提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括从俯视角度看设置在第一行内并且沿着第一方向延伸的第一导电图案、设置在第一行内的第一相移电路、从俯视角度看设置在第二行内的第一传输电路以及沿着垂直于第一方向的第二方向从第一行延伸到第二行的...

本发明的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括衬底、衬底上方的介电层和介电层中的导电互连件。导电互连件包括阻挡/粘附层和位于阻挡/粘附层上方的导电层。阻挡/粘附层包括具有化学式MX

本申请的实施例公开了一种集成电路(IC)器件包括在半导体主体正面上的高压半导体器件(HVSD)，并进一步包括在半导体主体背面上的电极，背面与正面相对。例如，高压半导体器件可以是晶体管或其他适当类型的半导体器件。电极具有在HVSD的正下方...

本申请公开了半导体器件和制造方法。铁电随机存取存储器阵列与位线驱动器和源极线驱动器一起形成，该位线驱动器和源极线驱动器形成在该铁电随机存取存储器阵列之下。使用与用于形成铁电随机存取存储器阵列内的个体存储器单元的工艺相同的工艺来形成通孔。...

提供了存储器时钟驱动器、存储器器件和操作存储器器件、存储器时钟驱动器的方法。存储器器件包含跨越存储器单元行的阵列彼此相对地设置的两个存储时钟驱动器。存储器时钟驱动器包含解码器，其解码对应于一个或多个存储器单元行的地址。解码器被配置为解码...

本公开涉及乘法

图像传感器的背侧上的沟槽隔离结构内的金属栅格耦接至接触焊盘，使得金属栅格上的电压随着接触焊盘上的电压连续变化。一个或多个导电结构将金属栅格直接耦接至接触焊盘。导电结构可以绕过图像传感器的前侧。金属栅格上的偏置电压可以通过接触焊盘改变，由...

本发明的各个实施例针对二维载气(2DCG)半导体器件，2DCG半导体器件包括具有多个突起的欧姆源电极/漏电极，多个突起由间隙分隔开并且从欧姆源电极/漏电极的底面突出。欧姆源电极/漏电极位于半导体膜上面，并且突起从底面延伸至半导体膜中。此...

一种背面信号路由的系统和方法，背面信号路由的系统包括具有第一面及与第一面相对的第二面的基板；在基板上的单元，单元在第一面上或在第二面上具有第一接脚，且在第二面上具有第二接脚；第一信号路由，其连接至第一接脚；及第二信号路由，其连接至第二接...

一种模拟数字转换器装置与校正电路控制方法，装置包括多个模拟数字转换电路、校正电路以及控制电路。多个模拟数字转换电路用以根据多个时脉信号产生多个第一量化输出。校正电路用以根据多个第一量化输出执行至少一误差运算来产生多个第二量化输出，且根据...

本揭露是关于一种降低光阻消耗(RRC)的方法及半导体结构的形成方法。降低光阻消耗的方法包含利用RRC组合物处理基材的表面；以及形成包括含金属材料的光阻层于经RRC组合物处理后的表面上。RRC组合物包含溶剂，以及酸或碱。溶剂具有10至25...

半导体器件包括衬底、栅极结构、源极/漏极区域、第一硅化物层、第二硅化物层和接触件。栅极结构包裹至少一个纳米结构沟道垂直堆叠件。源极/漏极区域邻接栅极结构。第一硅化物层包括位于源极/漏极区域上的第一金属组分。第二硅化物层包括与第一金属组分...

本申请的实施例涉及感测放大器系统、存储器器件及其控制方法。感测放大器控制系统包括被配置为接收预充电信号的预充电控制开关。参考单元被配置为接收参考字线信号。在预充电阶段中，响应于预充电信号控制控制开关以将参考输入节点预充电到预定的预充电电...

本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括基板。第一导线在位于基板上方的第一介电层内。第一蚀刻停止层在第一介电层上方。第二蚀刻停止层在第一蚀刻停止层上方。导电导孔在位于第二蚀刻停止层上方的第二介电层内。导电导孔延伸穿过第二蚀刻停止层并沿着...

本发明公开了一种半导体装置及制造所述半导体装置的方法，此半导体装置具有不同配置的纳米结构通道区。所述半导体装置包括设置在基板上的鳍式结构、设置在鳍式结构上的纳米结构水平通道(nanostructured horizontalchanne...

一种半导体结构，涉及一种用于在全绕式栅极晶体管结构中制造埋藏层以抑制接面漏电的方法。在一些实施例中，方法包括在基板上形成掺杂的外延层、在外延层上形成交替的第一及第二纳米片层的堆叠及图案化堆叠及外延层以形成鳍片结构。方法包括在鳍片结构上形...

本发明实施例是关于一种散列高架悬吊式运输机具轨道系统及其操作方法。本文揭露了一种自动化物料处理系统AMHS和一种操作所述AMHS的方法。在一方面，所述AMHS包含轨道网络和运载工具，所述运载工具经配置以固持样本载具，所述样本载具存放一或...

本公开提供制造半导体装置的方法。方法包括将中性元素布植进介电层、蚀刻停止层和金属特征，其中介电层设置在蚀刻停止层上方，且金属特征设置穿过介电层和蚀刻停止层。方法进一步包括使用锗气体作为中性元素的来源，且使用高于6.75mA的射束电流布植...

本公开涉及半导体栅极及其形成方法。一种半导体器件，包括：纳米片，在源极/漏极区域之间；以及栅极结构，在衬底之上且在源极/漏极区域之间，该栅极结构包括：栅极电介质材料，围绕每个纳米片；功函数材料，围绕栅极电介质材料；第一帽盖材料，围绕功函...

本公开涉及一种半导体装置的制造方法。在半导体基底上方形成图案的方法中，在半导体基底上方形成目标层；在目标层上方的遮罩层中形成包含开口的遮罩图案；在开口的内侧侧壁上形成偏移膜；进行单向蚀刻操作，以移除偏移膜的一部分及遮罩层的一部分，以形成...