【技术实现步骤摘要】
鳍式场效晶体管装置和形成鳍式场效晶体管装置的方法
[0001]本揭示案是关于一种鳍式场效晶体管装置，以及形成鳍式场效晶体管装置的方法。
技术介绍
[0002]由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断改善，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，这种集成密度的改善来自于不断减少最小特征的尺寸，使更多的元件集成到所需区域。
[0003]鳍式场效晶体管(Fin Field
‑
Effect Transistor,FinFET)装置现在正成为集成电路中常用的装置。鳍式场效晶体管装置具有三维结构，包括从基板中突出的半导体鳍。而栅极结构环绕半导体鳍，且被配置为控制鳍式场效晶体管装置导电通道内电荷载体的流动。例如，在三栅极鳍式场效晶体管装置中，栅极结构围绕半导体鳍的三面展开，从而在半导体鳍的三侧形成导电通道。
技术实现思路
[0004]在一些实施例中，本揭示案形成鳍式场效晶体管装置的方法包括：形成向基板上方突出的第一鳍和第二鳍；形成在第一鳍和第二鳍上方的栅极结构；在栅极结构的第一侧形成分别在第一鳍和第二鳍中的第一凹槽和第二凹槽；以及形成在第一凹槽和第二凹槽中的源极/漏极区域，包括：形成在第一凹槽和第二凹槽中的阻障层；形成在第一凹槽和第二凹槽中阻障层上方的第一磊晶材料，其中在第一鳍上方的第一磊晶材料的第一部分与在第二鳍上方的第一磊晶材料的第二部分空间上隔开；形成在第一磊晶材料上方的第二磊晶材料，其中第二磊晶材料沿着第一磊晶材料的第一部分和第二部分的外表面延伸，且
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成鳍式场效晶体管装置的方法，其特征在于，包括：形成一第一鳍和一第二鳍，向一基板上方突出；形成一栅极结构在该第一鳍和该第二鳍上方；在该栅极结构的一第一侧分别形成一第一凹槽和一第二凹槽在该第一鳍和该第二鳍中；以及形成一源极/漏极区域在该第一凹槽和该第二凹槽中，包括：形成一阻障层在该第一凹槽和该第二凹槽中；形成一第一磊晶材料在该第一凹槽和该第二凹槽中的该阻障层上方，其中在该第一鳍上方的该第一磊晶材料的一第一部分与在该第二鳍上方的该第一磊晶材料的一第二部分空间上隔开；形成一第二磊晶材料在该第一磊晶材料上方，其中该第二磊晶材料沿着该第一磊晶材料的该第一部分和该第二部分的外表面延伸，其中该第二磊晶材料从该第一鳍连续延伸至该第二鳍；以及形成一覆盖层在该第二磊晶材料上方。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二磊晶材料有一第三部分沿着该第一磊晶材料的该第一部分的一第一侧壁延伸，该第一侧壁面对该第一磊晶材料的该第二部分，以及其中该第二磊晶材料有一第四部分沿着该第一磊晶材料的该第二部分的一第二侧壁延伸，该第二侧壁面对该第一磊晶材料的该第一部分，其中在形成该第二磊晶材料之后有一气隙介于该第二磊晶材料的该第三部分和该第四部分之间。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个该第一磊晶材料、该第二磊晶材料和该覆盖层都包括一半导体材料和一掺杂剂，其中该第二磊晶材料的该掺杂剂的一第二浓度高于该第一磊晶材料的该掺杂剂的一第一浓度，其中该覆盖层的该掺杂剂的一第三浓度低于该第一磊晶材料的该掺杂剂的该第一浓度。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该第一磊晶材料包括使用含一第一前驱物和一第二前驱物的一第一制程气体磊晶生长该第一磊晶材料，其中该第一前驱物包括一半导体材料，而该第二前驱物包括一掺杂剂，其中形成该第二磊晶材料包括使用含该第一前驱物、该第二前驱物和一第三前驱物的一第二制程气体磊晶生长该第二磊晶材料，其中该第三前驱物不同于该第一前驱物且包括该半导体材料。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该第一制程气体进一步包括一蚀刻气体，其中形成该第一磊晶材料进一步包括通过调整该第一前驱物的流速与该蚀刻气体的流速之间的比例来调整该第一磊晶材料的垂直生长速率与该第一磊晶材料的水平生长速率之间的比例。6.一种形成鳍式场效晶体管装置的方法，其特征在于，包括：形成一第一鳍和一第二鳍在一基板上方；形成一栅极结构在该第一鳍和该第二鳍上方；进行一蚀刻制程以分别在该第一鳍和该第二鳍中形成一第一凹槽和一第二凹槽；...
【专利技术属性】
技术研发人员：游政卫，白易芳，郑培仁，李啟弘，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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