沿着第一方向与第一半导体纳米结构及第二半导体纳米结构接触；第一介电鳍片结构及第二介电鳍片结构，沿着第二方向邻近源极/漏极区的多个相对侧，且第二方向横切第一方向；以及硅化物层，位于源极/漏极区的顶表面上，硅化物层在第一及第二介电鳍片结构与源极/漏极区之间横向延伸。
附图说明
[0007]以下将配合所附附图详述本专利技术实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本专利技术实施例的特征。
[0008]图1A及图1B是根据一些实施例的半导体装置的剖面图。
[0009]图2A～图2Z、图3A～图3D是根据一些实施例的在制造的各种阶段的半导体装置的
剖面图。
[0010]附图标记如下：
[0011]100:半导体装置
[0012]102:半导体基板
[0013]104a,104b:晶体管
[0014]106:半导体纳米结构(纳米结构，纳米片)
[0015]108:栅极电极
[0016]110:源极/漏极区(源极区)
[0017]114:源极/漏极接触件
[0018]116:半导体层
[0019]118:牺牲半导体层(膜层)
[0020]120:膜层
[0021]124:鳍片结构
[0022]126:沟槽
[0023]130:浅沟槽隔离区(浅沟槽隔离)
[0024]132:包覆层
[0025]133:混合鳍片结构(混合鳍片)
[0026]134:第一介电层(介电层)
[0027]135:虚置层
[0028]136:第二介电层
[0029]138:高介电常数介电层
[0030]140:薄介电层(介电层，膜层)
[0031]142:多晶硅层(膜层)
[0032]144,146:介电层(膜层)
[0033]147:虚置栅极结构(虚置栅极)
[0034]148:栅极间隔层
[0035]150:凹槽
[0036]151:牺牲半导体结构
[0037]154:内间隔物
[0038]158,160,162:介电层
[0039]164:空隙
[0040]165:界面介电层
[0041]166:高介电常数栅极介电层(高介电常数介电层，高介电常数电介质)
[0042]167:金属层
[0043]168:盖层
[0044]171:间隙
[0045]172:硅化物
[0046]B,D,I,K,N,P,R,T,V,X,Z:切线
[0047]X,Y:水平轴
[0048]Z:垂直轴
具体实施方式
[0049]在以下的描述中，描述许多的厚度及材料以用于半导体装置内的各种膜层及结构。对于各种实施例，以范例的方式给出特定的尺寸及材料。
中技术人员将认识到，根据本公开，可以在许多的情况中使用其他的尺寸及材料而不偏离本公开的范围。
[0050]以下公开提供了许多的实施例或范例，用于实施所提供的不同元件。各元件和其配置的具体范例描述如下，以简化本专利技术实施例的说明。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本专利技术实施例。举例而言，叙述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接触的实施例，也可能包含额外的元件形成在第一和第二元件之间，使得它们不直接接触的实施例。此外，本专利技术实施例可能在各种范例中重复参考数值以及/或字母。如此重复是为了简明和清楚的目的，而非用以表示所讨论的不同实施例及/或配置之间的关系。
[0051]再者，其中可能用到与空间相对用词，例如“在
……
之下”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”等类似用词，是为了便于描述附图中一个(些)部件或特征与另一个(些)部件或特征之间的关系。空间相对用词用以包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。
[0052]在以下描述中，为了提供对本公开的各种实施例的透彻理解，阐述了某些特定的细节。然而，
中技术人员将理解，可以在没有这些特定细节的情况下实施本公开。在其他情况下，并未详细描述与电子组件及制造技术相关的公知结构以避免不必要地混淆本公开的实施例的描述。
[0053]除非本文另有要求，在以下的说明书及权利要求中，“包括”一词及其变体，例如“包含”及“含有”，是以开放、包容的意义解释，即“包括，但不限于”。
[0054]例如第一、第二及第三等序数的使用并不一定意味着排序的顺序感，而是可以仅区分行为或结构的多个实例。
[0055]在整个说明书中对“一些实施例”或“一个实施例”的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在至少一些实施例中。因此，在这整个说明书的各种地方的短语“在一些实施例中”、“在一个实施例中”、或“在一些实施例中”不一定都是指相同的实施例。此外，特定特征、结构、或特性可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一基板；以及一第一晶体管，包括：一第一通道区，位于该基板上方；一源极/漏极区，与该第一通道区接触，该源极/漏极区具有与该基板相对的一第一表面以及从该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏榕，江国诚，朱熙甯，陈冠霖，郑嵘健，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：