【技术实现步骤摘要】
互连结构
[0001]本公开实施例涉及一种互连结构，尤其涉及一种包含介电泡沫的互连结 构、使用其的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]随着半导体产业导入具有更高性能和更多功能的新一代集成电路 (integrated circuit，IC)，形成IC的元件的密度增加，而组件或元件之间的尺 寸、尺寸和间距减少。在过去，这种减少仅受到光刻定义结构的能力的限制， 具有较小尺寸的装置几何形状产生了新的限制因素。随着半导体装置尺寸的 减少，需要具有减少的电容耦合的改善的半导体装置。
技术实现思路
[0003]本公开的一个实施例为一种互连结构。结构包含导电层的第一部分、邻 近导电层的第一部分设置的导电层的第二部分及在导电层的第一和第二部 分之间设置的介电泡沫。介电泡沫包含填充有二氧化碳气体的流体间隙。
[0004]本公开的另一个实施例为一种半导体装置结构。结构包含一或多个装 置、在一或多个装置上设置的导电层的第一部分、邻近导电层的第一部分设 置的导电层的第二部分及在第一和第二部分之间设置的介电泡沫。介电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种互连结构，包括：导电层的第一部分；所述导电层的第二部分，邻近所述导电层的所述第一部分设置；以及介电泡沫，设...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖韦豪，田希文，戴羽腾，吕志伟，姚欣洁，李忠儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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